KR970063674A - 반도체 장치 - Google Patents

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시게키 고모리
도모히코 야마시타
마사히데 이누이시
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기다오까 다까시
미쓰비씨 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

〔과 제〕
반도체 장치의 고집적화에 따라 스케일링칙에 따라서 소자를 미세화하면 종래의 콘택트 구조로서는 접합 내압이 저하한다는 것이 문제로 되어 있었다.
〔해결수단〕
본 발명에 의하면 콘택트(4)밑의 불순물 영역(9)의 바닥면이 반도체 기판(1)내의 소정의 깊이로 형성되어 불순물 영역(9)과 동도전 형의 불순물층(6,7), 및 불순물대(8) 형성위치를 피하여 불순물 농도가 낮은 역도전형의 불순물을 포함하는 반도체 기판(1)에 접하고 있어 콘택트(4)에 전압이 인가된 경우에 공핍층이 넓어지기 쉽고, 접합 내압을 향상시키는 것이 가능하다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1를 표시하는 콘택트 구조의 단면도.

Claims (3)

  1. 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판내에 형성된 제1도전형의 적어도 하나의 불순물층과, 상기 반도체 기판의 주면에서 소정의 깊이에 걸쳐서 연장되며, 적어도 일부가 상기 불순물층에 침투하는 제2도전형의 불순물 영역과, 상기 불순물 영역에 접하여 상기 반도체 기판의 주면상에 형성된 콘택트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불순물층의 적어도 하나는 상기 불순물 영역보다 깊고, 상기 불순물영역 까지 이르지 않게 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 불순물층에 상기 불순물 영역이 침투되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960061536A 1996-02-14 1996-12-04 반도체 장치 KR100230965B1 (ko)

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