KR970077376A - 반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 세정 기술에 가장 널리 쓰이고 있는 습식 세정 기술 중 O₃(오존)을 불어 넣은 DI water(탈이온수)와 HF(불산)용액을 사용한 세정 방법이다. 본 발명의 기술을 요약하면 다음과 같다. 먼저 전처리로서 Si(실리콘)기판위의 유기 오염물과 자연 산화막을 제거하기 위해 piranha 세정(H₂SO₄(황산)+H₂O₂(과산화수소수), 비율 4:1, 시간 10분, 온도 120℃)과 HF(불산) 세정(HF(불산)+H₂O, 비율 1:100, 세정 시간 5분, 상온)을 하였다. 그리고 위와 같이 진처리된 시편을 1ppm CuSO₄(황산 구리)표준 용액에 담궈 인위적으로 Cu(구리)를 금속 불순물로서 기판 위에 오염시켰으며 이 오염된 시편들은 O₃(오존)을 불어넣은 DI water 세정(오존 첨가 초순수, 오존 농도 2.0ppm 이상)과 HF(불산) 용액 세정(HF(불산)+H₂O, 비율 1:100, 세정시간 5분)의 여러가지 조합 및 반복 처리되어 Cu(구리)금속 불순물의 제거 효과와 그에 따른 Si(실리콘)기판 표면의 거칠기를 알아 보았다. 본 발명은 반도체 생산 세정 공정 중 기존 습식 세정 방법에 쉽게 적용될 수 있도록 하기 위하여 DI water(탈이온수)나 HF(불산)용액 같이 기존의 가장 많이 쓰이는 용액들을 바탕으로 하고 그 용액에 O₃(오존)을 첨가하여 세정 효과를 증대시키며 또 그 두가지 용액을 적절히 조합 및 반복 실험함으로써 금속 불순물 제거와 기판의 표면 거칠기에 상당히 효과적인 세정 방법임을 보여 준 것이다. 구체적으로 위의 실험 방법들에 의해 세정된 결과 오염된 구리 불순물은 10¹³에서 10¹⁰atoms/㎠수준으로 크게 감소되었고 그 표면의 거칠기도 2배가량 향상된 결과를 얻었다.

Description

반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명 실시예에 대한 전체 개략도.

Claims (4)

1. Si(실리콘)기판 표면 세정 방법에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액에 의한 기판 세정을 특징으로 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)는 초순수 탱크로부터 나온 사용 시점의 초순수에 O₃(오존)을 주입시켜 만든 용액으로서 오존의 농도는 2.0∼5.0ppm.
3. 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액을 조합하여 실험한 후 금속 불순물이 10¹³에서 10¹⁰atoms/㎠로 현저하게 감소하였고, 반복 실험 후 그 금속 불순물량이 2∼5배 향상된 결과.
4. 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액을 조합하여 실험한 후 RMS(제곱 평방 평방근)값과 Ra(평균)값에서 보는 것처럼 Si(실리콘)기판의 표면 거칠기가 거의 2배 가량 향상되었고, 반복 실험한 후의 표면 거칠기는 2배 가량 향상된 값과 비슷한 수준인 결과.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.