JPH07101685B2 - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH07101685B2
JPH07101685B2 JP1016901A JP1690189A JPH07101685B2 JP H07101685 B2 JPH07101685 B2 JP H07101685B2 JP 1016901 A JP1016901 A JP 1016901A JP 1690189 A JP1690189 A JP 1690189A JP H07101685 B2 JPH07101685 B2 JP H07101685B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
processing apparatus
microwave
shield plate
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1016901A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02197122A (ja
Inventor
修三 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1016901A priority Critical patent/JPH07101685B2/ja
Priority to US07/468,459 priority patent/US5024748A/en
Priority to KR9000813A priority patent/KR930001286B1/ko
Priority to EP90101572A priority patent/EP0380119B1/en
Priority to DE69010516T priority patent/DE69010516T2/de
Publication of JPH02197122A publication Critical patent/JPH02197122A/ja
Publication of JPH07101685B2 publication Critical patent/JPH07101685B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の製造工程で使用するプラズマ処理装置に関
し、 長期にわたって安定した機能を発揮させることを目的と
し、 磁場を持たないプラズマ発生領域と被加工基板の位置す
る処理領域とを所定の貫通孔を備えた導電体よりなるプ
ラズマ遮蔽板で隔離し、上記プラズマ発生領域で発生し
該プラズマ遮蔽板を通過するプラズマで上記被加工基板
に所定の処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置であっ
て、上記プラズマ遮蔽板の少なくともプラズマ発生領域
側の面を、上記プラズマのプラズマ不活性化率が上記導
電体に比し小なる物質で被覆して構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程で使用するプラズマ処理
装置に係り、特に長期にわたって安定した処理特性を発
揮させて生産性の向上を図ったマイクロ波プラズマ処理
装置に関する。
近年の半導体装置等の製造工程では、プラズマを直接被
加工基板に照射させない方法例えばダウンフロー法等が
用いられるようになって来ているが、量産工程で効果あ
らしめるためには装置として長期間にわたって安定した
状態で使用できることが必要である。
〔従来の技術〕
導電体よりなるプラズマ遮蔽板でプラズマ発生領域を遮
蔽し該プラズマ発生領域で発生したプラズマと被加工物
を隔離する従来のマイクロ波プラズマ処理装置では、プ
ラズマを遮蔽するための導電体に例えばアルミニウム
（Al）よりなる金属を使用している。
第３図は従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式
断面図であり、（Ａ）は一構成例をまた（Ｂ）は他の例
を示す図である。
第３図（Ａ）は、１はマイクロ波発生装置,2は該マイク
ロ波発生装置１で発生したマイクロ波を反応容器３に導
出する導波管,4はマクロ波透過窓,5は上記反応容器３と
繋がる反応ガス供給管を示している。
６は複数の微小な貫通孔6aがほぼ均一分布に形成されて
いるアルミニウム（Al）よりなるプラズマ遮蔽板であ
り、上記反応容器３内をプラズマ発生室3aと処理室3bに
二分するように該反応容器３の内部に装着されている。
また処理室3b内に位置する７はステージ８上に載置され
た半導体ウェハ等の被加工基板を示している。なお図の
3cは反応後のガスを排出する排気口である。
かかる構成になるマイクロ波プラズマ処理装置では、反
応ガス供給管５から矢印ａの如くプラズマ発生室3aに流
入した反応ガスにマイクロ波発生装置１から射出し導波
管２およびマイクロ波透過窓４を透過したマイクロ波を
照射すると、上記反応ガスは該プラズマ発生室3a内で活
性粒子となってプラズマ化する。
そこで、少なくとも酸素（O2）を含む所定組成の反応ガ
スを上記プラズマ発生室3aに供給しながらGHz帯域のマ
イクロ波を該プラズマ発生室に照射し、同時に排気口3c
から矢印ｂのように排気して上記処理室3b内を減圧状態
にすると、該プラズマ発生室3a内で均一に拡散されたプ
ラズマが複数の貫通孔6aを通って矢印ｃのように処理室
3bに流入する。
この処理室3bに流入するプラズマは、ステージ８上の被
加工基板７表面に塗布されているレジスト（例えば商品
名：東京応化製OFPR−800）をほぼ均等な分布で照射す
るため、加工速度分布の均一なエッチングやアッシング
処理を該被加工基板７の表面全面に施すことができる。
例えば、四弗化炭素（CF4）を20％含んだO2＋CF4ガスを
反応ガスとして用い、該反応ガスに出力0.4KW程度の2.4
5GHzのマイクロ波を照射して該反応ガスをプラズマ発生
室3a内で均一に拡散したプラズマとなし、該プラズマを
アルミニウム（Al）よりなるプラズマ遮蔽板６の反応ガ
ス流入孔6aを通して0.3Torr程度減圧した処理室3bに流
入させて被加工基板７例えば４吋シリコン基板上のレジ
スト膜のアッシング処理を行うと良好な結果が得られる
ことを確認している（特公開 昭58−124511）。
他の例を示す第３図（Ｂ）は、被加工基板７に対するプ
ラズマ照射の均一化を図るため、プラズマ遮蔽板には該
プラズマ遮蔽板を通過するプラズマの流量（以下コンダ
クタンスとする）の制御手段を設けると共に処理室側に
ガス拡散手段を付加したものである。
図で、１がマイクロ波発生装置,2が導波管,3が反応容
器,3aがプラズマ発生室,3bが処理室,3cが排気口,4がマ
イクロ波透過窓,5が反応ガス供給管を示していることは
図（Ａ）と同様である。
また図の11はテフロン樹脂等よりなるコンダクタンス制
御部11aを中央部に備えた金属製のプラズマ遮蔽板であ
り、上記図（Ａ）のプラズマ遮蔽板６と同様に反応容器
３をプラズマ発生室3aと処理室3bに二分するように該反
応容器３の内部に装着されている。
12は該プラズマ遮蔽板11の処理室3b側の所定位置に上記
コンダクタンス制御部11aの孔部分をカバーするように
配置するテフロン樹脂等よりなる円形状のガス拡散板を
示し、また上記ガス拡散板12に衝突し四方に拡散するプ
ラズマを被加工基板７に均一に当てると同時に該処理室
13bの空間領域を限定するためにテフロン樹脂等よりな
る障壁13を被加工基板７を覆う傘状に配置している。
かかる構成になるマイクロ波プラズマ処理装置では反応
ガスを矢印ａ′の如く供給しながらマイクロ波を該反応
ガスに照射すると、プラズマ発生室3aでプラズマ化した
ガスが上記コンダクタンス制御部11aを通る際に所定の
コンダクタンスに制御されて減圧状態にある処理室3bの
ガス拡散板12に衝突する。次いで該ガス拡散板12で四方
に拡散されたガスすなわちプラズマがその周囲の障壁13
に衝突した後に図示ｃ′の如くステージ８上の被加工基
板７を照射しての表面に所定の処理を施すようになって
いる。
そこで該ガス拡散板12の直径ｄ（遮蔽面積）および上記
プラズマ遮蔽板11からの隔たりｈを最適値に設定するこ
とによって、被加工基板７に良好なエッチングやアッシ
ング処理が行なえることを確認している（特公告 昭62
−1534）。
しかし上記の何れかの場合にも酸素（O2）を含む反応ガ
スでエッチングやアッシング処理を行っているため、装
置使用期間の長期化につれて金属で形成されている上記
プラズマ遮蔽板６または11のプラズマ発生室3a側の表面
がプラズマ酸化されて活性化された活性種の失活が多く
なる。
その結果、処理速度が当初の自然酸化膜だけのときに比
べて徐々に低下することになる。
一実験例では、四弗化炭素（CF4）を約８％含んだO2＋C
F4ガスを反応ガスとし出力1.5KW程度の2.45GHzのマイク
ロ波により該反応ガスを活性化させた場合のシリコン基
板上のレジスト膜のアッシング処理速度は、当初は1.5
μm/分程度であるが１日８時間程度のプラズマ処理を約
３か月継続するとその処理速度が5000Å／分となって約
1/3に低下している。
また同様の現象は、アルミニウム（Al）製のプラズマ遮
蔽板をアルマイト加工した場合にも確認することができ
た。
このことは単位時間内での処理能力が約1/3に低下した
ことを意味しており、生産性の低下を誘起している。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の構成になるマイクロ波プラズマ処理装置では、長
期間の使用によって生産性が低下すると言う問題があっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、磁場を持たないプラズマ発生領域と被加
工基板の位置する処理領域とを所定の貫通孔を備えた導
電体よりなるプラズマ遮蔽板で隔離し、上記プラズマ発
生領域で発生し該プラズマ遮蔽板を通過するプラズマで
上記被加工基板に所定の処理を行うマイクロ波プラズマ
処理装置であって、上記プラズマ遮蔽板の少なくともプ
ラズマ発生領域側の面を、上記プラズマのプラズマ不活
性化率が上記導電体に比し小なる物質で被覆してなるマ
イクロ波プラズマ処理装置によって解決される。
〔作 用〕
金属よりなるプラズマ遮蔽板の表面を絶縁体でカバーす
ると該プラズマ遮蔽板の表面がプラズマ酸化されること
がなくなり、反応ガス活性種（イオン）の失活を防ぐこ
とができる。
本発明では、プラズマ遮蔽板のプラズマ発生室側の全面
をプラズマによって生成された活性種の失活する割合
（以下プラズマ不活性化率とする）がプラズマ遮蔽板よ
り小さい石英の如き絶縁体でカバーすることによって該
プラズマ遮蔽板のプラズマ酸化を抑制するようにしてい
る。
従って、長期間にわたって安定したプラズマ処理が実施
できるマイクロ波プラズマ処理装置を得ることができ
る。
〔実施例〕
反応ガスに酸素（O2）のみを用いたプラズマで被加工基
板上のレジストにアッシング処理を施すと、そのアッシ
ング処理の殆どが酸素原子（Ｏ）によって遂行されてい
る事が知られている（J.M.Cook,B.W.Benson,J.Electroc
hem.Soc.,vol.130,P.2459（1983））。
例えば酸素（O2）のみの反応ガスを使用し被加工基板を
200℃に加熱してアッシング処理を施した場合の実験例
では、金属面が露出したプラズマ遮蔽板を使って長期間
使用しアッシング速度が1500Å／分程度に低下したプラ
ズマ処理装置のプラズマ遮蔽板のプラズマ発生室側の面
をプラズマの不活性化率が上記金属より小なる例えば絶
縁物でカバーすると、アッシング速度が4500Å／分に上
昇し約３倍の効率向上が得られる。
第１図は本発明になるマイクロ波プラズマ処理装置を説
明する図であり、第２図は他の構成例を示す図である。
第１図で、（ａ）は一構成例を示す（ｂ）および（ｃ）
は同じ構成になる他の実施例をそれぞれ示したものであ
る。
第１図（ａ），（ｂ）で、図に示すマイクロ波プラズマ
処理装置が第３図（Ａ），（Ｂ）と異なる点は、第３図
で説明したプラズマ遮蔽板６または11のプラズマ発生室
3a側の全面に、厚さが2mm程度でプラズマ不活性化率が
上記プラズマ遮蔽板６または11より小さい材質からなる
例えば石英カバー21または22を添着したことにあり、そ
の他の部分はそれぞれに対応する第３図（Ａ），（Ｂ）
と同様である。
ここで例えば、窒素（N2）を約10％含んだO2＋N2ガスを
反応ガスとし出力1.5KWの2.45GHzのマイクロ波により該
反応ガスをプラズマ発生室3a内で活性化させた後、処理
室3b側を1Torr程度に減圧して200℃に加熱されたステー
ジ８上の被加工基板７例えばシリコン基板上のレジスト
膜に60〜90秒でアッシング処理を行った場合の実験例に
ついて説明する。
第３図（Ａ）の装置を使用して500回／日の頻度で３か
月継続したときのアッシング速度が初期値１μm/分に対
して３か月経過後に約6000Å／分と約40％低下したプラ
ズマ処理装置の該プラズマ遮蔽板６のプラズマ発生室3a
側の全面を石英カバー21で覆って第１図（ａ）の状態と
し、同様の処理を行ったところアッシング速度が9000Å
／分に上昇すると共にその後３か月間同様の条件で継続
使用しても該アッシング速度の低下が認められなかっ
た。
また第１図（ｂ）の場合についても同様の効果が限られ
たことを実験的に確認している。
従って、金属製プラズマ遮蔽板のプラズマ発生室側の全
面を絶縁体でカバーすることにより、生産性を落とすこ
となく長期間安定した状態で使用できるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を容易に得ることができる。
他の実施例を示す図（ｃ）は、上記図（ｂ）の平面的な
ガス拡散板12を底面に複数の微小な貫通孔23aを穿設し
た有底筒状拡散板23に置き換えた上で、該有底筒状拡散
板23の開口部をプラズマ発生室3a側に上述した石英カバ
ー22が添着されたプラズマ遮蔽板11の処理室3b側の所定
位置に装着したものであり、この場合には図（ｂ）の障
壁13が不要である。
かかる構成になるマイクロ波プラズマ処理装置では、プ
ラズマ発生室3aから流出するプラズマは一旦該有底筒状
拡散板23に囲まれた図示Ａのプラズマ拡散領域に滞留し
て均一に拡散した後各貫通孔23aを通って処理室3b内に
射出されるため、被加工基板７上に均一な処理を施すこ
とができる。
なおこの場合も、プラズマ遮蔽板11のプラズマ発生室3a
側の全面が石英カバー22で覆われているため生産性を落
とすことなく長期間安定した状態で使用できることな前
述の通りである。
他の構成例を示す第２図は第１図におけるプラズマ発生
室の構成を変えたものであり、該プラズマ発生室部分を
除く他の部分は第１図の場合と同様である。
第２図で、31は一端は図示されないマイクロ波発生装置
に繋がると共に第１図同様の反応容器32と連結している
導波管、33は上記導波管31の途中に装着したマイクロ波
透過窓である。
また34は、その中心に所定径の貫通孔34aを備え該反応
容器32に内接するプラズマ遮蔽板であり、上記導波管31
側の全面に厚さが2mm程度の石英カバー35が添着されて
いる。
また、36は上記マイクロ波透過窓33と該プラズマ遮蔽板
34との間で該プラズマ遮蔽板34の貫通孔34aの近傍にガ
ス射出口が来るように反応容器32の側壁に装着した反応
ガス供給管である。
なお該プラズマ遮蔽板34の上記導波管31と反対側の面に
装着した有底筒状拡散板23およびステージ８上の被加工
基板７は第１図と同様のものである。
かかる構成になるマイクロ波プラズマ処理装置では、上
記のマイクロ波透過窓33とプラズマ遮蔽板34および反応
ガス供給管36のガス射出口に囲まれた領域3aがプラズマ
発生室を、また上記プラズマ遮蔽板34と有底筒状拡散板
23に囲まれた領域Ａがプラズマ拡散室を、更に上記有底
筒状拡散板23と被加工基板７に挟まれた領域3bが処理室
をそれぞれ形成している。
そこで上記プラズマ発生室3aから貫通孔34aを通って流
出するプラズマが一旦該有底筒状拡散板23に囲まれた図
示Ａの領域に滞留して均一に拡散した後各貫通孔34aを
通って処理室3b内に射出されて被加工基板７上に均一な
処理を施すことは第１図の場合と同様である。
なおこの場合も、プラズマ遮蔽板34のプラズマ発生室3a
側の全面が石英カバー35で覆われているため、生産性を
落とすことなく長期間安定した状態で使用することがで
きる。
〔発明の効果〕
上述の如く本発明により、生産性を落とすことなく長期
間安定した状態で使用できるマイクロ波プラズマ処理装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明になるマイクロ波プラズマ処理装置を説
明する図、 第２図は他の構成例を示す図、 第３図は従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式
断面図、 である。図において、 １はマイクロ波発生装置、2,31は導波管、 3,32は反応容器、3aはプラズマ発生室、 3bは処理室、3cは排気口、 4,33はマイクロ波透過窓、 5,36は反応ガス供給管、 6,11,34はプラズマ遮蔽板、 6a,23a,34aは貫通孔、 ７は被加工基板、８はステージ、 11aはコンダクタンス制御部、 12はガス拡散板、13は障壁、 21,22,35は石英カバー、 23は有底筒状拡散板、 をそれぞれ表わす。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁場を持たないプラズマ発生領域と被加工
    基板の位置する処理領域とを所定の貫通孔を備えた導電
    体よりなるプラズマ遮蔽板で隔離し、上記プラズマ発生
    領域で発生し該プラズマ遮蔽板を通過するプラズマで上
    記被加工基板に所定の処理を行うマイクロ波プラズマ処
    理装置であって、 上記プラズマ遮蔽板の少なくともプラズマ発生領域側の
    面が、上記プラズマのプラズマ不活性化率が上記導電体
    に比して小なる物質で被覆されてなることを特徴とした
    マイクロ波プラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載のプラズマ遮蔽板が、アルミ
    ニウムを含む金属であることを特徴としたマイクロ波プ
    ラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】請求項１記載のプラズマ遮蔽板の少なくと
    もプラズマ発生領域側の面を被覆する物質が、絶縁体で
    あることを特徴としたマイクロ波プラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】請求項３記載の絶縁体が、石英であること
    を特徴としたマイクロ波プラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】請求項１記載のプラズマが、酸素を含むガ
    スを励起したものであることを特徴としたマイクロ波プ
    ラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】請求項１記載のプラズマが、弗素を含むガ
    スを励起したものであることを特徴としたマイクロ波プ
    ラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】請求項１記載のプラズマ発生領域と処理領
    域の間に、プラズマ拡散領域が設けられてなることを特
    徴としたマイクロ波プラズマ処理装置。
JP1016901A 1989-01-26 1989-01-26 マイクロ波プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JPH07101685B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1016901A JPH07101685B2 (ja) 1989-01-26 1989-01-26 マイクロ波プラズマ処理装置
US07/468,459 US5024748A (en) 1989-01-26 1990-01-22 Microwave plasma processing apparatus
KR9000813A KR930001286B1 (en) 1989-01-26 1990-01-24 Plasma processing units using microwave
EP90101572A EP0380119B1 (en) 1989-01-26 1990-01-26 Microwave plasma processing apparatus
DE69010516T DE69010516T2 (de) 1989-01-26 1990-01-26 Mikrowellen-Plasmabearbeitungsgerät.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1016901A JPH07101685B2 (ja) 1989-01-26 1989-01-26 マイクロ波プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02197122A JPH02197122A (ja) 1990-08-03
JPH07101685B2 true JPH07101685B2 (ja) 1995-11-01

Family

ID=11929047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1016901A Expired - Fee Related JPH07101685B2 (ja) 1989-01-26 1989-01-26 マイクロ波プラズマ処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5024748A (ja)
EP (1) EP0380119B1 (ja)
JP (1) JPH07101685B2 (ja)
KR (1) KR930001286B1 (ja)
DE (1) DE69010516T2 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775226B2 (ja) * 1990-04-10 1995-08-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン プラズマ処理方法及び装置
JP2598336B2 (ja) * 1990-09-21 1997-04-09 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US5218179A (en) * 1990-10-10 1993-06-08 Hughes Aircraft Company Plasma source arrangement for ion implantation
US5296272A (en) * 1990-10-10 1994-03-22 Hughes Aircraft Company Method of implanting ions from a plasma into an object
CA2052080C (en) * 1990-10-10 1997-01-14 Jesse N. Matossian Plasma source arrangement for ion implantation
US5200232A (en) * 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
FR2693619B1 (fr) * 1992-07-08 1994-10-07 Valeo Vision Dispositif pour le dépôt de polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes.
JP3288490B2 (ja) * 1993-07-09 2002-06-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US5783100A (en) * 1994-03-16 1998-07-21 Micron Display Technology, Inc. Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture
US5643394A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JPH08148473A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US5810937A (en) * 1996-03-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Using ceramic wafer to protect susceptor during cleaning of a processing chamber
JP2001506803A (ja) 1996-11-27 2001-05-22 エムコア・コーポレイション 化学蒸着装置
JP2000026975A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Komatsu Ltd 表面処理装置
US6335293B1 (en) 1998-07-13 2002-01-01 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate
US6159333A (en) * 1998-10-08 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Substrate processing system configurable for deposition or cleaning
US6440864B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Applied Materials Inc. Substrate cleaning process
US6692903B2 (en) 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US20030019428A1 (en) * 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US20030192645A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for creating circumferential process gas flow in a semiconductor wafer plasma reactor chamber
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
JP2005251803A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Canon Inc プラズマ処理装置およびその設計方法
US20060000802A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US8349128B2 (en) * 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
JP4934595B2 (ja) 2005-01-18 2012-05-16 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
JP4749785B2 (ja) * 2005-07-19 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US7743731B2 (en) * 2006-03-30 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Reduced contaminant gas injection system and method of using
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7943005B2 (en) * 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
JP2008223123A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Rohm Co Ltd ラジカル発生装置
KR101046520B1 (ko) * 2007-09-07 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ｐｅｃｖｄ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어
US7879183B2 (en) * 2008-02-27 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for front side protection during backside cleaning
JP4956469B2 (ja) * 2008-03-24 2012-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US9129778B2 (en) 2011-03-18 2015-09-08 Lam Research Corporation Fluid distribution members and/or assemblies
KR101234594B1 (ko) * 2011-07-25 2013-02-19 피에스케이 주식회사 배플 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5780928B2 (ja) * 2011-11-22 2015-09-16 株式会社アルバック プラズマ処理装置
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4718976A (en) * 1982-03-31 1988-01-12 Fujitsu Limited Process and apparatus for plasma treatment
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
JPS6016424A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置
JPS6130036A (ja) * 1984-07-23 1986-02-12 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US4631105A (en) * 1985-04-22 1986-12-23 Branson International Plasma Corporation Plasma etching apparatus
JPS6231112A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ反応装置
JPH0682642B2 (ja) * 1985-08-09 1994-10-19 株式会社日立製作所 表面処理装置
JPS62213126A (ja) * 1986-03-13 1987-09-19 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0816934B2 (ja) * 1986-08-08 1996-02-21 富士ゼロックス株式会社 画像編集装置
US4820370A (en) * 1986-12-12 1989-04-11 Pacific Western Systems, Inc. Particle shielded R. F. connector for a plasma enhanced chemical vapor processor boat
JPS64326U (ja) * 1987-06-19 1989-01-05
KR970003885B1 (ko) * 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
「電子材料」編集部編「超ＬＳＩ時代のプラズマ化学」（２版）（１９８４−１１−２５）（株）工業調査会Ｐ．１９５−１９７

Also Published As

Publication number Publication date
US5024748A (en) 1991-06-18
EP0380119A3 (en) 1991-05-15
EP0380119B1 (en) 1994-07-13
DE69010516T2 (de) 1994-11-03
DE69010516D1 (de) 1994-08-18
JPH02197122A (ja) 1990-08-03
EP0380119A2 (en) 1990-08-01
KR930001286B1 (en) 1993-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07101685B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
US4282267A (en) Methods and apparatus for generating plasmas
US4918031A (en) Processes depending on plasma generation using a helical resonator
JP3114873B2 (ja) プラズマ処理装置、及び、蒸着或いはエッチングの方法
US6084356A (en) Plasma processing apparatus with a dielectric body in the waveguide
CN107507774B (zh) 氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法
JPH02224236A (ja) 集積回路デバイスを製造するための装置
JP2007042951A (ja) プラズマ処理装置
US5389197A (en) Method of and apparatus for plasma processing of wafer
JP2003183839A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2001267305A (ja) プラズマ処理装置
US6005217A (en) Microwave plasma processing method for preventing the production of etch residue
JP2000260747A (ja) 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH03262119A (ja) プラズマ処理方法およびその装置
JP4194164B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3966932B2 (ja) アッシング装置
JPH07169740A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH065386A (ja) 電子サイクロトロン共鳴装置
JP2902009B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法
JP3555447B2 (ja) ドライエッチング装置
JP2003243376A (ja) プラズマ処理装置
JPH0749792Y2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH04132215A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置およびその操作方法
JPH11126773A (ja) プラズマ処理装置及びこの装置のガスの導入方法
JP2002033307A (ja) プラズマ発生装置及び同装置を備えたプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees