KR980005890A - 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005890A KR980005890A KR1019960026314A KR19960026314A KR980005890A KR 980005890 A KR980005890 A KR 980005890A KR 1019960026314 A KR1019960026314 A KR 1019960026314A KR 19960026314 A KR19960026314 A KR 19960026314A KR 980005890 A KR980005890 A KR 980005890A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- type
- diffusion layer
- impurity
- forming
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 면적의 증가없이 높은 항복전압을 갖는 고전압 반도체 소자를 개시한다. 이 반도체 소자는 전압을 인가받기 위하여 배선이 접속되는 불순물 확산영역에 역방향으로 바이어스가 되도록 제1형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1확산층을 구비하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1확산층은 상기 불순물의 형과 반대되는 형으로 중간 농도로 도핑된 제2확산층과 동일형의 불순물로 저농도로 도핑된 제3확산층에 부분적으로 걸쳐 있는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 반도체 소자의 요부 단면도.
Claims (10)
- 전압을 인가받기 위하여 배선이 접속되는 불순물 확산영역에 역방향으로 바이어스가 되도록 제1형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1확산층을 구비하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1확산층은 상기 불순물의 형과 반대되는 형으로 중간 농도로 도핑된 제2확산층과 동일형의 불순물로 저농도로 도핑된 제3확산층에 부분적으로 걸쳐 있는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1형의 불순물은 P형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1형의 불순물은 N형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2확산층은 플로팅된 구조인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1확산층과 제2확산층 둘다 전압을 인가하는 구조인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1형의 웰이 형성된 반도체 기판의 소오스와 드레인의 예정영역에 제2형의 저도핑 확산층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 소정 부분에 소자 분리 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2형의 저도핑 확산층의 사이에 순차적으로 적층된 게이트 산화막과 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 드레인 측에 위치한 제2형의 저도핑 확산층의 소정 부분에 소정 깊이의 제1형의 중간 도핑 확산층을 형성하는 단계; 층간 절연막을 전면에 소정 두께로 증착하는 단계; 상기 중간 도핑영역과 저도핑 영역의 소정 부분들이 동시에 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계; 노출된 부분에 제2형의 고농도 확산층을 형성하는 단계; 콘택홀을 매립하여 제2형의 고농도 확산층과 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1형의 불순물을 형성하는 불순물은 P형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 제1형의 불순물을 형성하는 불순물은 N형인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 제2형 고농도 확산층의 위치는 측벽 스페이서의 길이에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2형 고농도 확산층의 위치는 측벽 스페이서의 길이에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960026314A KR100197539B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
US08/883,918 US5929484A (en) | 1996-06-29 | 1997-06-27 | High voltage semiconductor device |
US09/283,507 US6083800A (en) | 1996-06-29 | 1999-04-01 | Method for fabricating high voltage semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960026314A KR100197539B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980005890A true KR980005890A (ko) | 1998-03-30 |
KR100197539B1 KR100197539B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19465063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960026314A KR100197539B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5929484A (ko) |
KR (1) | KR100197539B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020017725A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
KR101110178B1 (ko) | 2004-07-19 | 2012-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고전압 트랜지스터의 제조방법 |
CN116959993B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-01-02 | 联和存储科技(江苏)有限公司 | Nand闪存器件、高压运算晶体管及其制作方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4823173A (en) * | 1986-01-07 | 1989-04-18 | Harris Corporation | High voltage lateral MOS structure with depleted top gate region |
JPH05283703A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-10-29 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | Dmost接合絶縁破壊の向上 |
US5786620A (en) * | 1992-01-28 | 1998-07-28 | Thunderbird Technologies, Inc. | Fermi-threshold field effect transistors including source/drain pocket implants and methods of fabricating same |
JPH05223277A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一体型空気調和機 |
US5352914A (en) * | 1992-08-03 | 1994-10-04 | Hughes Aircraft Company | Field-effect transistor with structure for suppressing hot-electron effects, and method of fabricating the transistor |
JPH0745730A (ja) * | 1993-02-19 | 1995-02-14 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 2レベルのポリシリコンeepromメモリ・セル並びにそのプログラミング方法及び製造方法、集積されたeeprom記憶回路、eepromメモリ・セル及びそのプログラミング方法 |
KR0161398B1 (ko) * | 1995-03-13 | 1998-12-01 | 김광호 | 고내압 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US5783850A (en) * | 1995-04-27 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Undoped polysilicon gate process for NMOS ESD protection circuits |
US5861673A (en) * | 1995-11-16 | 1999-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming vias in multi-level integrated circuits, for use with multi-level metallizations |
KR100207463B1 (ko) * | 1996-02-26 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
US5795804A (en) * | 1996-03-07 | 1998-08-18 | United Microelectronics Corporation | Method of fabricating a stack/trench capacitor for a dynamic random access memory (DRAM) |
US5792680A (en) * | 1996-11-25 | 1998-08-11 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of forming a low cost DRAM cell with self aligned twin tub CMOS devices and a pillar shaped capacitor |
TW345741B (en) * | 1997-11-25 | 1998-11-21 | United Microelectronics Corp | Process for producing a capacitor for DRAM |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026314A patent/KR100197539B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-27 US US08/883,918 patent/US5929484A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-01 US US09/283,507 patent/US6083800A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100197539B1 (ko) | 1999-06-15 |
US5929484A (en) | 1999-07-27 |
US6083800A (en) | 2000-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR980005382A (ko) | Soi소자 및 그 제조방법 | |
KR940010367A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR840008537A (ko) | 반도체장치 | |
KR950034767A (ko) | Mis형 반도체장치 | |
KR920001753A (ko) | 종형 mos 트랜지스터와 그 제조 방법 | |
KR960043238A (ko) | 리세스 채널 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
KR970008665A (ko) | 게이트 보호용 제너 다이오드를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR950021600A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
KR880014649A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR940004846A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR960015858A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR980005890A (ko) | 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
KR960036096A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR960002889A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR950034667A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR960026934A (ko) | 바이폴라 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR920022563A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR850005170A (ko) | 반도체 장치 | |
KR970072491A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR960032585A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
KR940022796A (ko) | 트랜지스터 격리방법 | |
US20030030113A1 (en) | Semiconductor device | |
JP3233002B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
KR980006537A (ko) | 고전압 반도체소자 및 그의 제조방법 | |
KR970072500A (ko) | 인버터 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130122 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140116 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |