NL1015550C2 - A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor. - Google Patents

A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor. Download PDF

Info

Publication number
NL1015550C2
NL1015550C2 NL1015550A NL1015550A NL1015550C2 NL 1015550 C2 NL1015550 C2 NL 1015550C2 NL 1015550 A NL1015550 A NL 1015550A NL 1015550 A NL1015550 A NL 1015550A NL 1015550 C2 NL1015550 C2 NL 1015550C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
susceptor
core
protective layer
cover layer
sic
Prior art date
Application number
NL1015550A
Other languages
Dutch (nl)
Inventor
Johannes Gerardus Maria Mulder
Marcel Maria Michorius
Original Assignee
Xycarb Ceramics B V
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xycarb Ceramics B V filed Critical Xycarb Ceramics B V
Priority to NL1015550A priority Critical patent/NL1015550C2/en
Priority to PCT/NL2001/000432 priority patent/WO2002000968A1/en
Priority to AU2001264411A priority patent/AU2001264411A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1015550C2 publication Critical patent/NL1015550C2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Description

44

Korte aanduiding: Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, aldus verkregen susceptor en een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat onder toepassing van een 5 dergelijke susceptor.Brief description: Method for the production of a core-built susceptor, thus obtained susceptor and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor.

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor. Verder heeft de onderhavige uitvinding betrekking op een dergelijke 10 susceptor, alsmede op een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat waarbij een halfgeleidersubstraat op een susceptor in een depositiereactor wordt geplaatst en één of meer reactieve gassen aan de depositiereactor worden toegevoerd ter vorming van één of meer actieve lagen op het halfgeleidersubstraat.The present invention relates to a method for manufacturing a susceptor constructed from a core. Furthermore, the present invention relates to such a susceptor, as well as to a method for applying active layers to a semiconductor substrate wherein a semiconductor substrate is placed on a susceptor in a deposition reactor and one or more reactive gases are fed to the deposition reactor to form one or more active layers on the semiconductor substrate.

15 Een dergelijke susceptor is op zich bekend uit bijvoorbeeld de Amerikaanse octrooi schriften 3.980.854 en 4.047.496. Dergelijke susceptors zijn met name geschikt voor de depositie van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal op substraatwafers, zoals voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, bijvoorbeeld geïntegreerde 20 schakelingen. Bij het vervaardigen van dergelijke halfgeleiderinrichtingen wordt als uitgangsmateriaal een epitaxiale laag van silicium op een substraatwafer van bijvoorbeeld silicium toegepast. De epitaxiale siliciumlaag wordt op de siliciumwafer in een chemisch dampdepositieproces (CVD) aangebracht waarbij de wafer wordt verwarmd en de siliciumlaag uit 25 het reactieproduct van een chemische reactie wordt afgezet. In dergelijke reactorovens worden de siliciumwafers op susceptors van grafiet geplaatst en de susceptors worden door middel van hoog frequentie energie of infrarood lampen verwarmd waarna silicium uit de damptoestand niet alleen op de wafers maar ook op de susceptors wordt aangebracht. Andere 30 halfgeleiderfabricageprocessen waarbij susceptors worden toegepast zijn diffusie- en oxidatieprocessen en chemische dampprocessen (CVD) voor het aanbrengen van polysilicium en diëlektrische lagen, zoals Si02, Si3N4, SiOxNy en geleidende lagen zoals WSix, TiN, TaN en TaO. Uit de praktijk is gebleken dat de zuiverheid van de susceptor een grote rol speelt bij de 35 kwaliteit van de te vervaardigen substraatwafers. In het algemeen worden dergelijke susceptors op een andere plaats vervaardigd dan waar zij in 0 2 een dergelijke depositiereactor worden toegepast zodat in de periode tussen het vervaardigen en toepassen hiervan sprake is van een aanzienlijke kans op verontreiniging van het susceptoroppervlak. Het oppervlak kan aldus ongewenst worden verontreinigd in de verschillende stappen van het 5 productieproces, zoals tijdens het afkoelen, tijdens het ontladen, tijdens het interne transport, tijdens de kwaliteitscontrole, tijdens het inpakken, tijdens de opslag en het transport in de verpakking, alsmede gedurende het monteren van de susceptor in de reactor waar deze moet worden toegepast ter vervaardiging van de halfgeleiderinrichtingen.Such a susceptor is known per se from, for example, U.S. Pat. Nos. 3,980,854 and 4,047,496. Such susceptors are particularly suitable for the deposition of epitaxial layers of semiconductor material on substrate wafers, such as for the manufacture of semiconductor devices, for example integrated circuits. In the manufacture of such semiconductor devices, an epitaxial layer of silicon on a substrate wafer of, for example, silicon is used as the starting material. The epitaxial silicon layer is applied to the silicon wafer in a chemical vapor deposition process (CVD) wherein the wafer is heated and the silicon layer is deposited from the reaction product of a chemical reaction. In such reactor furnaces, the silicon wafers are placed on graphite susceptors and the susceptors are heated by means of high-frequency energy or infrared lamps, whereafter silicon from the vapor state is applied not only to the wafers but also to the susceptors. Other semiconductor fabrication processes where susceptors are used are diffusion and oxidation processes and chemical vapor processes (CVD) for applying polysilicon and dielectric layers, such as SiO 2, Si 3 N 4, SiOxNy and conductive layers such as WSix, TiN, TaN and TaO. Practice has shown that the purity of the susceptor plays a major role in the quality of the substrate wafers to be manufactured. In general, such susceptors are manufactured at a location other than where they are used in such a deposition reactor, so that there is a considerable risk of contamination of the susceptor surface during the period between manufacture and use. The surface can thus be undesirably contaminated in the various steps of the production process, such as during cooling, during unloading, during internal transport, during quality control, during packing, during storage and transport in the package, as well as during mounting the susceptor in the reactor where it is to be used to manufacture the semiconductor devices.

10 Het doel van de onderhavige uitvinding is derhalve het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, welke susceptor ongevoelig is voor verontreinigingen van buitenaf, met name gedurende de periode tussen het vervaardigen van de susceptor en het daadwerkelijk positioneren van de susceptor in een productieproces ter vervaardiging 15 van halfgeleiderinrichtingen, zoals substraatwafers.The object of the present invention is therefore to manufacture a susceptor constructed from a core, which susceptor is insensitive to external contaminants, in particular during the period between the manufacture of the susceptor and the actual positioning of the susceptor in a production process for manufacture of semiconductor devices, such as substrate wafers.

Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een susceptor die zonder beschermende maatregelen eenvoudig kan worden toegepast voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.Another object of the present invention is to provide a susceptor that can easily be used for the manufacture of semiconductor devices without protective measures.

Een ander doel van de onderhavige uitvinding is verder 20 het verschaffen van een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat waarbij een halfgeleidersubstraat wordt verkregen dat voldoet aan de op dit moment gestelde hoge kwaliteitseisen ten aanzien van verontreinigingen.Another object of the present invention is further to provide a method for applying active layers to a semiconductor substrate in which a semiconductor substrate is obtained that meets the currently high quality requirements for contaminants.

De in de aanhef vermelde werkwijze wordt volgens de 25 onderhavige uitvinding gekenmerkt doordat in een depositiereactor de kern wordt voorzien van een deklaag, gekozen uit de groep van SiC en A1N, welke deklaag vervolgens wordt voorzien van een beschermingslaag, waarvan de chemische samenstelling een of meer van de elementen Si, 0, C en N omvat, anders dan de chemische samenstelling van de deklaag, ter vervaardiging 30 van de susceptor.The method mentioned in the preamble is characterized according to the present invention in that in a deposition reactor the core is provided with a coating selected from the group of SiC and Al, which coating is subsequently provided with a protective layer, the chemical composition of which is one or more of the elements Si, 0, C and N, other than the chemical composition of the cover layer, for the manufacture of the susceptor.

Het verdient in het bijzonder de voorkeur dat de onderhavige werkwijze zodanig wordt uitgevoerd dat de kern niet uit de depositie-reactor wordt verwijderd tussen het aanbrengen van de deklaag en de beschermingslaag.It is particularly preferred that the present process is carried out such that the core is not removed from the deposition reactor between the application of the cover layer and the protective layer.

35 Het is voor de onderhavige werkwijze in een dergelijke bijzondere uitvoeringsvorm met name van belang dat gedurende het mi RRsn 3 depositieproces ter vervaardiging van de susceptor de stap van het aanbrengen van de deklaag en de stap van het aanbrengen van de beschermingslaag zonder onderbrekingen worden uitgevoerd, hetgeen met name betekent dat de kern niet uit de depositiereactor wordt verwijderd tussen 5 het aanbrengen van de deklaag en de beschermingslaag. Doordat in een dergelijke situatie de kern in de depositiereactor aanwezig blijft, is de kans op tussentijdse vervuiling van buitenaf tot een minimum gereduceerd. In een bepaalde uitvoeringvorm is het daarentegen ook mogelijk de deklaag en de beschermingslaag in een aparte reactor aan te brengen. 10 De onderhavige uitvinders vermoeden dat door het aanbrengen van de beschermingslaag eventueel aanwezige verontreinigingen in de deklaag ten gevolge van diffusie uit de deklaag naar de beschermingslaag worden getransporteerd zodat onder toepassing van de onderhavige uitvinding zelfs een "schonere" deklaag wordt verkregen dan bij de volgens de stand van 15 de techniek bekende susceptor. Doordat bij de volgens de stand van de techniek bekende susceptor de onderhavige beschermingslaag ontbreekt, zullen de eventuele verontreinigingen, die zich aan het oppervlak van de deklaag bevinden, in de richting van de kern diffunderen zodat volgens de huidige stand van de techniek een "vervuilde" susceptor wordt verkregen, 20 hetgeen voor het vervaardigen van halfgeleidersubstraten ongewenst is.It is particularly important for the present method in such a special embodiment that during the deposition process for manufacturing the susceptor the step of applying the cover layer and the step of applying the protective layer are carried out without interruptions, which in particular means that the core is not removed from the deposition reactor between the application of the cover layer and the protective layer. Because the core remains in the deposition reactor in such a situation, the chance of external contamination from outside is reduced to a minimum. In a specific embodiment, on the other hand, it is also possible to arrange the cover layer and the protective layer in a separate reactor. The present inventors suspect that by applying the protective layer any contaminants present in the cover layer as a result of diffusion are transported from the cover layer to the protective layer so that using the present invention even a "cleaner" cover layer is obtained than in the case of the prior art susceptor. Due to the fact that the present protective layer is missing from the susceptor known according to the state of the art, any contaminants present on the surface of the cover layer will diffuse in the direction of the core, so that according to the current state of the art a "contaminated" susceptor is obtained, which is undesirable for the manufacture of semiconductor substrates.

Als geschikte beschermingslaag kunnen worden genoemd: Si02, Si3N4, Si0xNy of Si, of een combinatie van een of meer hiervan.Suitable protective layers may be: SiO 2, Si 3 N 4, SiO x N y or Si, or a combination of one or more of these.

De kern wordt bij voorkeur gekozen uit de groep van grafiet, SiC en SiC met siliciumtoevoeging, of een combinatie hiervan. 25 Het verdient de voorkeur dat de deklaag wordt aangebracht onder toepassing van chemisch opdampen, waarbij in het bijzonder op de kern een deklaag van SiC wordt verkregen door het bij een temperatuur van 1000-1500 °C en een druk van 10-1000 mbar in reactie brengen van een siliciumhoudende precursor, eventueel aangevuld met een 30 koolwaterstofverbinding, waarbij de laagdikte van SiC ligt in het gebied van 1-4000 /vm. Als geschikte precursor wordt in het bijzonder methyltri-chloorsilaan toegepast, in aanwezigheid van argon en/of waterstof.The core is preferably selected from the group of graphite, SiC and SiC with silicon addition, or a combination thereof. It is preferable for the cover layer to be applied using chemical vapor deposition, in particular a coating of SiC being obtained on the core by being reacted at a temperature of 1000-1500 ° C and a pressure of 10-1000 mbar introducing a silicon-containing precursor, optionally supplemented with a hydrocarbon compound, the layer thickness of SiC being in the range of 1-4000 / vm. Methyl trichlorosilane is used in particular in the presence of argon and / or hydrogen as a suitable precursor.

Voor het op de kern aanbrengen van een deklaag van A1N verdient het de voorkeur dat bij een temperatuur van 600-1000 °C en een 35 druk van 10-1000 mbar aluminiumtrichloride en ammoniak, eventueel in 101 5550 m 4 aanwezigheid van argon, waterstof en/of stikstof, in reactie worden gebracht, waarbij de laagdikte van AlN ligt in het gebied van 1-4000 pm.For applying a layer of AlN to the core, it is preferred that at a temperature of 600-1000 ° C and a pressure of 10-1000 mbar aluminum trichloride and ammonia, optionally in the presence of argon, hydrogen and / or nitrogen, with the layer thickness of AlN in the range of 1-4000 µm.

Het verdient met name de voorkeur dat de beschermingslaag wordt aangebracht onder toepassing van chemisch opdampen, waarbij 5 ter verkrijging van een dergelijke beschermingslaag een siliciumhoudende precursor, eventueel aangevuld met een koolstofhoudende precursor, waterstof en/of chloor, bij een temperatuur van 1000-1500 °C en een druk van 10-1000 mbar op de reeds aanwezige deklaag wordt aangebracht in een laagdikte tot 100 pm.It is in particular preferable for the protective layer to be applied using chemical vapor deposition, in order to obtain such a protective layer a silicon-containing precursor, optionally supplemented with a carbon-containing precursor, hydrogen and / or chlorine, at a temperature of 1000-1500 ° C and a pressure of 10-1000 mbar on the already present cover layer is applied in a layer thickness of up to 100 µm.

10 De onderhavige uitvinding heeft verder betrekking op een uit een kern opgebouwde susceptor, welke susceptor volgens de onderhavige uitvinding wordt gekenmerkt doordat de kern achtereenvolgens is voorzien van een deklaag, gekozen uit de groep van SiC en A1N, en een zich op de deklaag bevindende beschermingslaag, waarvan de chemische 15 samenstelling een of meer van de elementen Si, 0, C en N omvat, anders dan de chemische samenstelling van de deklaag, ter vervaardiging van de susceptor. Het verdient met name de voorkeur dat de kern niet uit de depositiereactor is verwijderd tussen het aanbrengen van de deklaag en de beschermingslaag.The present invention further relates to a susceptor constructed from a core, which susceptor according to the present invention is characterized in that the core is successively provided with a cover layer selected from the group of SiC and AlN, and a protective layer located on the cover layer , the chemical composition of which comprises one or more of the elements Si, O, C and N, other than the chemical composition of the cover layer, for the manufacture of the susceptor. It is particularly preferred that the core is not removed from the deposition reactor between the application of the cover layer and the protective layer.

20 Het verdient met name de voorkeur dat de dikte van de deklaag zich bevindt in het gebied van 1-4000 pm, waarbij de dikte van de beschermingslaag zich bij voorkeur bevindt in een gebied tot 100 pm. Een dikte hoger dan de bovengrens zorgt niet voor een aanvullende werking.It is particularly preferred that the thickness of the cover layer is in the range of 1-4000 µm, the thickness of the protective layer preferably being in the range of up to 100 µm. A thickness higher than the upper limit does not provide additional effect.

De onderhavige uitvinding heeft verder betrekking op 25 een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersub-straat, waarbij een halfgeleidersubstraat op een susceptor in een depositiereactor wordt geplaatst en één of meer reactieve gassen aan de depositiereactor worden toegevoerd ter vorming van één of meer actieve lagen op het halfgeleidersubstraat, welke werkwijze volgens de onderhavige 30 uitvinding wordt gekenmerkt doordat deze de volgende stappen omvat: i) Het in de depositiereactor positioneren van de onderhavige susceptor, of de susceptor verkregen volgens de onderhavige werkwijze, ii) Het door middel van etsen verwijderen van de 35 beschermingslaag van de susceptor, 1 n1ςςςη 9 5 iii) Het op de van de beschermingslaag ontdane susceptor plaatsen van het halfgeleidersubstraat, en iv) Het aan de depositiereactor toevoeren van één of meer reactieve gassen ter vorming van één of meer actieve lagen op het 5 halfgeleidersubstraat, waarbij stappen i)-iv) zonder onderbrekingen in dezelfde depositiereactor worden uitgevoerd.The present invention further relates to a method for applying active layers to a semiconductor substrate, wherein a semiconductor substrate is placed on a susceptor in a deposition reactor and one or more reactive gases are supplied to the deposition reactor to form one or more active layers on the semiconductor substrate, which method according to the present invention is characterized in that it comprises the following steps: i) Positioning the present susceptor in the deposition reactor, or the susceptor obtained according to the present method, ii) Etching removing the protective layer from the susceptor, 1 n1ςςςη 9 5 iii) Placing the semiconductor substrate on the susceptor stripped of the protective layer, and iv) Feeding one or more reactive gases to the deposition reactor to form one or more active layers on the semiconductor substrate, wherein steps i) -i (v) be conducted in the same deposition reactor without interruption.

Doordat de hiervoorgenoemde stap i)-i v) zonder onderbrekingen in dezelfde depositiereactor worden uitgevoerd, is de kans 10 op verontreinigingen geminimaliseerd zodat de kwaliteit van het aldus vervaardigde halfgeleidersubstraat hoog is. Met de term "zonder onderbrekingen" wordt in de onderhavige beschrijvingsinleiding bedoeld dat tussen de stap van het door middel van etsen verwijderen van de beschermingslaag van de susceptor en het vervolgens hierop plaatsen van 15 het halfgeleidersubstraat geen contact met de omgeving buiten de depositiereactor mogelijk is. Een dergelijk contact wordt namelijk als nadelig ervaren voor de zuiverheid van het na het etsen verkregen schone oppervlak van de susceptor.Because the aforementioned steps i) -i v) are carried out in the same deposition reactor without interruptions, the chance of contamination is minimized so that the quality of the semiconductor substrate thus produced is high. With the term "without interruptions" is meant in the present description of introduction that between the step of removing the protective layer from the susceptor by etching and subsequently placing the semiconductor substrate thereon, contact with the environment outside the deposition reactor is not possible. Namely, such a contact is experienced as detrimental to the purity of the clean surface of the susceptor obtained after etching.

Het verdient met name de voorkeur dat stap ii) wordt 20 uitgevoerd onder toepassing van een halogeen bevattend gas, bij een temperatuur in het gebied van 100-1300 °C, eventueel onder activering met behulp van een plasma.It is particularly preferred that step ii) be carried out using a halogen-containing gas, at a temperature in the range of 100-1300 ° C, optionally with activation by means of a plasma.

Het moet duidelijk zijn dat de onderhavige uitvinding met name moet worden gezien in het direct op een kern achtereenvolgens 25 aanbrengen van een deklaag en een beschermingslaag waardoor eventuele verontreinigingen op het oppervlak van de deklaag worden geminimaliseerd, welke beschermingslaag tenslotte van de susceptor wordt verwijderd op een moment dat het gewenste halfgeleidersubstraat wordt vervaardigd.It is to be understood that the present invention is to be seen in particular in the successive application of a cover layer and a protective layer directly to a core, whereby any impurities on the surface of the cover layer are minimized, which protective layer is finally removed from the susceptor on a moment that the desired semiconductor substrate is manufactured.

101 5550101 5550

Claims (20)

1. Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, met het kenmerk, dat in een depositiereactor de kern 5 wordt voorzien van een deklaag, gekozen uit de groep van SiC en A1N, welke deklaag vervolgens wordt voorzien van een beschermingslaag, waarvan de chemische samenstelling een of meer van de elementen Si, 0, C en N omvat, anders dan de chemische samenstelling van de deklaag, ter vervaardiging van de susceptor.Method for manufacturing a susceptor constructed from a core, characterized in that in a deposition reactor the core 5 is provided with a cover layer selected from the group of SiC and AlN, which cover layer is then provided with a protective layer, of which the chemical composition comprises one or more of the elements Si, 0, C and N, other than the chemical composition of the cover layer, for the manufacture of the susceptor. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de kern niet uit de depositie-reactor wordt verwijderd tussen het aanbrengen van de deklaag en de beschermingslaag.Method according to claim 1, characterized in that the core is not removed from the deposition reactor between the application of the cover layer and the protective layer. 3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als beschermingslaag Si02, Si3N4, Si0xNy of Si, of een combinatie van een 15 of meer hiervan wordt toegepast.3. Method according to claim 1, characterized in that SiO 2, Si 3 N 4, SiO x N y or Si, or a combination of one or more of them, is used as the protective layer. 4. Werkwijze volgens conclusies 1-3, met het kenmerk, dat de kern wordt gekozen uit de groep van grafiet, SiC en SiC met silicium-toevoeging, of een combinatie hiervan.Method according to claims 1-3, characterized in that the core is selected from the group consisting of graphite, SiC and SiC with silicon addition, or a combination thereof. 5. Werkwijze volgens conclusies 1-4, met het kenmerk, dat 20 de deklaag wordt aangebracht onder toepassing van chemisch opdampen.5. Method as claimed in claims 1-4, characterized in that the cover layer is applied using chemical vapor deposition. 6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat op de kern een deklaag van SiC wordt verkregen door het bij een temperatuur van 1000-1500 °C en een druk van 10-1000 mbar in reactie brengen van een sil iciumhoudende precursor, eventueel aangevuld met een koolwaterstofver- 25 binding, waarbij de laagdikte van SiC ligt in het gebied van 1-4000 μιη.Method according to claim 5, characterized in that a coating of SiC is obtained on the core by reacting a silicon-containing precursor, optionally at a temperature of 1000-1500 ° C and a pressure of 10-1000 mbar supplemented with a hydrocarbon compound, wherein the layer thickness of SiC is in the range of 1-4000 μιη. 7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat als precursor methyl trichloorsilaan wordt toegepast in aanwezigheid van argon en/of waterstof.Method according to claim 6, characterized in that methyl trichlorosilane is used as precursor in the presence of argon and / or hydrogen. 8. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat 30 op de kern een deklaag van A1N wordt verkregen door het bij een temperatuur van 600-1000 °C en een druk van 10-1000 mbar in reactie brengen van aluminiumtrichloride en ammoniak, eventueel in aanwezigheid van argon, waterstof en/of stikstof, waarbij de laagdikte van A1N ligt in het gebied van 1-4000 μπι. 1015550 *8. A method according to claim 5, characterized in that a coating of AlN is obtained on the core by reacting aluminum trichloride and ammonia, optionally at a temperature of 600-1000 ° C and a pressure of 10-1000 mbar in the presence of argon, hydrogen and / or nitrogen, the layer thickness of A1N being in the range of 1-4000 μπι. 1015550 * 9. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de beschermingslaag wordt aangebracht onder toepassing van chemisch opdampen.The method according to claim 1, characterized in that the protective layer is applied using chemical vapor deposition. 10. Werkwijze volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat 5 ter verkrijging van de beschermingslaag een siliciumhoudende precursor, eventueel aangevuld met een koolstofhoudende precursor, waterstof en/of chloor, bij een temperatuur van 1000-1500 °C en een druk van 10-1000 mbar op de reeds aanwezige deklaag wordt aangebracht in een laagdikte tot 100 |Um.10. A method according to claim 9, characterized in that, to obtain the protective layer, a silicon-containing precursor, optionally supplemented with a carbon-containing precursor, hydrogen and / or chlorine, at a temperature of 1000-1500 ° C and a pressure of 10- 1000 mbar on the existing coating is applied in a layer thickness of up to 100 µm. 11. Susceptor, opgebouwd uit een kern, met het kenmerk, dat de kern achtereenvolgens is voorzien van een deklaag, gekozen uit de groep van SiC en AlN en een zich op de deklaag bevindende beschermingslaag, waarvan de chemische samenstelling een of meer van de elementen Si, O, C en N omvat, anders dan de chemische samenstelling van de deklaag, ter 15 vervaardiging van de susceptor.11. A susceptor constructed from a core, characterized in that the core is successively provided with a cover layer selected from the group of SiC and AlN and a protective layer on the cover layer, the chemical composition of which comprises one or more of the elements Si, O, C and N comprises, other than the chemical composition of the coating, for the manufacture of the susceptor. 12. Susceptor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de kern niet uit de depositie-reactor is verwijderd tussen het aanbrengen van de deklaag en de beschermingslaag.The susceptor according to claim 11, characterized in that the core is not removed from the deposition reactor between the application of the cover layer and the protective layer. 13. Susceptor volgens conclusie 11-12, met het kenmerk, 20 dat als beschermingslaag Si02, Si3N4, Si0xNy of een combinatie van een of meer hiervan is toegepast.13. Susceptor according to claims 11-12, characterized in that SiO 2, Si 3 N 4, SiO x N y or a combination of one or more of these is used as the protective layer. 14. Susceptor volgens conclusies 11-13, met het kenmerk, dat de kern is gekozen uit de groep van grafiet, SiC en SiC met silicium-toevoeging, of een combinatie hiervan.A susceptor according to claims 11-13, characterized in that the core is selected from the group consisting of graphite, SiC and SiC with silicon addition, or a combination thereof. 15. Susceptor volgens conclusies 11-14 met het kenmerk, dat de dikte van de deklaag zich bevindt in het gebied van 1-4000 μτη.The susceptor according to claims 11-14, characterized in that the thickness of the cover layer is in the range of 1-4000 μτη. 16. Susceptor volgens conclusies 11-15, met het kenmerk, dat de dikte van de beschermingslaag zich bevindt in een gebied tot 100 μπι.A susceptor according to claims 11-15, characterized in that the thickness of the protective layer is in a range of up to 100 μπι. 17. Werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een 30 halfgeleidersubstraat waarbij een halfgeleidersubstraat op een susceptor in een depositiereactor wordt geplaatst en één of meer reactieve gassen aan de depositiereactor worden toegevoerd ter vorming van één of meer actieve lagen op het halfgeleidersubstraat, met het kenmerk, dat de werkwijze de volgende stappen omvat: 1 n1ςςςη i) Het in de depositiereactor positioneren van de susceptor volgens conclusies 11-16, of de susceptor verkregen volgens de werkwijze beschreven in conclusies 1-10, ii) Het door middel van etsen verwijderen van de 5 beschermingslaag van de susceptor, iii) Het op de van de beschermingslaag ontdane susceptor plaatsen van het halfgeleidersubstraat, en iv) Het aan de depositiereactor toevoeren van één of meer reactieve gassen ter vorming van één of meer actieve lagen op het 10 halfgeleidersubstraat, waarbij stappen i)-iv) zonder onderbrekingen in dezelfde depositiereactor worden uitgevoerd.17. Method for applying active layers to a semiconductor substrate wherein a semiconductor substrate is placed on a susceptor in a deposition reactor and one or more reactive gases are supplied to the deposition reactor to form one or more active layers on the semiconductor substrate, characterized in , the method comprising the following steps: 1) Placing the susceptor according to claims 11-16 in the deposition reactor, or the susceptor obtained according to the method described in claims 1-10, ii) Etching removal of the protective layer of the susceptor, iii) Placing the semiconductor substrate on the susceptor stripped of the protective layer, and iv) Feeding one or more reactive gases to the deposition reactor to form one or more active layers on the semiconductor substrate, wherein steps i) -iv) are conducted in the same deposition reactor without interruption rd. 18. Werkwijze volgens conclusie 17, met het kenmerk, dat stap ii) wordt uitgevoerd onder toepassing van een halogeenbevattend gas.A method according to claim 17, characterized in that step ii) is carried out using a halogen-containing gas. 19. Werkwijze volgens conclusies 17-18, met het kenmerk, dat stap ii) wordt uitgevoerd onder activering met behulp van een plasma.A method according to claims 17-18, characterized in that step ii) is carried out under activation with the aid of a plasma. 20. Werkwijze volgens conclusies 17-19, met het kenmerk, dat stap ii) wordt uitgevoerd bij een temperatuur liggend in het gebied van 100-1300 °C. 1Π1Rzzn SAMENWERKINGSVERDRAG (PCT) RAPPORT BETREFFENDE NIEUWHEIDSONDERZOEK VAN INTERNATIONAAL TYPE IDENTIFICATIE VAN DE NATIONALE AANVRAGE KENMERK VAN DE AANVRAGER OF VAN DE GEMACHTIGDE 41939/AB/mvl Nederlands aanvraag nr. Indieningsdatum 1015550 28 juni 2000 Ingeroepen voorrangsdatum Aanvrager (Naam) Xycarb Ceramics B.V. Datum van het verzoek voor een onderzoek van Door de Instantie voor Internationaal Onderzoek (ISA) aan internationaal type het verzoek voor een onderzoek van internationaal type toegekendnr-SN 35726 NL I. CLASSIFICATIE VAN HET ONDERWERP (bij toepassing van verschillende classificaties, alle dassificatiesymbolen opgeven) Volgens de internationale classificatie (IPC) lnt.CI.7: Q30B25/12 C23C16/458 II. ONDERZOCHTE GEBIEDEN VAN DE TECHNIEK Onderzochte minimum documentatie Classificatiesysteem dassificatiesymbolen lnt.CI.7: C23C C30B Onderzochte andere documentatie dan de minimum documentatie, voor zover dergelijke documenten in de onderzochte gebieden zijn opgenomen III. □ GEEN ONDERZOEK MOGELIJK VOOR BEPAALDE CONCLUSIES (opmerkingen op aanvullingsblad)_ IV. □ GEBREK AAN EENHEID VAN UITVINDING (opmerkingen op aanvullingsblad) Form PCT/ISA 201 a (11/2000)A method according to claims 17-19, characterized in that step ii) is carried out at a temperature in the range of 100-1300 ° C. 1Π1Rzzn COOPERATION TREATY (PCT) REPORT ON NEWNESS RESEARCH OF INTERNATIONAL TYPE IDENTIFICATION OF THE NATIONAL APPLICATION FEATURE OF THE APPLICANT OR OF THE AUTHORIZED 41939 / AB / mvl Dutch application no. Date of request for an international type examination by International Institution (ISA) request for an international type type assignment no-SN 35726 EN I. CLASSIFICATION OF THE SUBJECT (when applying different classifications, state all tie-down symbols) According to the international classification (IPC) lnt.CI.7: Q30B25 / 12 C23C16 / 458 II. TECHNICAL FIELDS EXAMINED Minimum Documentation Examined Dassification Symbols Classification System lnt.CI.7: C23C C30B Documentation other than the minimum documentation examined, insofar as such documents are included in the investigated areas III. □ NO INVESTIGATION POSSIBLE FOR CERTAIN CONCLUSIONS (comments on supplement sheet) _ IV. □ LACK OF UNIT OF INVENTION (comments on supplement sheet) Form PCT / ISA 201 a (11/2000)
NL1015550A 2000-06-28 2000-06-28 A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor. NL1015550C2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015550A NL1015550C2 (en) 2000-06-28 2000-06-28 A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor.
PCT/NL2001/000432 WO2002000968A1 (en) 2000-06-28 2001-05-31 A method for manufacturing a susceptor, a susceptor thus obtained and its application
AU2001264411A AU2001264411A1 (en) 2000-06-28 2001-06-01 A method for manufacturing a susceptor, a susceptor thus obtained and its application

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015550A NL1015550C2 (en) 2000-06-28 2000-06-28 A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor.
NL1015550 2000-06-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1015550C2 true NL1015550C2 (en) 2002-01-02

Family

ID=19771614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1015550A NL1015550C2 (en) 2000-06-28 2000-06-28 A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor.

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2001264411A1 (en)
NL (1) NL1015550C2 (en)
WO (1) WO2002000968A1 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9711334B2 (en) 2013-07-19 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9869013B2 (en) 2014-04-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3980854A (en) * 1974-11-15 1976-09-14 Rca Corporation Graphite susceptor structure for inductively heating semiconductor wafers
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
JPS62123094A (en) * 1985-11-22 1987-06-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Susceptor for vapor growth of semiconductor
EP0235570A1 (en) * 1986-01-30 1987-09-09 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor
EP0595054A1 (en) * 1992-10-30 1994-05-04 Applied Materials, Inc. Method for processing semiconductor wafers at temperatures exceeding 400 degrees C.
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
US5851298A (en) * 1996-02-01 1998-12-22 Tokyo Electron Limited Susceptor structure for mounting processing object thereon
JPH11157989A (en) * 1997-11-25 1999-06-15 Toyo Tanso Kk Susceptor for gas phase growth and its production

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US3980854A (en) * 1974-11-15 1976-09-14 Rca Corporation Graphite susceptor structure for inductively heating semiconductor wafers
JPS62123094A (en) * 1985-11-22 1987-06-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Susceptor for vapor growth of semiconductor
EP0235570A1 (en) * 1986-01-30 1987-09-09 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor
EP0595054A1 (en) * 1992-10-30 1994-05-04 Applied Materials, Inc. Method for processing semiconductor wafers at temperatures exceeding 400 degrees C.
US5851298A (en) * 1996-02-01 1998-12-22 Tokyo Electron Limited Susceptor structure for mounting processing object thereon
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
JPH11157989A (en) * 1997-11-25 1999-06-15 Toyo Tanso Kk Susceptor for gas phase growth and its production

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 011, no. 349 (C - 456) 14 November 1987 (1987-11-14) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 11 30 September 1999 (1999-09-30) *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002000968A1 (en) 2002-01-03
AU2001264411A1 (en) 2002-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11056385B2 (en) Selective formation of metallic films on metallic surfaces
NL1015550C2 (en) A method for manufacturing a core-built susceptor, thus-obtained susceptor, and a method for applying active layers to a semiconductor substrate using such a susceptor.
EP0691420B1 (en) Plasma cleaning process employing a plasma-inert cover
EP0636704B1 (en) Silicon nitride deposition
EP0630990B1 (en) Method of limiting sticking of body to a susceptor in a deposition treatment
KR100716325B1 (en) Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber
KR102293637B1 (en) Method and system for selectively forming film
US6639312B2 (en) Dummy wafers and methods for making the same
JPH0530299B2 (en)
WO2020189288A1 (en) Film formation method and film formation apparatus
EP1138801B1 (en) Method of forming thin film onto semiconductor substrate
JP2009200142A (en) Film forming device and film forming method
JP3602443B2 (en) Semiconductor element manufacturing method
WO2020184284A1 (en) Film formation method and film formation device
JP2007073628A (en) Method and device for manufacturing semiconductor
JP3576828B2 (en) Etching method and substrate processing apparatus
JP4769638B2 (en) Atomic layer growth method
JPH10125603A (en) Working of semiconductor wafer
KR20020096860A (en) Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device and processing a substrate
JP3221530B2 (en) Processing method of object to be processed and vacuum processing apparatus
JP3905726B2 (en) Cleaning method for cold wall forming film processing apparatus
JP2000243706A (en) Forming method of cvd film and dummy wafer
JPS63144537A (en) Wafer transfer device
JP2005068456A (en) Film-forming method
JPH0831816A (en) Method and device for forming film by using organic silicon source and production of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
MK Patent expired because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20200627