NL142283B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.

Info

Publication number
NL142283B
NL142283B NL646403503A NL6403503A NL142283B NL 142283 B NL142283 B NL 142283B NL 646403503 A NL646403503 A NL 646403503A NL 6403503 A NL6403503 A NL 6403503A NL 142283 B NL142283 B NL 142283B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
layer
silicon oxide
semiconductor device
oxide applied
Prior art date
Application number
NL646403503A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6403503A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6403503A publication Critical patent/NL6403503A/xx
Publication of NL142283B publication Critical patent/NL142283B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/017—Clean surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL646403503A 1963-04-02 1964-04-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. NL142283B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US269979A US3281915A (en) 1963-04-02 1963-04-02 Method of fabricating a semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6403503A NL6403503A (nl) 1964-10-05
NL142283B true NL142283B (nl) 1974-05-15

Family

ID=23029390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL646403503A NL142283B (nl) 1963-04-02 1964-04-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3281915A (nl)
JP (1) JPS4937303B1 (nl)
BE (1) BE646063A (nl)
DE (1) DE1489240B1 (nl)
GB (1) GB1055724A (nl)
NL (1) NL142283B (nl)
SE (1) SE304062B (nl)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1250790B (de) * 1963-12-13 1967-09-28 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zur Herstellung diffundierter Zonen von Verunreinigungen in einem Halbleiterkörper
US3342650A (en) * 1964-02-10 1967-09-19 Hitachi Ltd Method of making semiconductor devices by double masking
US3357902A (en) * 1964-05-01 1967-12-12 Fairchild Camera Instr Co Use of anodizing to reduce channelling on semiconductor material
US3490963A (en) * 1964-05-18 1970-01-20 Sprague Electric Co Production of planar semiconductor devices by masking and diffusion
GB1124762A (en) * 1965-01-08 1968-08-21 Lucas Industries Ltd Semi-conductor devices
US3389023A (en) * 1966-01-14 1968-06-18 Ibm Methods of making a narrow emitter transistor by masking and diffusion
US3632433A (en) * 1967-03-29 1972-01-04 Hitachi Ltd Method for producing a semiconductor device
US3545076A (en) * 1967-08-22 1970-12-08 Bosch Gmbh Robert Process of forming contacts on electrical parts,particularly silicon semiconductors
DE2047998A1 (de) * 1970-09-30 1972-04-06 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung
US3776786A (en) * 1971-03-18 1973-12-04 Motorola Inc Method of producing high speed transistors and resistors simultaneously
JPS5248055B2 (nl) * 1973-11-12 1977-12-07
US3933541A (en) * 1974-01-22 1976-01-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor planar device
US4186032A (en) * 1976-09-23 1980-01-29 Rca Corp. Method for cleaning and drying semiconductors
DE2838928A1 (de) * 1978-09-07 1980-03-20 Ibm Deutschland Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern mit bor
US6004399A (en) * 1996-07-01 1999-12-21 Cypress Semiconductor Corporation Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers
JP3595441B2 (ja) * 1997-12-29 2004-12-02 三菱電機株式会社 塩酸過水を用いた洗浄方法
EP2337089A3 (en) * 2009-12-17 2013-12-11 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Improved method of texturing semiconductor substrates
WO2016018307A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Hewlett-Packard Indigo, B.V. Cleaning electrophotographic printing drums

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL210216A (nl) * 1955-12-02
NL95308C (nl) * 1956-02-29 1960-09-15
DE1040134B (de) * 1956-10-25 1958-10-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergang
DE1287009C2 (de) * 1957-08-07 1975-01-09 Western Electric Co. Inc., New York, N.Y. (V.St.A.) Verfahren zur herstellung von halbleiterkoerpern
DE1134357B (de) * 1958-09-22 1962-08-09 Siemens Ag Verfahren zur Reinigung von einkristallinen Halbleiterkoerpern
US2948642A (en) * 1959-05-08 1960-08-09 Bell Telephone Labor Inc Surface treatment of silicon devices
US2953486A (en) * 1959-06-01 1960-09-20 Bell Telephone Labor Inc Junction formation by thermal oxidation of semiconductive material
US3147152A (en) * 1960-01-28 1964-09-01 Western Electric Co Diffusion control in semiconductive bodies
US3085033A (en) * 1960-03-08 1963-04-09 Bell Telephone Labor Inc Fabrication of semiconductor devices
GB920306A (en) * 1960-08-25 1963-03-06 Pacific Semiconductors Inc Fabrication method for semiconductor devices
US3055776A (en) * 1960-12-12 1962-09-25 Pacific Semiconductors Inc Masking technique

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4937303B1 (nl) 1974-10-08
NL6403503A (nl) 1964-10-05
GB1055724A (en) 1967-01-18
SE304062B (nl) 1968-09-16
BE646063A (nl) 1964-07-31
US3281915A (en) 1966-11-01
DE1489240B1 (de) 1971-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL142283B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.
NL141329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL151560B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende glaslaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL153374B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL168741C (nl) Inrichting voor het vlakslijpen van werkstukken.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL162791C (nl) Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL141029B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderinrichting en inrichting of stel inrichtingen gevormd volgens deze werkwijze.
NL162250B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL144779B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderelement met een passiverende siliciumoxydelaag en halfgeleiderelement volgens die werkwijze.
NL140656B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL161922B (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.
NL143734B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154059B (nl) Werkwijze voor het etsen van siliciumnitride in aanwezigheid van gedoteerd silicium.
BE776481A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidermonokristallen
NL143627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.
BE750088A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting

Legal Events

Date Code Title Description
VJC Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: RCA