KR960026331A - 반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 약액처리공정을 증대시키지 않고 효과적으로 오염물이나 약액잔사를 제거할 수 있는 반도체기판의 세정방법 및 세정방법을 이용함으로서 제품수율을 저하시키지 않고서 고품질의 반도체장치를 제조할 수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 용존산소 농도를 저감한 순수중의 용존산소농도를 유지 또는 저감하는 분위기중에서 60℃ 이상의 온도로 승온한 순수중에 반도체기판을 침지함으로서 반도체기판표면의 산화막을 에칭하여 반도체기판 표면을 세정한다.
약액처리공정을 증대시키지 않고 효과적으로 오염물이나 약액잔사를 제거할 수 있다.

Description

반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 기판의 세정장치의 개략도, 제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 기판의 세정방법에 의해서 세정한 반도체 시판의 금속흡착량과 용존산소량의 관계를 나타낸 그래프, 제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 기판의 세정방법에 의해서 세정한 반도체 기판의 금속흡착량과 처리온도의 관계를 나타낸 그래프.

Claims (12)

  1. 용존산소 농도를 저감한 순수중의 용존산소 농도를 유지 또는 저감하는 분위기중에서 60℃이상의 온도로 승온한 상기 순수중에 반도체기판을 침지함으로서 상기 반조체기판 표면의 산화막을 에칭하여 상기 반도체기판 표면을 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상시 순수중의 용존산소 농도가 유지 또는 저감하도록 상기 분위기가 외기로부터 차단되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 분위기의 산소농도가 상기 순수중의 용존산소 농도를 유지 또는 저감하도록 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 순수중에 포함되는 용존산소 량은 상온에서 200ppb이하인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판을 상기 순수에 10분단 이상 침지하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 순수는 80℃이상의 온도로 승온되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 순수는 90℃이상의 온도로 승온되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 순수의 온도와 상기 반도체기판을 상시 순수에 침지하는 시간을 제어하여, 상기 반도체시판을 세정한 후에 상기 순수와 상기 반도체기판이 이루는 접촉각이 70°이상이 되도록 상기 반도체기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체기한 세정방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면의 상기 산화막이 상기 반도체 기판을 화학약액중에 침지함으로서 형성된 화학산화막인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화학약액이 암모니아수, 과산화수소 및 순수의 혼합액인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  11. 제1항 내지 8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면의 상기 산화막이 상기 반도체 기판을 산소를 포함하는 분위기 중에 방치 또는 용존산소양이 많은 순수중에 침지함으로서 형성된 자연산화막인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느한 한 기재의 반도체기판의 세정방법에 의해서 반도체 기판표면을 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662111B2 (ja) * 1997-06-24 2005-06-22 アルプス電気株式会社 洗浄液の製造方法およびそのための装置
US6007406A (en) 1997-12-04 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Polishing systems, methods of polishing substrates, and method of preparing liquids for semiconductor fabrication process
WO2001099168A1 (fr) * 2000-06-23 2001-12-27 Fujitsu Limited Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe
JP4602540B2 (ja) * 2000-12-12 2010-12-22 オメガセミコン電子株式会社 基板処理装置
US8084406B2 (en) * 2007-12-14 2011-12-27 Lam Research Corporation Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media
US8956463B2 (en) 2008-10-08 2015-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for cleaning photomask-related substrate, cleaning method, and cleaning fluid supplying apparatus
JP2010117412A (ja) * 2008-11-11 2010-05-27 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスク関連基板の洗浄方法
JP2010117403A (ja) * 2008-11-11 2010-05-27 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスク関連基板の洗浄方法
JP5871652B2 (ja) * 2012-02-23 2016-03-01 オルガノ株式会社 アルコール中の溶存酸素除去方法、アルコール供給装置並びに洗浄液供給装置
CN102728577B (zh) * 2012-06-21 2014-11-19 信义汽车部件（芜湖）有限公司 一种提高玻璃塑料附件表面张力的工艺方法
US9339853B2 (en) 2012-12-04 2016-05-17 The Boeing Company Surface materials for decontamination with decontaminants
US10190227B2 (en) * 2013-03-14 2019-01-29 Xtalic Corporation Articles comprising an electrodeposited aluminum alloys
JP2016164977A (ja) * 2015-02-27 2016-09-08 キヤノン株式会社 ナノインプリント用液体材料、ナノインプリント用液体材料の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法
JP6993885B2 (ja) 2018-01-15 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111599730A (zh) * 2020-06-22 2020-08-28 上海华力微电子有限公司 刻蚀液供给装置及方法
CN116435418B (zh) * 2023-06-13 2023-08-25 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种590nm反极性LED外延片及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU843029A1 (ru) * 1979-04-16 1981-06-30 Предприятие П/Я А-3560 Устройство дл очистки поверхностипОлупРОВОдНиКОВыХ плАСТиН
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
JPH071761B2 (ja) * 1987-12-07 1995-01-11 松下電器産業株式会社 半導体基板の処理方法
JPH02164035A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Nec Corp 半導体基板の洗浄方法
JPH03157927A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ乾燥方法
JPH04151835A (ja) * 1990-05-25 1992-05-25 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 洗浄乾燥方法
JPH0440270A (ja) * 1990-06-01 1992-02-10 Miura Co Ltd 電子部品の洗浄方法
JPH04107922A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Fujitsu Ltd 半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法
JPH04124825A (ja) * 1990-09-14 1992-04-24 Sharp Corp 半導体ウエハの洗浄方法
JPH0653201A (ja) * 1992-07-27 1994-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体基板の表面形成法
KR960002763B1 (ko) * 1992-12-24 1996-02-26 금성일렉트론주식회사 반도체 세정방법 및 세정용액
DE4316096C1 (de) * 1993-05-13 1994-11-10 Wacker Chemitronic Verfahren zur naßchemischen Behandlung scheibenförmiger Werkstücke
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid

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DE69507445D1 (de) 1999-03-04
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JPH08172068A (ja) 1996-07-02
US5795494A (en) 1998-08-18
DE69507445T2 (de) 1999-06-02

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