KR970063674A - 반도체 장치 - Google Patents
반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970063674A KR970063674A KR1019960061536A KR19960061536A KR970063674A KR 970063674 A KR970063674 A KR 970063674A KR 1019960061536 A KR1019960061536 A KR 1019960061536A KR 19960061536 A KR19960061536 A KR 19960061536A KR 970063674 A KR970063674 A KR 970063674A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- impurity
- semiconductor substrate
- impurity region
- contact
- conductivity type
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
〔과 제〕
반도체 장치의 고집적화에 따라 스케일링칙에 따라서 소자를 미세화하면 종래의 콘택트 구조로서는 접합 내압이 저하한다는 것이 문제로 되어 있었다.
〔해결수단〕
본 발명에 의하면 콘택트(4)밑의 불순물 영역(9)의 바닥면이 반도체 기판(1)내의 소정의 깊이로 형성되어 불순물 영역(9)과 동도전 형의 불순물층(6,7), 및 불순물대(8) 형성위치를 피하여 불순물 농도가 낮은 역도전형의 불순물을 포함하는 반도체 기판(1)에 접하고 있어 콘택트(4)에 전압이 인가된 경우에 공핍층이 넓어지기 쉽고, 접합 내압을 향상시키는 것이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1를 표시하는 콘택트 구조의 단면도.
Claims (3)
- 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판내에 형성된 제1도전형의 적어도 하나의 불순물층과, 상기 반도체 기판의 주면에서 소정의 깊이에 걸쳐서 연장되며, 적어도 일부가 상기 불순물층에 침투하는 제2도전형의 불순물 영역과, 상기 불순물 영역에 접하여 상기 반도체 기판의 주면상에 형성된 콘택트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물층의 적어도 하나는 상기 불순물 영역보다 깊고, 상기 불순물영역 까지 이르지 않게 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 불순물층에 상기 불순물 영역이 침투되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-026861 | 1996-02-14 | ||
JP02686196A JP3602242B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970063674A true KR970063674A (ko) | 1997-09-12 |
KR100230965B1 KR100230965B1 (ko) | 1999-11-15 |
Family
ID=12205079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960061536A KR100230965B1 (ko) | 1996-02-14 | 1996-12-04 | 반도체 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5852327A (ko) |
JP (1) | JP3602242B2 (ko) |
KR (1) | KR100230965B1 (ko) |
CN (1) | CN1087496C (ko) |
DE (1) | DE19651109B4 (ko) |
TW (1) | TW330330B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002305400A1 (en) * | 2001-05-03 | 2002-11-18 | Glaukos Corporation | Medical device and methods of use for glaucoma treatment |
JP2006196802A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8478305B2 (en) * | 2008-04-09 | 2013-07-02 | Csr Technology Inc. | System and method for integrating location information into an internet phone system |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3547716A (en) * | 1968-09-05 | 1970-12-15 | Ibm | Isolation in epitaxially grown monolithic devices |
US4383266A (en) * | 1979-09-26 | 1983-05-10 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Avalanche photo diode |
US4652895A (en) * | 1982-08-09 | 1987-03-24 | Harris Corporation | Zener structures with connections to buried layer |
US4816881A (en) * | 1985-06-27 | 1989-03-28 | United State Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | A TiW diffusion barrier for AuZn ohmic contacts to p-type InP |
US5343067A (en) * | 1987-02-26 | 1994-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device |
IT1221587B (it) * | 1987-09-07 | 1990-07-12 | S G S Microelettronics Spa | Procedimento di fabbricazione di un dispositivo integrato monolitico a semiconduttore avente strati epitas siali a bassa concentrazione di impurita' |
JPS6473669A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Fujitsu Ltd | Semiconductor integrated circuit |
JP2667477B2 (ja) * | 1988-12-02 | 1997-10-27 | 株式会社東芝 | ショットキーバリアダイオード |
US4945070A (en) * | 1989-01-24 | 1990-07-31 | Harris Corporation | Method of making cmos with shallow source and drain junctions |
DE4022022C2 (de) * | 1989-07-12 | 1995-09-28 | Fuji Electric Co Ltd | Vertikal-Halbleitervorrichtung mit Zenerdiode als Überspannugsschutz |
US5027165A (en) * | 1990-05-22 | 1991-06-25 | Maxim Integrated Products | Buried zener diode |
US5155560A (en) * | 1991-07-22 | 1992-10-13 | Eastman Kodak Company | Semiconductor index guided laser diode having both contacts on same surface |
US5475245A (en) * | 1992-03-23 | 1995-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Field-effect voltage regulator diode |
US5268312A (en) * | 1992-10-22 | 1993-12-07 | Motorola, Inc. | Method of forming isolated wells in the fabrication of BiCMOS devices |
US5382815A (en) * | 1993-12-23 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Carrier conduction conductor-insulator semiconductor (CIS) transistor |
US5477078A (en) * | 1994-02-18 | 1995-12-19 | Analog Devices, Incorporated | Integrated circuit (IC) with a two-terminal diode device to protect metal-oxide-metal capacitors from ESD damage |
US5623159A (en) * | 1994-10-03 | 1997-04-22 | Motorola, Inc. | Integrated circuit isolation structure for suppressing high-frequency cross-talk |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP02686196A patent/JP3602242B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-09 US US08/709,592 patent/US5852327A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-22 TW TW085114397A patent/TW330330B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-04 KR KR1019960061536A patent/KR100230965B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-09 DE DE19651109A patent/DE19651109B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-09 CN CN96123103A patent/CN1087496C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3602242B2 (ja) | 2004-12-15 |
TW330330B (en) | 1998-04-21 |
KR100230965B1 (ko) | 1999-11-15 |
JPH09223734A (ja) | 1997-08-26 |
DE19651109B4 (de) | 2005-05-19 |
CN1087496C (zh) | 2002-07-10 |
US5852327A (en) | 1998-12-22 |
CN1160292A (zh) | 1997-09-24 |
DE19651109A1 (de) | 1997-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970072395A (ko) | 반도체 장치 | |
KR950034767A (ko) | Mis형 반도체장치 | |
KR970067716A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR970054364A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR890016691A (ko) | 기생 트랜지스터가 동작하기 어려운 구조를 가진 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR920015577A (ko) | 반도체장치 | |
KR900015315A (ko) | 보호 소자가 설치된 반도체 장치 | |
KR900019261A (ko) | 반도체장치 | |
KR920005280A (ko) | Mos형 반도체장치 | |
KR910008861A (ko) | 집적회로소자 | |
KR890008949A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR890016626A (ko) | 반도체장치 | |
KR910008844A (ko) | 반도체 장치 | |
KR970072432A (ko) | Mos 커패시터를 갖는 반도체 디바이스 및 제조 방법 | |
KR880006782A (ko) | 접합 파괴방지 반도체장치 | |
KR970063674A (ko) | 반도체 장치 | |
KR910008843A (ko) | Mos형 집적회로 | |
KR970067916A (ko) | 접합누설이 적은 저 스트레스 광다이오드 | |
KR920022563A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR880011935A (ko) | 반도체 장치 및 제조 방법 | |
KR860008625A (ko) | 절연게이트 반도체 장치 | |
KR860001488A (ko) | 바이폴러 트랜지스터와 iil이 있는 반도체 장치 | |
KR870008393A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
KR970054366A (ko) | 반도체장치 | |
KR940008130A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |