KR970067605A - 처리 챔버의 세정 동안 서셉터를 보호하기 위한 세라믹 웨이퍼 사용 방법 및 그 장치 - Google Patents

처리 챔버의 세정 동안 서셉터를 보호하기 위한 세라믹 웨이퍼 사용 방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제공된 챔버내에 세정제가 유입되기 전에 서셉터 상에 세라믹 웨이퍼를 로딩함으로써 세정 작용 동안 서셉터를 보호하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 세라믹 웨이퍼는 더 많은 플라즈마가 챔버의 벽을 향하여 세정 작용 동안 서셉터로부터 멀리 플라즈마를 전개하기 위해 플라즈마의 전계를 변경하기에 충분한 유전 값을 가지도록 선택된다.

Description

처리 챔버의 세정 동안 서셉터를 보호하기 위한 세라믹 웨이퍼 사용 방법 및 그 상치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 세라믹 웨이퍼를 포함하는 처리 챔버의 부분도, 제2도는 본 발명의 세라믹 웨이퍼를 취하기 위한 로봇과 웨이퍼 저장 엘리베이터를 도시하는 도면.

Claims (18)

  1. 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터를 가지는 반도체 처리 챔버 세정 방법에 있어서, 상기 서셉터상에 세라믹과 유사한 유전 상수를 가지는 웨이퍼를 로딩하는 단계; 상기 챔버내에 세정제를 유입하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 세정 처리 동안 플라즈마 부분이 상기 서셉터로부터 떨어져 상기 챔버의 벽을 향하도록 상기 챔버내에 형성된 전자계를 변경하기에 충분한 유전 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 세라믹 내층으로 덮혀진 벽을 포함하고, 상기 세라믹 내층의 유전 상수보다 더 낮은 유전 상수를 가지도록 상기 웨이퍼를 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 챔버는 상기 서셉터 상에 세라믹 시일드를 더 포함하고, 상기 세라믹 시일드의 유전 상수와 조합될 때 상기 세라믹 내층의 유전 상수보다 더 낮은 유전 상수를 가지도록 상기 웨이퍼를 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 서셉터는 알류미늄이고, 상기 세정제는 플루오르 함유 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 서셉터 상의 상기 웨이퍼를 로딩하고 언로딩하는데 요구되는 시간의 양 이상으로 상기 챔버를 세정하기 위해 요구되는 시간의 양을 감소시키기 위해 상당히 낮은 유전 상수를 가지는 웨이퍼를 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 Al2O3으로 구성된 세라믹 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 챔버를 세정하기 전과 후에, 처리된 웨이퍼를 저장하기 위해 사용되는 상기 챔버에 인접한 웨이퍼 엘리베이터내로 쉽게 접근하기 위해 상기 웨이퍼를 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  9. 제1항에 있어서, 제1연장된 세정 에칭을 위해 상기 서셉터 상의 상기 웨이퍼에 대한 제1거리로 상기 서셉터와 가스 방전 헤드 사이의 공간을 설정하는 단계; 및 상기 웨이퍼가 제2국부 세정 에칭을 위해 제거된 후 제2최단 거리로 상기 공간을 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 챔버 세정 방법.
  10. 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터를 포함하고, 알루미늄 벽을 가지는 플라즈마 강화된 화학 기상 증착 챔버 세정 방법에 있어서, 상기 서셉터로부터 떨어져 상기 플라즈마를 전개하기 위해 상기 챔버내의 플라즈마의 전자계를 변경하고 상기 웨이퍼를 로딩하고 언로딩하는데 요구되는 시간 이상으로 상기 챔버의 세정시간을 감소하기에 충분한 유전 값을 가지는 웨이퍼를 선택하는 단계; 상기 서셉터 상에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계; 상기 챔버내에 플루오르 함유 화합물을 포함하는 세정제를 유입하는 단계; 가스 방전 헤드와 상기 서셉터와 상기 챔버 벽 사이에 RF 전위를 인가하는 단게; 및 상기 챔버로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화된 화학 기상 증착 챔버 세정 방법.
  11. 화학적 증착 챔버; 반도체 웨이퍼를 지지하기 위해 상기 챔버내에 장착되는 서셉터; 상기 챔버내에 세정제를 유입하기 위한 가스 방전 헤드; 및 상기 서셉터 상에 로딩하기 위한, 세라믹에 유사한 유전 상수를 가지는 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼는 세정 처리 동안 플라즈마 부분이 상기 서셉터로부터 떨어져서 상기 챔버의 벽을 향하도록 상기 챔버내에 형성된 전자계를 변경하기에 충분한 유전 값을 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 챔버는 세라믹 내층으로 덮혀진 벽을 포함하고, 상기 웨이퍼는 상기 세라믹 내층의 유전 상수 보다 더 낮은 유전 상수를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  14. 제11항에 있어서, 상기 챔버는 상기 세셉터 상에 세라믹 시일드를 더 포함하고, 상기 위에퍼는 상기 세라믹 시일드의 유전 상수와 조합될 때 상기 세라믹 내층의 유전 상수보다 더 낮은 유전 상수를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 상기 서셉터는 알류미늄인 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  16. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터 상의 상기 웨이퍼를 로딩하고 언로딩하는데 요구되는 시간의 양 이상으로 상기 쳄버를 세정하기 위해 요구되는 시간의 양을 감소시키기 위해 상당히 낮은 유전 상수를 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  17. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼는 Al2O3으로 구성된 세라믹 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
  18. 제11항에 있어서, 웨이퍼를 홀딩하기 위한 다수의 슬롯을 가지고, 상기 웨이퍼를 넣는 웨이퍼 엘리베이터; 및 상기 서셉터와 상기 웨이퍼 엘리베이터 사이에서 상기 웨이퍼를 이동하기 위한 로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 증착 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970007882A 1996-03-13 1997-03-10 처리 챔버의 세정 동안 서셉터를 보호하기 위한 세라믹 웨이퍼 사용 방법 및 그 장치 KR100264941B1 (ko)

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