JPS63144537A - Wafer transfer device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はウェハ搬送装置に関する。更に詳細には、本発
明はウェハに異物等が付着しに＜＜、かつ、ウェハ表面
の膜にクラックが発生しにくいウェハ搬送装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer transfer device. More specifically, the present invention relates to a wafer transfer device that prevents foreign matter from adhering to the wafer and prevents cracks from occurring in the film on the wafer surface.
［従来の技術］
薄膜の形成方法としてゝｉ導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ
：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ
ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス伏物質を化
学反応で固体物質にし、基板」二に堆積することをいう
。[Prior Art] One of the methods widely used in the i-conductor industry for forming thin films is chemical vapor deposition (CVD).
:Chemical Vapor Depos i
t 1on). CVI) refers to converting a gaseous substance into a solid substance through a chemical reaction and depositing it on a substrate.
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高く、ＳＸやＳ ｉ 、Ｉｚの熱
酸化膜、を−に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。Characteristics of CVD are that various thin films can be obtained at deposition temperatures considerably lower than the melting point of the thin film to be grown;
The purity of the grown thin film is high, and the electrical characteristics are stable even when grown as a negative thermal oxide film of SX, Si, or Iz, so it is widely used as a passivation film on the surface of a semiconductor.
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００℃−５００℃
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋
０２．またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨＪ ＋０２）を供給し
て行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内の
ウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２ある
いはフォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）またはボロ
シリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成する。また、
５ｉ０２とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜が行われる
こともある。更に、モリブデン、タングステンあるいは
タングステンシリサイド等の金属薄膜の形成にも使用で
きる。Thin film formation by CVD is performed at a temperature of approximately 400°C to 500°C, for example.
A reactive gas (for example, 5iHq+
02. or S i H4+PHJ +02). The above reaction gas is blown onto the wafer in a reactor (belljar) to form a thin film of 5i02 or phosphorus silicate glass (PSG) or borosilicate glass (BSG) on the surface of the wafer. Also,
Two-layer film formation of 5i02 and PSG or BSG may be performed. Furthermore, it can also be used to form metal thin films such as molybdenum, tungsten or tungsten silicide.
［発明が解決しようとする問題点コ
この上うなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置は例えば、第３図および第４図
にボされるように、反応炉（ベルジャ）１００の内部に
回転駆動可能、または自公転可能な円盤状のウェハ載置
台またはサセプタ１０１を設置すると共に１−記つエバ
載置台の上に被加工物であるウェハ１０２を供給し、成
膜処理の済んだウェハを搬出するウェハ搬送装置１０３
を設けて構成されている。史に、反応炉外には前記ウェ
ハ搬送機構にウェハを供給したり、ウェハ搬送機構によ
り搬送されぞきたウェハを収納するためのウェハカート
リッジ１０４が配設されている。[Problems to be Solved by the Invention] In addition, the apparatus conventionally used to perform thin film forming operations by CVD is, for example, a reactor (bell jar) as shown in FIGS. 3 and 4. ) A disk-shaped wafer mounting table or susceptor 101 that can be rotated or rotated around its axis is installed inside the evaporator 100, and a wafer 102, which is a workpiece, is supplied onto the evaporator mounting table 1-, and the film is formed. Wafer transport device 103 that carries out processed wafers
It is configured with the following. Historically, a wafer cartridge 104 is provided outside the reactor for supplying wafers to the wafer transport mechanism and storing wafers that have been transported by the wafer transport mechanism.
また、反応炉内へウェハを供給し、あるいは、反応炉か
らウェハを搬出するためのゲート部１０５が反応炉に突
設されている。Further, a gate portion 105 is provided protruding from the reactor for supplying wafers into the reactor or carrying out wafers from the reactor.
従来の装置はウェハを室温（約２５℃）の状態で、塵埃
の多い雰囲気中を搬送していた。ウェハの温度が室温と
同程度の状態では異物がウェハに付着しやすい傾向があ
った。このため、雰囲気中の浮遊塵埃がウェハに付着し
、異物の増加を招いていた。Conventional equipment transports wafers at room temperature (approximately 25° C.) through a dusty atmosphere. When the wafer temperature was about the same as room temperature, foreign substances tended to adhere to the wafer. Therefore, floating dust in the atmosphere adheres to the wafer, leading to an increase in foreign matter.
反応炉内は一般的に４００〜１０００℃程度の高温であ
る。室温状態からいきなり高温の反応炉内へウェハを搬
入すると、ウェハは激しい温度差に曝されることとなる
。一般的に、ウェハは温度差に対して極めて脆弱である
。ウェハを急熱あるいは急冷すると、ウェハに熱応力に
基づく“反り”が発生したり、スリップラインなどの結
晶欠陥が発生する。The inside of the reactor is generally at a high temperature of about 400 to 1000°C. When a wafer is suddenly transferred from a room temperature state into a high-temperature reactor, the wafer is exposed to a large temperature difference. Generally, wafers are extremely sensitive to temperature differences. When a wafer is rapidly heated or cooled, "warpage" occurs in the wafer due to thermal stress, and crystal defects such as slip lines occur in the wafer.
成膜反応処理後のウェハの搬出において、人気および冷
却器によりウェハを急冷していた。このため、熱応力起
因によりＣＶＤ膜にクラックが発生していた。When carrying out the wafer after the film-forming reaction process, the wafer is rapidly cooled using a cooler. Therefore, cracks were generated in the CVD film due to thermal stress.
従って、本発明の目的はウェハに異物等が付着しにり＜
、かつ、ウェハに“反り”が発生したり、ウェハ表面の
膜にクラックが発生しに（いウェハ搬送装置を提供する
ことである。Therefore, an object of the present invention is to prevent foreign matter from adhering to the wafer.
It is an object of the present invention to provide a wafer transport device that does not cause "warpage" in the wafer or cracks in the film on the wafer surface.
［問題点を解決するためゐ手段］。[Means to solve the problem].
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成す
るための手段として、この発明は、気相反応装置の反応
炉へウェハをロードし、あるいは反応炉からウェハをア
ンロードするためのウェハ搬送装置において、該搬送装
置はウェハを加熱し、あるいは徐冷する機構を有し、か
つ、クリーンボックス内に収容されていることを特徴と
するウェハ搬送装置を提供する。In order to solve the above-mentioned problems and achieve the objects of the present invention, the present invention provides a method for loading wafers into or unloading wafers from the reactor of a gas phase reactor. The present invention provides a wafer transport device characterized in that the transport device has a mechanism for heating or gradually cooling a wafer, and is housed in a clean box.
［作用］
前記のように、本発明のウェハ搬送ｓ装置においては、
ウェハの急熱および急冷を防ぐために、加熱あるいは徐
冷機構を有し、該ウェハ搬送装置は常に正圧に維持され
たクリーンボックス内に収容されている。[Operation] As mentioned above, in the wafer transfer device of the present invention,
In order to prevent rapid heating and cooling of the wafer, a heating or slow cooling mechanism is provided, and the wafer transport device is housed in a clean box that is always maintained at positive pressure.
従って、ウェハを反応炉ヘロードする場合、予め加熱し
ておき、また、逆にウェハを反応炉からアンロードする
場合は、ウェハを徐々に冷却しなからウェハカートリッ
ジへ収納する。Therefore, when loading a wafer into a reactor, the wafer is heated in advance, and conversely, when unloading a wafer from the reactor, the wafer is gradually cooled before being stored in a wafer cartridge.
かくして、ウェハに“反り”や結晶欠陥が発生したり、
あるいはＣＶＩ）ＩＩＡにクラックが発生することを効
果的に防１１乙できる。その結果、半導体素ｒ・の製造
歩留りを高めることができる。In this way, "warpage" and crystal defects occur in the wafer,
Alternatively, cracks can be effectively prevented from occurring in CVI) IIA. As a result, the manufacturing yield of semiconductor elements r can be increased.
［実施例］
以下、図面を参！１．（Ｉ Ｌながら本発明の一実施例
について史に詳細に説明する。[Example] See the drawings below! 1. (IL) An embodiment of the present invention will now be described in detail.
第１図は本発明のウェハ搬送装置の概要平面図であり、
第２図は■−■線に沿った＊＊断面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of the wafer transfer device of the present invention,
FIG. 2 is a ** cross-sectional view taken along the line ■-■.
説明の便宜」二、本発明のウェハ搬送装置を常圧型ＣＶ
Ｄ装置用とする。"For convenience of explanation" 2. The wafer transfer device of the present invention is a normal pressure type CV
For use with D device.
第１図にｊ（＜されるように、本発明のウェハ搬送装置
ｌはＣｖＤ装置の反応炉３のゲート部５に向かい合わせ
に隣接して配設されている。As shown in FIG. 1, the wafer transfer device 1 of the present invention is disposed adjacent to and facing the gate portion 5 of the reactor 3 of the CvD device.
ウェハ搬送装置１はウェハを反応炉へ搬入するためのロ
ーダ側ウェハ搬送系１０と、成膜処理されたウェハを反
応炉から搬出するためのアンローダ側ウェハ搬送系２０
との二本立てにすることができる。しかし、一本立てで
ローダ側とアンローダ側の両方を兼ねさせるともできる
。The wafer transport device 1 includes a loader-side wafer transport system 10 for transporting wafers into a reactor, and an unloader-side wafer transport system 20 for transporting wafers subjected to film formation from the reactor.
It can be made into a double feature. However, it is also possible to have a single unit serve as both the loader side and the unloader side.
本発明のウェハ搬送装置は、ウェハ７を収納するための
ウェハカートリッジ部３０と、ウェハを予備加熱または
徐冷しながら搬送するためのウェハ搬送部４０と、この
搬送部からウェハを受は取り反応炉内へウェハを搬入し
たり、逆に反応炉内からウェハを搬出し搬送部へウェハ
を渡すためのウェハ移送フォーク５０とからなり、少な
くとも前記ウェハカートリッジ部３０とウェハ搬送部４
０は常にクリーンボックス６０内に収容されている。た
だし、ウェハカートリッジの使用は必要に応じて杼えば
よく、必ずしも必須要件ではない。The wafer transport device of the present invention includes a wafer cartridge section 30 for storing the wafer 7, a wafer transport section 40 for transporting the wafer while preheating or slow cooling, and a wafer transport section 40 for receiving and reacting the wafer from the transport section. It consists of a wafer transfer fork 50 for carrying the wafer into the reactor, or vice versa, for carrying the wafer out of the reactor and passing the wafer to the transfer section, and includes at least the wafer cartridge section 30 and the wafer transfer section 4.
0 is always housed in the clean box 60. However, the use of a wafer cartridge may be carried out as needed and is not necessarily an essential requirement.
しかし、カセットツーカセット形式で処理すると作業能
率が著しく向上されるので使用することが好ましい。However, processing in a cassette-to-cassette format significantly improves work efficiency and is therefore preferably used.
ウェハカートリッジ部３０からウェハ搬送部４０へウェ
ハを送るには常圧のベルト搬送機構３２等を使用できる
。これ以外の例えば、空気搬送あるいは機械的搬送機構
等も使用できる。To transport the wafer from the wafer cartridge section 30 to the wafer transport section 40, an atmospheric pressure belt transport mechanism 32 or the like can be used. Other mechanisms such as pneumatic conveyance or mechanical conveyance mechanisms may also be used.
ウェハ搬送部４０はウェハ７を載置できる幅の金属製の
薄い羽を縦または横に連ねて構成された、キャタピラ様
の無端搬送ベルト４２と、このベルトの間に所定の間隔
で配設された加熱手段４４ａ。The wafer conveyance section 40 is arranged at a predetermined interval between a caterpillar-like endless conveyance belt 42, which is formed by vertically or horizontally arranging thin metal wings with a width that can hold the wafer 7, and this belt. heating means 44a.
４４ｂおよび４４ｃとを有する。無端搬送ベルト４２は
ウェハを掛は渡すことのできる幅に調節された二本の平
行な金属製チェーンにより構成することもできる。44b and 44c. The endless conveyor belt 42 can also be constituted by two parallel metal chains whose width is adjusted to allow wafers to be hung and passed.
加熱手段の配設個数自体は本発明の必須要件ではない。The number of heating means itself is not an essential requirement of the present invention.
ウェハ搬送部の長さ、および、ウェハの予備加熱あるい
は徐冷の程度等の因子を考慮して決定することができる
。予備加熱の場合には、ウェハカートリッジ部側からゲ
ート部側へ向かって徐々に温度が−１−昇するように加
熱手段を構成し、一方、徐冷の場合にはゲート部側から
ウェハカートリッジ部側へ向かって徐々に温度が下がる
ように構成する。従って、加熱手段を複数個配設する場
合には、各加熱り段の出力を各目的に合わせて、ｋ３す
るか、または低下するように適宜調節可能に構成するこ
とが好ましい。It can be determined by taking into consideration factors such as the length of the wafer transport section and the degree of preheating or slow cooling of the wafer. In the case of preheating, the heating means is configured so that the temperature gradually increases by -1- from the wafer cartridge side to the gate side, while in the case of slow cooling, the temperature increases from the gate side to the wafer cartridge side. The structure is such that the temperature gradually decreases toward the sides. Therefore, when a plurality of heating means are provided, it is preferable that the output of each heating stage can be adjusted to k3 or decreased depending on the purpose.
加熱および徐冷機構としては電熱線ヒータ、遠赤外線ヒ
ータまたはマイクロウェーブ等を使用できる。As the heating and slow cooling mechanism, an electric wire heater, a far-infrared heater, a microwave, or the like can be used.
ウェハ搬送部４０により予備加熱されながら搬送されて
きたウェハ７は常用の移し替え手段（図示されていない
）によりウェハ移送フォーク５０に移される。移し替え
手段としては、例えば、突きヒげ機構またはチャック機
構等を使用できる。The wafer 7, which has been preheated and transported by the wafer transport section 40, is transferred to the wafer transfer fork 50 by a commonly used transfer means (not shown). As the transfer means, for example, a thrust mechanism or a chuck mechanism can be used.
このような機構は当業者に周知である。Such mechanisms are well known to those skilled in the art.
ウェハ移送フォーク５０のウェハ載ｊ６面の下部には保
温り段５２が配設されている。ウェハ搬送部４０により
予備加熱されたウェハ７は移送フォークの保温手段で保
温されながら反応炉内に搬入される。反応炉から搬出さ
れる場合には、炉内で高温に維持されていたウェハが人
気で急冷されないように移送フォークの保温手段で保温
する。A heat retaining step 52 is disposed below the wafer mounting surface of the wafer transfer fork 50 . The wafer 7 preheated by the wafer transfer section 40 is carried into the reactor while being kept warm by the heat insulating means of the transfer fork. When the wafers are transported out of the reactor, they are kept warm by the heat insulating means of the transfer fork so that the wafers, which were maintained at a high temperature in the reactor, are not rapidly cooled down.
ウェハ移送フォーク５０から反応炉内のウェハ載置台９
へのウェハの受は渡し、あるいは、逆に、ウェハ載ｒＭ
台９からフォーク５０へのウェハの受は渡しは、載置
台内部に配設された常用の突きヒげ機構（図示されてい
ない）等により行うことができる。From the wafer transfer fork 50 to the wafer mounting table 9 in the reactor
The wafer is transferred to the wafer, or conversely, the wafer is placed on the
The wafer can be received and transferred from the table 9 to the fork 50 by a commonly used push-button mechanism (not shown) provided inside the mounting table.
ウェハ移送フォーク５０はクリーンボックス６０の外部
に出ると大気中の塵埃に曝されるが、保温１段５２でウ
ェハを保温しながら人気中を移動するので、加熱された
ウェハから−Ｉ−’ｙｆ気流が発生し、大気中の塵埃は
このｌ−昇気流に乗ってウェハの１１空に舞上げられて
しまう。かくして、塵埃の比較的に多い人気中を剥出し
のままウェハを移送しても塵埃が付着することは殆どな
い。When the wafer transfer fork 50 exits the clean box 60, it is exposed to dust in the atmosphere, but since the wafer transfer fork 50 moves around while keeping the wafer warm in the first heat insulation stage 52, -I-'yf is removed from the heated wafer. An air current is generated, and dust in the atmosphere is carried by this rising air current and is blown up above the wafer. In this way, even if a bare wafer is transferred through a relatively dusty area, there is little chance of dust adhering to the wafer.
特に、反応炉のゲート部を開放すると炉内の浮遊酸化物
フレーク等の塵埃がゲート部から熱遊動により炉外へ吹
き出されてくる。このような吹き出し異物も加熱ウェハ
からの−Ｆ、ケｌ気流に乗って巻き１−げられ、ウェハ
に付着することは効果的に防１トされる。In particular, when the gate of the reactor is opened, dust such as floating oxide flakes inside the reactor is blown out of the reactor from the gate due to thermal drift. Such blown foreign matter is also blown up by the -F and kelp air currents from the heated wafer, and is effectively prevented from adhering to the wafer.
第２図に示されるように、ウェハ搬送部４０およびウェ
ハカートリッジ部３０が収容されているクリーンボック
ス６０は天井側の送入口６２からクリーンエアーが送入
され、体側の排気口６４から排気される。クリーンボッ
クス６０は反応炉のゲート部に対応する位置にウェハ移
送フォーク５０の出入口６６を有する。送入口６２から
常に多量のクリーンエアーが送入されているので、クリ
ーンボックス内は常時重圧に維持されている。そして、
このクリーンエアーは排気口６４およびウェハ出入［１
６６から吹き出されるので、大気中の塵埃がボックス内
に侵入することは殆どない。As shown in FIG. 2, clean air is introduced into the clean box 60 in which the wafer transport section 40 and the wafer cartridge section 30 are housed through an inlet 62 on the ceiling side, and is exhausted through an exhaust port 64 on the body side. . The clean box 60 has an entrance 66 for the wafer transfer fork 50 at a position corresponding to the gate of the reactor. Since a large amount of clean air is always fed through the inlet 62, the inside of the clean box is always maintained under heavy pressure. and,
This clean air is supplied to the exhaust port 64 and the wafer inlet/outlet [1
Since the dust is blown out from the box 66, almost no dust from the atmosphere enters the box.
クリーンボックス６０の天井側にＨＥＰＡフィルタ等の
ろ過材を配設し直接クリーンエアーを吹き降ろすことも
できるが、別の独立したクリーンエアー製造器で調製し
たクリーンエアーをパイプで引いてきてボックス天井側
からエアーシャワーのように吹き降ろすこともできる。It is also possible to arrange a filtering material such as a HEPA filter on the ceiling side of the clean box 60 and blow clean air directly down, but clean air prepared by another independent clean air generator can be drawn through a pipe and placed on the ceiling side of the box. It can also be blown down like an air shower.
所望ならば、クリーンボックスのウェハ出入［１６６か
ら反応炉のゲート部５までの間を例えば、蛇腹状の覆で
カバーすることもできる。If desired, the area from the wafer entrance/exit [166 of the clean box to the gate section 5 of the reactor can be covered with, for example, a bellows-shaped cover.
図示されていないが、クリーンボックスにはウェハカー
トリッジを交換するための取出口が配設されている。Although not shown, the clean box is provided with an outlet for exchanging the wafer cartridge.
本発明のウェハ搬送装置を常圧型ＣＶＤ装置用として詳
説してきたが、本発明の装置は自動搬送系を必殻とする
他の気相反応装置あるいは半導体製造装置においても同
等に使用できる。Although the wafer transfer device of the present invention has been described in detail for use in an atmospheric pressure CVD device, the device of the present invention can equally be used in other gas phase reaction devices or semiconductor manufacturing devices that require an automatic transfer system.
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明のウェハ搬送装置において
は、ウェハの急熱および急冷を防ぐために、加熱あるい
は徐冷機構を有し、該ウェハ搬送装置は常に正圧に維持
されたクリーンボックス内に収容されている。[Effects of the Invention] As explained above, the wafer transport device of the present invention has a heating or slow cooling mechanism to prevent rapid heating and cooling of the wafer, and the wafer transport device is always maintained at a positive pressure. It is housed in a clean box.
従って、ウェハを反応炉ヘロードする場合、予め加熱し
ておき、また、逆にウェハを反応炉からアンロードする
場合は、ウェハを徐々に冷却しながらウェハカートリッ
ジへ収納する。Therefore, when loading a wafer into a reactor, the wafer is heated in advance, and conversely, when unloading a wafer from the reactor, the wafer is gradually cooled and stored in a wafer cartridge.
かくして、急激な温度差による熱応力に起因した“反り
”や結晶欠陥がウェハに発生したり、あるいはＣＶＤ膜
にクラックが発生することを効果的に防１＃−，できる
。その結果、半導体素子の製造歩留りを高めることがで
きる。In this way, it is possible to effectively prevent the occurrence of "warpage" or crystal defects in the wafer or the occurrence of cracks in the CVD film due to thermal stress caused by sudden temperature differences. As a result, the manufacturing yield of semiconductor devices can be increased.
また、ウェハは予め所定の温度にまで加熱されているの
で大気中の塵埃に曝されても、加熱ウェハから一ヒがる
」−昇気流に乗って塵埃は巻き上げられ、ウェハに付着
することは殆どない。反応炉から搬出されたウェハは最
初保温手段を有する移送フォークに乗せられるが、前記
と同じメカニズムにより人気中では塵埃が付着すること
はないし、−・旦クリーンボックス内に入れば徐々に冷
却され室温となっても、クリーンエアーは常時供給され
ているので塵埃が付着する余地はない。In addition, since the wafer is heated to a predetermined temperature in advance, even if it is exposed to dust in the atmosphere, there is no heat from the heated wafer.'' - The dust is lifted up by the rising air current and does not adhere to the wafer. There aren't many. The wafers taken out of the reactor are first placed on a transfer fork that has heat retention means, but due to the same mechanism as described above, dust does not adhere to the wafers, and once they are placed in the clean box, they are gradually cooled down to room temperature. Even so, since clean air is constantly supplied, there is no room for dust to adhere.
ローダ側ウェハ搬送系の予備加熱およびアンローダ側ウ
ェハ搬送系の徐冷機構は連続処理が可能であり、スルー
プットを低下させることはない。The preheating mechanism of the wafer transport system on the loader side and the slow cooling mechanism of the wafer transport system on the unloader side can perform continuous processing without reducing throughput.
第１図は常圧型ＣＶＤ装置に使用される本発明のウェハ
搬送装置の＊四重面図であり、第２図は■−■線に沿っ
たＩＲ要断面図であり、第３図は従来のウェハ搬送装置
の概要平面図であり、第４図はＩＶ−ＩＶ線に沿ったＷ
要所面図である。
ｌ・・・ウェハ搬送装置、３・・・反応炉、５・・・ゲ
ート部、７・・・ウェハ、９・・・ウェハ載置台、１０
・・・ロータ側ウェハ搬送系、２０・・・アンローダ側
ウェハ搬送系、３０・・・ウェハカートリッジ部、３２
・・・ウェハ搬送機構、４０・・・ウェハ搬送部、４２
・・・無端搬送ヘルド、４４ａｔ ４４ｂ、４４ｃｍ・
・加熱手段。Fig. 1 is a quadruple view of the wafer transfer device of the present invention used in an atmospheric pressure CVD device, Fig. 2 is an IR essential cross-sectional view taken along the line ■-■, and Fig. 3 is a conventional wafer transfer device. FIG. 4 is a schematic plan view of the wafer transfer device of FIG.
This is a diagram of key points. l... Wafer transfer device, 3... Reaction furnace, 5... Gate section, 7... Wafer, 9... Wafer mounting table, 10
... Rotor side wafer transfer system, 20... Unloader side wafer transfer system, 30... Wafer cartridge section, 32
... Wafer transport mechanism, 40... Wafer transport section, 42
・・・Endless conveyance heald, 44at 44b, 44cm・
・Heating means.
Claims (5)
いは反応炉からウェハをアンロードするためのウェハ搬
送装置において、該搬送装置はウェハを加熱し、あるい
は徐冷する機構を有し、かつ、クリーンボックス内に収
容されていることを特徴とするウェハ搬送装置。(1) A wafer transport device for loading a wafer into or unloading a wafer from a reactor of a gas phase reactor, the transport device having a mechanism for heating or slowly cooling the wafer, A wafer transfer device characterized in that the wafer transfer device is housed in a clean box.
のである特許請求の範囲第１項に記載のウェハ搬送装置
。(2) The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the heating and slow cooling mechanism uses an electric wire heater.
ものである特許請求の範囲第１項に記載のウェハ搬送装
置。(3) The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the heating and slow cooling mechanism uses a far-infrared heater.
るものである特許請求の範囲第１項に記載のウェハ搬送
装置。(4) The wafer transport device according to claim 1, wherein the heating and slow cooling mechanism uses microwaves.
されており、内部に塵埃が侵入しない構造となっている
特許請求の範囲第１項に記載のウェハ搬送装置。(5) The wafer transfer device according to claim 1, wherein the interior of the clean box is always maintained at a positive pressure from the outside, and has a structure that prevents dust from entering the interior.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293084A JPS63144537A (en) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | Wafer transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293084A JPS63144537A (en) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | Wafer transfer device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144537A true JPS63144537A (en) | 1988-06-16 |
Family
ID=17790235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293084A Pending JPS63144537A (en) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | Wafer transfer device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144537A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403644A (en) * | 1992-04-28 | 1995-04-04 | Mitsuo Fujisawa | Frayless natural fabric |
| WO2008093787A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| JP2008202820A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Yamaha Livingtec Corp | Range hood |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61293084A patent/JPS63144537A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403644A (en) * | 1992-04-28 | 1995-04-04 | Mitsuo Fujisawa | Frayless natural fabric |
| WO2008093787A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus and method of preventing particle adhesion |
| JP2008211196A (en) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Device for treating substrate and method of preventing adhesion of particles |
| US8950999B2 (en) | 2007-01-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and particle adhesion preventing method |
| JP2008202820A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Yamaha Livingtec Corp | Range hood |
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