NL1024199C1 - Werkwijze en inrichting voor het compenseren van oneffenheden in het oppervlak van een substraat. - Google Patents

Description

Werkwijze en inrichting voor het compenseren van oneffenheden in het oppervlak van een substraat.

De onderhavige uitvinding betreft een werkwijze en inrichting voor het 5 compenseren van oneffenheden in een oppervlak van een substraat voor het projecteren van een structuur op een halfgeleider-wafer, waarbij het masker een draagmateriaal, een voorzijde en achterzijde bezit en op de voorzijde ten minste een laag is aangebracht die ten minste gedeeltelijk het oppervlak vormt. De onderhavige uitvinding betreft in bijzonder een compensatie van de oneffenheden EUV-reflectiemaskers die bedekt zijn .10 met een alternerende reeks binnenlagen die een stapel lagen omvat die als reflectielaag dient.

Maskers respectievelijk retikels worden op het gebied van de vervaardiging van halfgeleiders gebruikt om een daarop aangebrachte structuur in een projectiestap over te dragen op een halfgeleider-wafer een flat-panel e.d. Daartoe worden in het algemeen 15 zogenaamde transmissiemaskers gebruikt, waarbij bijvoorbeeld ondoorschijnende 1 structuren op een verder transparant glassubstraat zijn aangebracht. Door de maskers laat men het licht stralen, zodat de ondoorschijnende structuren worden afgebeeld in een substraatvlak, dat wil zeggen de halfgeleider-wafer, flat-panel e.d.

Bij de tegenwoordig steeds kleiner worden volglengte van het licht dat voor het 20 projecteren van maskerstructuren wordt gebruikt worden de toegepaste glassubstraten van de maskers in toenemende mate licht ondoorlatend. Bij een lengte van de lichtgolven van minder dan 157 nanometer, in bijzonder bij het extreem ultraviolette golflengtegebied (EUV) bij 11-13 nanometer, gaat men ertoe over om de reflectiemaskers voor de projectie te gebruiken. Daarbij wordt licht onder een schuine 25 invalshoek op de van een absorberende structuur voorziene oppervlakte van het masker gericht. Het in wezen voor licht ondoorlaatbare substraat van het reflectiemasker is typisch bedekt met een reflecterende stapel lagen bestaand uit een reeks lagen met dunnen alternerende lagen. Alleen op die plaatsen waarop een schaduw voor de projectie in het substraatvlak moet worden bereikt, is op de stapel lagen de 30 absorberende laag als structuur aangebracht.

Op grond van de schuine invalshoek, dat wil zeggen bij ontbrekende telezentriciteit, hebben afwijkingen van een volledig vlak oppervlak van het masker een 10241 9b 2 nadelige invloed op de positie van de aankomende lichtstraal, die daarentegen bij de in de regel loodrecht belichte transmissiemaskers geringer is.

Aangezien bij een dergelijke verticale afwijking van het maskeroppervlak van een ideaal vlak het aankomstpunt horizontaal verschoven wordt, treedt in de 5 geprojecteerde afbeelding in het substraatvlak een nadelige vervorming op van de op het masker aangebrachte structuur. Deze zogenaamde out-of-plane-distortions (OPD) worden vervolgens omgezet in plaatsfouten binnen de vlakken, de zogenaamde in-plane-distortions (IPD). De tegenwoordig gespecificeerde, bij EUV-projectie te bereiken plaatsfouttoleranties komen afhankelijk van de toegepaste invalshoek voor de 10 projectielichtstraal overeen met afwijkingsnauwkeurigheden van 11 nanometer. Als gevolg van verdere foutoorzaken blijft voor de door de oneffenheden veroorzaakte onnauwkeurigheden een tolerantie over van mogelijk slechts 1 tot 2 nanometer voor de IPD. Deze waarde komt overeen met een verticale afwijking van ongeveer 50 nanometer op het masker.

15 Het probleem bij reflectiemaskers, in het bijzonder bij de EUV-reflectiemaskers is echter, dat de opgebrachte lagen, vooral de alternerend op elkaar volgende lagen, van de reflectielaag, een verhoudingsgewijze hoge mechanische spanning van meer dan 400 Megapascal bezitten kunnen en daarmee tot een verbuiging van het masker substraat leidt. De genoemde spanningswaarden kunnen bijvoorbeeld afwijkingen opwekken met 20 meer dan 1 micrometer van een ideaal oppervlakte-vlak van het masker. In het algemeen is het gevolg van de door de stapel lagen (engels: multilayer) veroorzaakte mechanische spanningen een compressieve vorming van het masker, zoals bijvoorbeeld is weergegeven in figuur lb. In bepaalde gevallen is echter ook een trekkende vorm zoals in figuur lc getoond is denkbaar.

25 Als oplossing voor het probleem werd tot nu toe voorzien het reflectiemasker met een zeer hoge druk elektrostatisch tegen een vlak zwak uitgevoerde maskerhouder (engels: chuck) aan te drukken. De door een mechanische spanning opgewekte verbuiging van een masker kan mathematisch bijvoorbeeld in een reeks van Legendre-polvnomen worden ontwikkeld, waarvan de laagste ordes bijvoorbeeld de vormen van 30 zadels bezitten. Door de hogere ordes wordt de vorm van het oppervlak van het masker meer en meer door een veeltal van verhogingen en verdiepingen beschreven

Gebleken is dat door een verhoogde druk op de chuck juist slechts die verbuigingen van lagere ordes zich op bevredigende wijze laten verkleinen, terwijl een ; Ü £ 4 i & ^ 3 voldoende drukvereffening voor verbuigingen van hogere ordes technisch nauwelijks realiseerbaar is.

Onafhankelijk van de verbuiging van een masker door mechanische spanningen ontstaan oneffenheden op het oppervlak van het masker ook door de nauwkeurigheid 5 van het polijstwerk van het maskersubstraat. Een van de vervaardiging afhankelijke ruwheid, dat wil zeggen van de hoogfrequente aandelen van de verhogingen en verdiepingen op het oppervlak, wordt door een dergelijk polijstwerk verminderd. Niettemin treedt daarbij het probleem op dat door het polijstwerk tegelijkertijd laagfrequente aandelen, dat wil zeggen lage ordes in de afwijkingen van een ideaal, 10 vlak oppervlak worden gevormd. Aangezien de achterzijde in de regel niet tegelijkertijd behandeld wordt, kunnen deze laagfrequente aandelen niet worden vereffend door een voorbeschreven verhoging van de elektrostatische druk op de chuck.

Doel is derhalve reflectiemaskers te verschaffen met een substraat en een daarop 15 gevormde reflectielaag die de genoemde oneffenheden zowel van laag- als hoogfrequente aandelen respectievelijk ordes van het begin af aan in het geheel niet bezit. Een benadering is, de achterzijde van het reflect]emasker te voorzien van een laag die een in wezen identieke spanning op het substraat uitoefent, zoals die welke door de alternerende opeenvolging van lagen op de voorzijde van het reflectiemasker 20 optreedt. Evenwel moeten hier bovendien de effecten worden meegenomen door de in het algemeen op reflectiemaskers toegepaste buffer- en absorptielagen. Aangezien echter de buffer- en absorptielagen onderwerp van de structurering op het reflectiemasker zijn, kunnen hierbij in het bijzonder lokale afwijkingen in de uitgeoefende mechanische spanning optreden. Dergelijke effecten zoals ook die, dat de 25 bekleding op de achterzijde niet slechts de verbuigingen van lagere ordes maar ook de verbuiging van hogere ordes moet vereffenen, zijn in de praktijk vaak nauwelijks te realiseren.

Doel van de onderhavige uitvinding is derhalve een werkwijze en een inrichting te verschaffen waarmee oneffenheden van oppervlakten van reflectiemaskers kunnen 30 worden vereffend. Een doel is in het bijzonder een werkwijze en een inrichting te verschaffen waarmee lokale oneffenheden alsmede die van hogere ordes gecompenseerd kunnen worden. Bovendien is doel van de onderhavige uitvinding de > 0 24 'i 99 4 door de op de voorzijde aangebrachte lagen op een reflectiemasker opgewekte spanning duurzaam te vereffenen.

Het doel wordt bereikt door een werkwijze voor het compenseren van een oneffenheid van het oppervlak van een substraat, waarbij het substraat een 5 draagmateriaal, een voorzijde en een achterzijde bezit en op de voorzijde ten minste een laag is aangebracht die ten minste gedeeltelijk het oppervlak vormt, omvattende de stappen: het verschaffen van het substraat, een afstandmeetapparaat en een stralingsbron voor het opwekken van een licht- ionen- of elektronenstraal, het vastleggen van een ten opzichte van de voorzijde van het substraat in wezen evenwijdig 10 ideaal vlak, het kiezen van een eerste positie op de voorzijde van het substraat, het meten van een eerste waarde voor een afstand, die de oneffenheid representeert, tussen het oppervlak van de laag op het substraat en het geïdealiseerde vlak op de eerste positie met behulp van het afstandmeetapparaat, het berekenen van een eerste stralendosis voor het opwekken van een ionen- electronen- of lichtstraal afhankelijk 15 van de gemeten eerste waarde, het lokaal bestralen van de achterzijde van het substraat met de licht- ionen- of electronenstraal met de berekende eerste stralendosis door de stralingsbron op een tegenover de positie op de voorzijde liggende positie op de achterzijde van het substraat in verband met het opwekken van lokale mechanische spanning, door welke de oneffenheid wordt vereffend.

20 Aan de onderhavige uitvinding ligt het beginsel ten grondslag dat een afwijking van de werkelijke oppervlakte van een ideaal, vlak oppervlak lokaal op de voorzijde van het substraat wordt gemeten, om in verband met de grootte van de afwijking op de achterzijde een aan deze grootte aangepaste fysieke inwerking op de precies overeenkomende positie uit te voeren. Deze fysieke inwerking werkt op het oppervlak 25 van de achterzijde, respectievelijk met een kenmerkende inbrengdiepte in een zich nabij het oppervlak bevindende gebied, zodat daardoor lokaal een mechanische tegenspanning wordt opgewekt, die bij voorkeur de mechanische spanning die de oneffenheid op de voorzijde veroorzaakt, compenseert.

Het is echter ook mogelijk om de werkwijze volgens de uitvinding op een in 30 wezen spanningsvrije voorzijde met bijvoorbeeld door polijstprocessen opgewekte oneffenheden toe te passen.

De fysieke inwerking op de achterzijde door middel van een ionen- electronen- of lichtstraal bewerkstelligt een verandering van de roosterstructuur van het '» U ύ 1 9 9 5 draagmateriaal en/of van een daarop aangebrachte bekleding van de achterzijde zodanig, dat door een compressieve spanning of trekspanning op de achterzijde van het substraat een gewenste verbuiging van het substraat wordt opgewekt.

Bij het substraat kan het volgens een voordelige uitvoeringsvorm van de 5 uitvinding gaan om een masker, in het bijzonder EUV-reflectiemasker.

Volgens de eerste uitvoering wordt een ionenstraal toegepast voor het lokaal bestralen van een positie op de achterzijde van het masker, waarbij bijvoorbeeld een “Focussed Ion Beam (FIB)” kan worden toegepast. Bijvoorkeur wordt echter een straaldiameter die een groot vlak vormt, ongeveer in het gebied van 0,1 tot 5 mm, 10 toegepast om de bestralingsduur te reduceren. De fysieke inwerking betreft hier het doteren van het substraat en/of een bekleding van de achterzijde beklede met vreemde atomen, waarvan de atoom radius ter verkrijging van een compressieve spanning bijvoorkeur groter is dan die van de reeds in het substraat en/of de bekleding van de achterzijde aanwezige atoomstralen. Bijvoorkeur gaat het hierbij om argonionen.

I 15 In het bijzonder voor het geval dat het gedoteerde draagmateriaal respectievelijk I de gedoteerde laag een amorfe structuur bezit, doch ook voor kristallijnen structuren kan bijvoorbeeld ook boor, dat een kleinere atoomstraal bezit, op bijzondere voordelige wijze worden toegepast. Hierbij vervangen de atomen niet atomen op roosterposities doch worden zij meer aanvullend ingebracht, zodat een compressieve spanning wordt 20 opgewekt. Daarbij kan in het bijzonder het anders noodzakelijke temperproces voor het op de roosterpositie aanbrengen van de ionen worden weggelaten.

Volgens de uitvinding is de toepassing van andere materialen dan de tot nu toe genoemd niet uitgesloten. Daarbij komen vooral nog in aanmerking de elementen fosfor, antimoon, stikstof, arseen en gallium en dergelijke, alsmede andere 25 gebruikelijke, in bijzonder bij de vervaardiging van halfgeleiders toegepaste doteerstoffen.

Volgens de tweede uitvoering van de onderhavige uitvinding wordt een lichtstraal, bijvoorbeeld een laser, toegepast om een lokale faseomkering op te wekken in het bijzonder door thermische inductie op de achterzijde van het masker. Ook 30 hierdoor kan de roosterstructuur op de achterzijde van het masker worden veranderd.

Van doorslaggevend belang is dat in afhankelijkheid van de vastgestelde afwijking van het geïdealiseerde vlak. die een maat is voor de lokale spanning op de voorzijde van het masker, een lokale correctie op achterzijde van het masker worden - 2 a 1 9 9 6 uitgevoerd. Volgens een verdere uitvoering van de onderhavige uitvinding worden daartoe op meerdere positie ook de voorzijde van de lokale afwijkingen gemeten en aansluitend individueel door een telkens verschillende dosis van de ionen- of lichtstraal op de achterzijde gecompenseerd.

5 Op ideale wijze wordt de voorzijde van het masker, waarop zich de multilaag met de afwisselende opeenvolging van lagen van de reflectielaag, de buffer- en de absorptielaag bevindt, in verband met het meten van de lokale afwijkingen respectievelijk afstanden van het werkelijke oppervlak van het geïdealiseerde vlak van een rooster voorzien, zodat een kaart van het masker met de afwijkingen, bijvoorbeeld 10 de verbuigingen van het masker, ontstaat. Indien als maat voor de spanning op de voorzijde van het masker de lokale kromming van het oppervlak wordt genomen, dan kan uit deze kaart voor elke positie ondergebruikmaking van de in de omgeving gemeten waarden een plaatselijke kromming en daaruit een plaatselijke spanning worden berekend. Een aldus vervaardigde kaart met een verdeling van de spanningen 15 over het oppervlak van het masker kan nu gespiegeld op de achterzijde van het masker worden overgebracht met behulp van de stralingsbron.

Aangezien in het bijzonder ook op de voorzijde aangebrachte structuren in de buffer- en/of absorptielaag zijn aangebracht, die tot verbuigingen van zeer hoge orde kunnen leiden, is het een groot voordeel indien een kaart van de gemeten afwijkingen 20 kan worden opgeslagen in een databank en permanent gevoegd wordt bij een bepaalde design layout. De straling respectievelijk dotering van de achterzijde van een reflectiemasker kan in dit geval telkens voor een masker voor de betreffende layout opnieuw worden gebruikt.

Het is echter ook mogelijk de afwijking lokaal te meten en door middel van een 25 koppeling met de stralingsbron volgend op de gemeten grootheid van de afwijking direct een lokale bestraling op de achterzijde, op de achterpositie die overeenkomt met de op positie op de voorzijde, uit te voeren. Op die manier kunnen voorzijde en achterzijde van het masker op een tijdbesparende wijze en zonder dat het noodzakelijk is elke stap op ingewikkelde wijze in te stellen, volgens de werkwijze volgens de 30 uitvinding van een rooster worden voorzien.

Het meten van de afwijking van het werkelijke oppervlak van een geïdealiseerd vlak wordt bijvoorkeur uitgevoerd op basis van een hoogwaardig vlak referentiesubstraat. Daarbij kan het om het niet van een laag voorzien substraat gaan, 10241 99 7 dat derhalve in wezen niet blootstaat aan mechanische spanningen. De afstandmeting wordt daarbij volgens een uitvoering van de uitvinding bij voorkeur op interferometrische wijze uitgevoerd.

Het is echter ook mogelijk dat het oppervlak van de voorzijde van het masker 5 wordt opgemeten met absolute hoogtecoördinaten, waarna aansluitend uit de gegevens een geïdealiseerd vlak kan worden berekend. Daarbij kunnen statistische methoden worden toegepast.

De uitvinding kan volgens de verdere uitvoering ook worden toegepast op de behandeling van oneffenheden bij reflectie optica, die bijvoorbeeld in het EUV-10 golflengte gebied worden toegepast. Daaronder vallen de optische systemen van microscopen of in wafer steppers of scanners ter vervaardiging van halfgeleider schakelingen. Tevens omvat de uitvinding de toepassing bij optische systemen, bijvoorbeeld in röntgensatellieten, die worden toegepast bij telescopen.

De uitvinding zal nu aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld met behulp van 15 een tekening nader worden toegelicht.

Figuur 1 toont de problematiek van een door een mechanische spanning opge wekte verbuiging van een masker met een vervorming van de afbeelding (a), en door compressieve spanning verbogen masker (b) als-20 mede een door trekspanning verbogen masker (c).

Figuur 2 toont een uitvoering volgens de uitvinding voor het compenseren van een spanning op een reflectiemasker.

25 Figuur 3 toont een uitvoeringsvoorbeeld volgens de uitvinding van de werk wijze voor het compenseren van een oneffenheid op het oppervlak van een masker.

De in de aanhef beschreven problematiek van het verbuigen van een 30 reflectiemasker, dat wordt veroorzaakt door een mechanische spanning, is in figuur 1 (a) aangetoond. Het reflectiemasker 1 met een oppervlak 9 is zodanig verbogen, dat hij op een positie een oneffenheid bezit, die een verticale afstand 23 met betrekking tot een geïdealiseerd, vlak oppervlak 21 van het onverbogen substraat bezit. Een voor de

.'41 QQ

8 projectie van een structuur van het masker op een halfgeleider-wafer vallende lichtstraal 70 treft op deze positie het oppervlak 9 van het masker 1 en wordt als gereflecteerde lichtstraal 72 in de richting naar de halfgeleider-wafer gereflecteerd. Indien de oneffenheid op het masker 1 bij afwezigheid van verbuiging niet was 5 ontstaan, dan was de lichtstraal 70 op een verdere positie naast de eerste positie op het geïdealiseerde, vlakke oppervlak van het masker 1 gevallen en als lichtstraal 72’ gereflecteerd. De resulterende structuur is derhalve met een positiefout 25 afgebeeld op het substraat.

Een voorbeeld van de inrichting volgens de uitvinding is in figuur 2 10 weergegeven. In een door een verplaatsingseenheid 40 beweegbaar maskervasthoudorgaan 42 is een reflectiemasker 1 aangebracht. Het reflectiemasker 1 bezit een multilaag 1 als reflectielaag alsmede niet reflecterende absorptiestructuren 13 op een voorzijde 7. Het substraat bestaat uit het voor EUV-reflectiemaskers gebruikelijke LTE-materiaal (Low Thermal Expansion material) bijvoorbeeld ULE van 15 de Firma Coming of ZEROBUR van de Firma Schott. Op de achterzijde 8 is een achterzijdebekleding 12 uit elektrisch geleidend materiaal aangebracht. Voor het uitvoeren van een interferometrische meting bevindt zich een referentiesubstraat 60, dat een LTE-materiaal als substraat omvat met een als geïdealiseerd vlak beschouwd oppervlak 21 evenwijdig op afstand boven het oppervlak 9 van de voorzijde van het 20 reflectiemasker 1.

De uitvoering omvat de interferometer 20 die een voor het LTEM-substraat 60 doorlaatbaar licht op het oppervlak 9 van het masker 1 kan uitzenden. De interferometer 20 is verbonden met een stuureenheid 50, die de door de interferometer 20 gemeten afstand s waard en kan omrekeningen in een stralingsdosis voor een op de 25 achterzijde van het reflectiemasker 1 uit te zenden ionen- of lichtstraal 101. Om de dosis voor de straal 101 van de stralingsbron 30 te kunnen besturen is de stralingsbron 30 eveneens verbonden met de stuureenheid 50. Met als doel het aanbrengen van een raster op de voor- en achterzijde 7, 8 van het reflectiemasker 1 is de stuureenheid 50 eveneens verbonden met de verplaatsingseenheid 40. zodat een willekeurige positie op 30 de voor- respectievelijk achterzijde 7. 8 van het reflectiemasker kan worden bereikt.

Een als voorbeeld gegeven verloop van de werkwijze volgens de uitvinding is in figuur 3 weergegeven. Na het verschaffen van het masker 1 alsmede het referentiesubstraat 60 wordt allereerst door middel van de verplaatsingseenheid 40 de ' "241 üi 9 eerste positie gekozen. Daarbij kan zowel het masker 1 met het slechts aan de zijkant aangrijpende vasthoudorgaan 42 alsook de interferometer 20 en de ionenstraalbron 30 apart of samen ten opzichte van elkaar bewogen worden.

In aansluiting daarop wordt de afstand 23 tussen het oppervlak 9 en het 5 geïdealiseerde vlak 21 door de interferometer 20 op de voorzijde 7 van het masker gemeten. Indien deze stap reeds n-maal herhaald zou zijn. dan beschikt de stuureenheid plaatselijk reeds over een oppervlakteprofiel. Uit de kromming of zelfs uit hogere afgeleiden van het profiel van het oppervlak 9 waarvoor vooral de waarde van de actuele lokale meting van belang is, kan in de stuureenheid 50 een plaatselijke waarde 10 van de mechanische spanning worden berekend.

In de stuureenheid bevindt zich ook een tabel, die voor het onderhavige substraat 10 van het masker 1, aan waarden van stralingsdoses voor te implanteren argonionen, waarden van mechanische spanningen in het resulterende gedoteerde substraat 10 toevoegt. De waarde voor de stralingsdosis die hoort bij de verkregen mechanische span-15 ning wordt gekozen of geïnterpoleerd.

Door de stuureenheid wordt aansluitend de ionenstraalbron zodanig gestuurd, dat precies op de achterzijdepositie die overeenkomt met de voorzijdepositie, argonionen met de berekende stralingsdosis in het substraat 10 en een daarop aangebrachte achterzijdebekleding 12 ter vorming van een gedoteerd gebied 103 nabij het oppervlak 20 van de achterzijde geïmplanteerd worden. In een lus wordt op deze manier een aantal posities, bijvoorkeur een rooster, gekozen en lokaal bestraald.

De vakman kan natuurlijk ook twee verschillende verplaatsingseenheden 40 telkens voor de interferometer 20 en de stralingsbron 30 kiezen of de posities van de interferometer 20 en stralingsbron 30 verschillend kiezen, waarbij evenwel het masker 25 tussen interferometer en stralingsbron voor elke lusstap, dat wil zeggen elke achterzijdepositie moet worden ingesteld.

1 9Q

Claims (11)

1. Werkwijze volgens het compenseren van een oneffenheid van een oppervlak (9) van een lichtreflecterend substraat, waarbij het substraat (1) een draag-5 materiaal (10), een voorzijde (7) en een achterzijde (8) bezit en op de voor zijde (7) ten minste een laag (11) is aangebracht die ten minste gedeeltelijk het oppervlak (9) vormt, omvattende de stappen: het verschaffen van het substraat (1), een afstandmeter (20) en een stra-10 lingsbron (30) ter opwekking van een licht-, ionen- of elektronenstraal (101), het vastleggen van een ten opzichte van de voorzijde (7) van het substraat (1) in wezen evenwijdig geïdealiseerd vlak 21, 15 het kiezen van een eerste positie (90) op de voorzijde (7) van het substraat (1), het meten van een eerste waarde voor een de oneffenheid weergevende 20 afstand tussen het oppervlak van de laag op het masker en het geïdeali seerde vlak op de eerste positie (90) met behulp van het afstandmeetap-paraat (20), het berekenen van een eerste stralingsdosis voor een licht-, ionen- of 25 elektronenstraal (101) afhankelijk van de gemeten eerste waarde, het lokaal bestralen van de achterzijde van het substraat (1) met de licht-, ionen- of elektronenstraal (101) met de berekende eerste stralingsdosis door de stralingsbron (30) op een positie (91) op de achterzijde (8) van 30 het substraat die ligt tegenover de eerste positie (90) op de voorzijde (7). ter opwekking van een lokale mechanische spanning, om de oneffenheid te vereffenen. ! yy

2. Werkwijze volgens conclusie 1. met het kenmerk dat het substraat (1) een masker is voor het projecteren van een structuur op een halfgeleider-wafer.

3. Werkwijze volgens conclusie 1. met het kenmerk, dat het substraat (1) een 5 optisch reflectiesysteem is voor gebruik in een vergrotend of verkleinend weergavesysteem.

4. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat 10. ten minste een tweede positie op de voorzijde (7) van het masker (1) wordt uitgekozen, - telkens de stappen 15 a) het meten van ten minste een tweede waarde voor de betreffende aif- , I \ stand (23) op de ten minste een tweede positie, b) het berekenen van een stralingsdosis op de ten minste een gemeten tweede waarden, en ' 20 c) het lokaal bestralen van de achterzijde (8) op de positie op de achterzijde (8) van het masker (1) die ligt tegenover een tweede positie op de voorzijde (7) met de ten minste een tweede stralingsdosis, 25 herhaald worden, waarbij de eerste berekende en de ten minste ene tweede berekende stralingsdosis telkens verschillende waarden bezitten.

5. Werkwijze volgens conclusies 2 of 4, met het kenmerk, dat het geïdealiseerde vlak (21) gevormd wordt door een oppervlak van een in wezen span- 30 ningsvrij referentiesubstraat (60). 10*4? 99

6. Werkwijze volgens een van de conclusies 2, 4 tot 5, met het kenmerk, dat als afstandmeetapparaat (20) voor het uitvoeren van de meting van de afstand (23) een interferometer wordt gebruikt.

7. Werkwijze volgens een van de conclusie 2,4 tot 6, met het kenmerk, dat als masker (1) een reflectiemasker voor het reflecteren van licht in een golflengtegebied onder 157 nanometer wordt gebruikt, 10. het masker (1) op de voorzijde (7) in een afwisselende stapel (11) lagen bezit, omvattende een periodieke afwisseling lagen uit molybdeen en silicium of molybdeen en beryllium.

8. Werkwijze volgens een van de conclusie 2, 4 tot 7, met het kenmerk, dat 15 op de achterzijde van het masker voor de stap van het bestralen een bekleding (12) wordt aangebracht, als materiaal voor het bekleden van elektrisch geleidend materiaal, in het 20 bijzonder metalen en/of halfgeleiders wordt gebruikt.

9. Werkwijze volgens een van de conclusie 2, 4 tot 8, met het kenmerk, dat - de bestraling door middel van een door de stralingsbron (30) opgewekte 25 ionenstraal (101) voor het doteren van het draagmateriaal (10) of een bekleding op de achterzijde (8) van het masker (1) wordt uitgevoerd, als materiaal voor de ionen ten minste een element uit de groep of argon. bor, arseen, stikstof, antimoon, fosfor, gallium wordt gebruikt. 30

10. Werkwijze volgens een van de conclusie 2, 4 tot 8. met het kenmerk, dat als stralingsbron (30) een laser voor de plaatselijke faseomkering van de rooster- u 2 4 i 9 9 structuur in het draagmateriaal (10) of de bekleding (12) op de achterzijde (8) van masker (1) wordt gebruikt.

11. Inrichting voor het compenseren van een door een mechanische spanning 5 veroorzaakte oneffenheid van een substraat (1) waarbij het substraat (1) een draagmateriaal (10) met een voorzijde (7) en achterzijde (8) bezit en op de voorzijde ten minste een spanningopwekkende laag (11) met het oppervlak (9) is aangebracht, omvattend: 10. een interferometer (20) voor het meten van ten minste een afstand (23) van het oppervlak (9) van het substraat (1) vanaf een geïdealiseerde vlak (21) op ten minste een positie op het oppervlak (9), een stuureenheid (50) voor het berekenen van de stralingsdosis uit de 15 door middel van meting gewonnen waarde van de afstand (23), waarbij , i 1 de stuureenheid (50) verbonden is met de interferometer, een stralingsbron (20) voor het opwekken van een licht-, ionen- of elek-tronenstraal (101) welke met de stuureenheid (50) voor het sturen van de 20 stralingsdosis voor een bestraling van achterzijde (8) van substraat (1) is verbonden, waarbij de opgewekte licht-, ionen- of elektronenstraal (101) een diameter bezit die kleiner is dan een diameter van het substraat bedraagt, 25 een verplaatsingseenheid (40) die het substraat (1), de interferometer (20) en de stralingsbron (30) ten opzichte van elkaar kan bewegen voor het regelen van aantal te meten en te bestralen posities, en met de stuureenheid (50) verbonden is. 241 98