KR980005890A - 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 면적의 증가없이 높은 항복전압을 갖는 고전압 반도체 소자를 개시한다. 이 반도체 소자는 전압을 인가받기 위하여 배선이 접속되는 불순물 확산영역에 역방향으로 바이어스가 되도록 제1형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1확산층을 구비하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1확산층은 상기 불순물의 형과 반대되는 형으로 중간 농도로 도핑된 제2확산층과 동일형의 불순물로 저농도로 도핑된 제3확산층에 부분적으로 걸쳐 있는 것을 특징으로 한다.

Description

고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 반도체 소자의 요부 단면도.

Claims (10)

  1. 전압을 인가받기 위하여 배선이 접속되는 불순물 확산영역에 역방향으로 바이어스가 되도록 제1형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1확산층을 구비하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1확산층은 상기 불순물의 형과 반대되는 형으로 중간 농도로 도핑된 제2확산층과 동일형의 불순물로 저농도로 도핑된 제3확산층에 부분적으로 걸쳐 있는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1형의 불순물은 P형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1형의 불순물은 N형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2확산층은 플로팅된 구조인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1확산층과 제2확산층 둘다 전압을 인가하는 구조인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  6. 제1형의 웰이 형성된 반도체 기판의 소오스와 드레인의 예정영역에 제2형의 저도핑 확산층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 소정 부분에 소자 분리 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2형의 저도핑 확산층의 사이에 순차적으로 적층된 게이트 산화막과 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 드레인 측에 위치한 제2형의 저도핑 확산층의 소정 부분에 소정 깊이의 제1형의 중간 도핑 확산층을 형성하는 단계; 층간 절연막을 전면에 소정 두께로 증착하는 단계; 상기 중간 도핑영역과 저도핑 영역의 소정 부분들이 동시에 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계; 노출된 부분에 제2형의 고농도 확산층을 형성하는 단계; 콘택홀을 매립하여 제2형의 고농도 확산층과 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1형의 불순물을 형성하는 불순물은 P형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1형의 불순물을 형성하는 불순물은 N형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제2형 고농도 확산층의 위치는 측벽 스페이서의 길이에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제2형 고농도 확산층의 위치는 측벽 스페이서의 길이에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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