KR970054293A - Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 - Google Patents
Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970054293A KR970054293A KR1019950069744A KR19950069744A KR970054293A KR 970054293 A KR970054293 A KR 970054293A KR 1019950069744 A KR1019950069744 A KR 1019950069744A KR 19950069744 A KR19950069744 A KR 19950069744A KR 970054293 A KR970054293 A KR 970054293A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- vertical transfer
- layer
- photodiode
- state imaging
- charge
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
전하결합소자형 고체촬영소자에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 수직으로 인접하도록 배열된 제1 및 제2 광 다이오드, 제1 및 제2 광 다이오드의 측면의 반도체기판에 형성된 전하결합소자의 수직 전송영역, 수직 전송영역 상에 수직으로 인접하도록 차례대로 배열된 제1 내지 제5 수직 전송전극 및 제1 광 다이오드에 저장된 전화를 수직 전송영역으로 전달하는 제1전달영역과 제2 광 다이오드에 저장된 전하를 수직 전송영역으로 전달하는 제2 전달영역을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 3층의 다결정실리콘 공정만으로도 2/5개의 CCD면적효율을 가질 수 있으므로, 전하전송 능력을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11a도 내지 제11c도는 본 발명에 의한 IT-CCD형 고체촬영소자를 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (13)
- 반도체기판에 수직으로 인접하도록 배열된 제1 및 제2 광 다이오드; 상기 제1 및 제2 광 다이오드의 측면의 반도체기판에 형성된 전하결합소자의 수직 전송영역; 상기 수직 전송영역 상에 수직으로 인접하도록 차례대로 배열된 제1 내지 제5 수직 전송전극; 및 상기 제1 광 다이오드에 저장된 전하를 상기 수직 전송영역으로 전달하는 제1 전달영역과 상기 제2 광 다이오드에 저장된 전하를 상기 수직 전송영역으로 전달하는 제2 전달영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제3 수직 전송전극은 제1층의 도전층으로 형성되어 있고, 상기 제2 및 제5 수직 전송전극은 제2층의 도전층으로 형성되어 있으며, 상기 제4 수직 전송전극은 제3층의 도전층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자.
- 제2항에 있어서, 상기 제1층 및 제2층의 도전층은 상기 광 다이오드의 배열방향에 대해 수직방향으로 길게 형성되어 있고, 상기 제3층의 도전층은 상기 광 다이오드의 배열방향에 대해 수평방향으로 길게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제5 수직 전송전극이 반도체기판과 접하는 면적은 동일한 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 전달영역은 상기 제1 광 다이오드와 제2 수직 전송전극 사이에 형성되어 있고, 상기 제2 전달영역은 상기 제2 광 다이오드와 제5 수직 전송전극 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자.
- 반도체기판에 수직으로 인접한 제1 및 제2 광 다이오드와 상기 광 다이오드들의 일측면 반도체기판에 수직 전송영역을 형성하는 단계; 반도체기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 전면에 제1층의 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1층의 도전층을 패터닝함으로써 상기 수직 전송영역의 게이트 절연막 상에 소정 거리로 서로 이격된 제1 및 제3 수직 전송전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제3 수직 전송전극 표면에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막이 형성되어 있는 결과물 전면에 제2층의 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2층의 도전층을 패터닝함으로써 상기 제1 수직 전송전극과 제3 수직 전송전극 사이의 영역 및 상기 제3 수직 전송전극과 소정 거리로 이격된 영역의 게이트 절연막 상에 각각 제2 및 제5 수직 전송전극을 형성하는 단계; 상기 제2 및 제5 수직 전송전극 표면에 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 절연막이 형성되어 있는 결과물 전면에 제3층의 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제3층의 도전층을 패터닝함으로써 상기 제3 수직 전송전극과 제5 수직 전송전극 사이의 게이트 절연막 상에 제4 수직 전송전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 내지 제5 수직 전송전극이 반도체기판과 접하는 면적은 동일한 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2 수직 전송전극은 그 일가장자리가 상기 제1 광 다이오드의 일단과 접하도록 형성되고, 상기 제5 수직 전송전극은 그 일가장자리가 상기 제2 광 다이오드의 일단과 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 및 5 수직 전송전극은 상기 광 다이오드의 배열방향에 대해 수직방향으로 배열되도록 형성되고, 제4 수직 전송전극은 상기 광 다이오드의 배열방향에 대해 수평방향으로 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 제조방법.
- 제1 및 제2 광 다이오드에서 전하결합소자의 전송영역으로 전달된 전하들이 제1 내지 제5 수직 전송전극에 가해지는 다섯상(phase)의 각 클럭펄스에 의해 각각 수직으로 전송되는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 구동방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 광 다이오드에 저장된 전하들은 상기 제2 수직 전송전극에 가해지는 클럭펄스에 의해 전송영역으로 전달되고, 상기 제2 광 다이오드에 저장된 전하들은 상기 제5 수직 전송전극에 가해지는 클럭펄스에 의해 전송영역으로 전달되는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 구동방법.
- N개의 광 다이오드에서 전하결합소자의 전송영역으로 전달된 전하들이 제1 내지 2N+1 수직 전송전극에 가해지는 2N+1 상의 각 클럭펄스에 의해 각각 수직으로 전송되는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 구동방법.
- 두개의 전하 다발을 다섯 개의 전송전극에 가해지는 클럭펄스로 전송하는 것을 특징으로 하는 전하결합소자형 고체촬영소자의 구동방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069744A KR0165338B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 |
| US08/768,802 US5801409A (en) | 1995-12-30 | 1996-12-18 | Multiphase charge coupled device solid-state image sensors |
| JP8348165A JPH09205192A (ja) | 1995-12-30 | 1996-12-26 | 電荷結合素子形固体撮像素子とその製造及び駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069744A KR0165338B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054293A true KR970054293A (ko) | 1997-07-31 |
| KR0165338B1 KR0165338B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=19448570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069744A KR0165338B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5801409A (ko) |
| JP (1) | JPH09205192A (ko) |
| KR (1) | KR0165338B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2950317B2 (ja) * | 1998-02-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| KR100271804B1 (ko) * | 1998-06-24 | 2000-11-15 | 김영환 | 고체촬상소자 및 그 구동방법 |
| JP4178638B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2008-11-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| JP2002320143A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931056A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| US4689687A (en) * | 1984-11-13 | 1987-08-25 | Hitachi, Ltd. | Charge transfer type solid-state imaging device |
| JPS62230270A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US5528291A (en) * | 1991-09-25 | 1996-06-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | CCD image pickup device and method of driving which maintains sensitivity regardless of the operating mode |
| JP2975216B2 (ja) * | 1992-06-18 | 1999-11-10 | 三菱電機株式会社 | リニアイメージセンサ及びその駆動方式 |
| EP0869664B1 (en) * | 1992-11-20 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for driving a solid state image sensor |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069744A patent/KR0165338B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-18 US US08/768,802 patent/US5801409A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-26 JP JP8348165A patent/JPH09205192A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09205192A (ja) | 1997-08-05 |
| US5801409A (en) | 1998-09-01 |
| KR0165338B1 (ko) | 1998-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101159032B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| KR940027509A (ko) | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 | |
| KR950034823A (ko) | 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법 | |
| KR20170065935A (ko) | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 | |
| KR950026023A (ko) | 선형 고체영상소자 | |
| US5521405A (en) | Charge transfer device with two-phase two-layered electrode structure and method for fabricating the same | |
| KR100217388B1 (ko) | 전하결합장치 | |
| US5216489A (en) | Solid state image sensor | |
| KR970054293A (ko) | Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법 | |
| KR100193408B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| JP2004129256A (ja) | 累積モードにおける電荷結合素子の暗電流の削減方法 | |
| KR950013197A (ko) | 저저항 게이트전극을 갖는 고체 촬상소자 및 그 제조방법 | |
| US20060214194A1 (en) | Charge coupled device having diverged channel | |
| KR970054421A (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| KR930024178A (ko) | 고체촬상소자 | |
| US5075747A (en) | Charge transfer device with meander channel | |
| EP2166572B1 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
| JPS63310172A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP2008166845A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPS61289659A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03184375A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH025473A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR960006200B1 (ko) | 고체 촬상장치 및 그 제조방법 | |
| KR970054282A (ko) | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR970013395A (ko) | 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090914 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |