JPH025473A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH025473A JPH025473A JP63153503A JP15350388A JPH025473A JP H025473 A JPH025473 A JP H025473A JP 63153503 A JP63153503 A JP 63153503A JP 15350388 A JP15350388 A JP 15350388A JP H025473 A JPH025473 A JP H025473A
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、信号電荷の転送にCCDを用いた固体撮像装
置に係わり、特に高速駆動に適した固体撮像装置に関す
る。
置に係わり、特に高速駆動に適した固体撮像装置に関す
る。
(従来の技術)
近年、撮像管の代わりに半導体受光素子を用い、信号電
荷の転送にCCD (電荷結合素子)を用いた固体撮像
装置が開発されている。この装置は、複数の受光素子を
マトリックス状に配置し、これらの受光素子配列に沿っ
てCCDレジスタ(垂直CCDレジスタ及び水平CCD
レジスタ)を配列したものであり、受光素子に蓄積され
た信号電荷をCCDレジスタにより転送し、該レジスタ
から読出される信号を元に画像情報を得るものである。
荷の転送にCCD (電荷結合素子)を用いた固体撮像
装置が開発されている。この装置は、複数の受光素子を
マトリックス状に配置し、これらの受光素子配列に沿っ
てCCDレジスタ(垂直CCDレジスタ及び水平CCD
レジスタ)を配列したものであり、受光素子に蓄積され
た信号電荷をCCDレジスタにより転送し、該レジスタ
から読出される信号を元に画像情報を得るものである。
ところで、この種の撮像装置に用いられるCCDレジス
タは、CCDチャネル上に複数の転送電極を配置してな
るもので、転送電極に配線電極からタロツクパルスφH
を印加することにより駆動される。第7図は従来の固体
撮像装置におけるCODレジスタ部の構造を示す断面図
である。
タは、CCDチャネル上に複数の転送電極を配置してな
るもので、転送電極に配線電極からタロツクパルスφH
を印加することにより駆動される。第7図は従来の固体
撮像装置におけるCODレジスタ部の構造を示す断面図
である。
図中1はp型シリコン基板、2はn型領域(CODチャ
ネル)、3はゲート酸化膜、4は転送電極、8は層間絶
縁膜、9はコンタクトホール、10はAl配線電極、1
2はp+型領領域13はフィールド酸化膜である。
ネル)、3はゲート酸化膜、4は転送電極、8は層間絶
縁膜、9はコンタクトホール、10はAl配線電極、1
2はp+型領領域13はフィールド酸化膜である。
このようなレジスタ部構成において、CCDレジスタの
転送電極4に対するコンタクトホール9は、CCDチャ
ネル2のない周辺部で膜厚が0.8〜1μmの厚い酸化
膜13の上に形成せざるを得ない。これは、以下の2つ
の理由による。
転送電極4に対するコンタクトホール9は、CCDチャ
ネル2のない周辺部で膜厚が0.8〜1μmの厚い酸化
膜13の上に形成せざるを得ない。これは、以下の2つ
の理由による。
第1に、CCDの埋込みチャネルに近接してLOCO3
法等の厚い酸化膜を形成する素子分離工程を行うと、厚
い酸化膜の端部に結晶欠陥が発生して白キズの原因とな
る。従って、素子分離のためのフィールド酸化膜は、C
ODチャネル及び画素を配列した有効領域とは十分に離
して形成しなければならない。第2に、CCDの埋込み
チャネルの上部で転送電極に対するコンタクトホールを
RIE(リアクティブ・イオン・エツチング)等のプラ
ズマを用いた異方性エツチングによって形成すると、こ
の工程によるゲート酸化膜のダメージによって転送電極
からの電荷注入が起こり、画像欠陥が発生する。
法等の厚い酸化膜を形成する素子分離工程を行うと、厚
い酸化膜の端部に結晶欠陥が発生して白キズの原因とな
る。従って、素子分離のためのフィールド酸化膜は、C
ODチャネル及び画素を配列した有効領域とは十分に離
して形成しなければならない。第2に、CCDの埋込み
チャネルの上部で転送電極に対するコンタクトホールを
RIE(リアクティブ・イオン・エツチング)等のプラ
ズマを用いた異方性エツチングによって形成すると、こ
の工程によるゲート酸化膜のダメージによって転送電極
からの電荷注入が起こり、画像欠陥が発生する。
以上の2つの理由によって、CCDレジスタの転送電極
に対するコンタクトホールは、CCDチャネル更には画
素セルを配置した有効領域の周辺部で、フィールド酸化
膜上に形成せざるを得ない。
に対するコンタクトホールは、CCDチャネル更には画
素セルを配置した有効領域の周辺部で、フィールド酸化
膜上に形成せざるを得ない。
そして、このコンタクトホールからCCDチャネル上に
伸びる転送電極の長さは、例えば1インチフォーマット
の高精細テレビジョン用2次元固体撮像装置においては
、14+uaにも及ぶ。CCDレジスタの転送電極は通
常、多結晶シリコンによって形成され、幅4μmで長さ
14inの多結晶シリコンの抵抗値は約10OKΩ以上
となる。この転送電極の抵抗値による印加パルスの遅延
や波形歪みの影響、及び電力消費量は無視できないもの
となる。
伸びる転送電極の長さは、例えば1インチフォーマット
の高精細テレビジョン用2次元固体撮像装置においては
、14+uaにも及ぶ。CCDレジスタの転送電極は通
常、多結晶シリコンによって形成され、幅4μmで長さ
14inの多結晶シリコンの抵抗値は約10OKΩ以上
となる。この転送電極の抵抗値による印加パルスの遅延
や波形歪みの影響、及び電力消費量は無視できないもの
となる。
特に、信号電荷を高速で転送する水平CCDレジスタの
部分では、転送電極の負荷抵抗は消費電力を増大させる
大きな要因であり、可能な限り低い負荷抵抗を実現する
ことが大きな課題となっている。
部分では、転送電極の負荷抵抗は消費電力を増大させる
大きな要因であり、可能な限り低い負荷抵抗を実現する
ことが大きな課題となっている。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来、転送電極に対するコンタクトホールを
フィールド酸化膜上に形成しているため、転送電極の負
荷抵抗が大きくなり、CCDレジスタを高速駆動できな
い問題があった。また、転送電極の負荷抵抗を小さくす
るためコンタクトホールをCCDレジスタのチャネル上
に形成すると、コンタクトホール形成時に転送電極下の
ゲート酸化膜にダメージが生じ、画像欠陥を招く問題が
あった。
フィールド酸化膜上に形成しているため、転送電極の負
荷抵抗が大きくなり、CCDレジスタを高速駆動できな
い問題があった。また、転送電極の負荷抵抗を小さくす
るためコンタクトホールをCCDレジスタのチャネル上
に形成すると、コンタクトホール形成時に転送電極下の
ゲート酸化膜にダメージが生じ、画像欠陥を招く問題が
あった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、コンタクトホール形成による転送電
極下のゲート酸化膜へのダメージを低減することができ
、且つ転送電極の負荷抵抗を低減することができ、高速
駆動に適した固体撮像装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
的とするところは、コンタクトホール形成による転送電
極下のゲート酸化膜へのダメージを低減することができ
、且つ転送電極の負荷抵抗を低減することができ、高速
駆動に適した固体撮像装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明の骨子は、転送電極上にバッファ電極を形成する
ことにより、コンタクトホール形成時における転送電極
下のゲート酸化膜のダメージを軽減することにある。
ことにより、コンタクトホール形成時における転送電極
下のゲート酸化膜のダメージを軽減することにある。
即ち本発明は、半導体基板上に形成された複数の受光素
子と、これらの受光素子に蓄積された信号電荷を転送す
るCCDレジスタと、該CCDレジスタの転送電極にク
ロックパルスを印加する配線電極と、転送電極と配線電
極との間に介在されこれらの電極を電気的に接続するた
めのコンタクトホールが形成された層間絶縁膜とを備え
た固体撮像装置において、前記転送電極上にバッファ電
極を設け、且つ前記転送電極と配線電極とを接続するた
めのコンタクトホールを前記CCDレジスタのチャネル
上に設けるようにしたものである。
子と、これらの受光素子に蓄積された信号電荷を転送す
るCCDレジスタと、該CCDレジスタの転送電極にク
ロックパルスを印加する配線電極と、転送電極と配線電
極との間に介在されこれらの電極を電気的に接続するた
めのコンタクトホールが形成された層間絶縁膜とを備え
た固体撮像装置において、前記転送電極上にバッファ電
極を設け、且つ前記転送電極と配線電極とを接続するた
めのコンタクトホールを前記CCDレジスタのチャネル
上に設けるようにしたものである。
また本発明は、上記構成の固体撮像装置の製造方法にお
いて、前記CCDレジスタの転送電極を形成した後、全
面に薄い第1の絶縁膜を形成し、次いでこの第1の絶縁
膜の前記CCDレジスタのチャネル上で且つ前記転送電
極上に位置する部位に第1のコンタクトホールを形成し
、次いで前記第1の絶縁膜上及び第1のコンタクトホー
ル内にバッファ電極を形成し、次いで全面に厚い第2の
絶縁膜を形成し、次いでこの第2の絶縁膜の前記CCD
チャネル上で且つ前記バッファ電極上に位置する部位に
第2のコンタクトホールを形成し、しかるのち前記第2
の絶縁膜上及び第2のコンタクトホール内に配線電極を
形成するようにした方法である。
いて、前記CCDレジスタの転送電極を形成した後、全
面に薄い第1の絶縁膜を形成し、次いでこの第1の絶縁
膜の前記CCDレジスタのチャネル上で且つ前記転送電
極上に位置する部位に第1のコンタクトホールを形成し
、次いで前記第1の絶縁膜上及び第1のコンタクトホー
ル内にバッファ電極を形成し、次いで全面に厚い第2の
絶縁膜を形成し、次いでこの第2の絶縁膜の前記CCD
チャネル上で且つ前記バッファ電極上に位置する部位に
第2のコンタクトホールを形成し、しかるのち前記第2
の絶縁膜上及び第2のコンタクトホール内に配線電極を
形成するようにした方法である。
(作 用)
本発明によれば、転送電極の上部に他の電極層や絶縁層
を積み重ねることによって、転送電極に対するコンタク
トホール(第2のコンタクトホール)の形成工程による
転送電極下のゲート酸化膜のダメージを軽減することが
できる。また、バッファ電極と転送電極間のバッファ絶
縁膜(第1の絶縁膜)を3000Å以下と薄く形成し、
これにウェットエツチングでコンタクトホール(第1の
コンタクトホール)を形成すれば、該コンタクトホール
形成によるダメージをなくすことができる。
を積み重ねることによって、転送電極に対するコンタク
トホール(第2のコンタクトホール)の形成工程による
転送電極下のゲート酸化膜のダメージを軽減することが
できる。また、バッファ電極と転送電極間のバッファ絶
縁膜(第1の絶縁膜)を3000Å以下と薄く形成し、
これにウェットエツチングでコンタクトホール(第1の
コンタクトホール)を形成すれば、該コンタクトホール
形成によるダメージをなくすことができる。
従って、CCDレジスタのチャネル上にコンタクトホー
ルを形成するにも拘らず、転送電極下のゲート酸化膜に
対するダメージを低減することができ、画像欠陥を招く
ことなしに転送電極の負荷抵抗を低減することが可能と
なる。
ルを形成するにも拘らず、転送電極下のゲート酸化膜に
対するダメージを低減することができ、画像欠陥を招く
ことなしに転送電極の負荷抵抗を低減することが可能と
なる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係わる固体撮像装置の
CCDレジスタ部の構成を示す断面図である。p型シリ
コン基板1の表面にn型CCD埋込みチャネル2が形成
され、基板1上にはゲート酸化膜3を介して多結晶シリ
コンからなる転送電極4が形成されている。また、CC
Dチャネル2の周辺部にはフィールド酸化膜13が形成
され、この酸化膜13の下にはp+型領領域12形成さ
れている。
CCDレジスタ部の構成を示す断面図である。p型シリ
コン基板1の表面にn型CCD埋込みチャネル2が形成
され、基板1上にはゲート酸化膜3を介して多結晶シリ
コンからなる転送電極4が形成されている。また、CC
Dチャネル2の周辺部にはフィールド酸化膜13が形成
され、この酸化膜13の下にはp+型領領域12形成さ
れている。
ここまでの構成は従来装置と同様であり、本実施例がこ
れと異なる点は、バッファ電極及びバッファ絶縁膜を設
けたことにある。即ち、転送電極4及びフィールド酸化
膜13を上には、第1の絶縁膜として厚さ2000人の
バッファ絶縁膜(SiO□)5が設けられ、この絶縁膜
5の一部には第1のコンタクトホール6が形成されてい
る。
れと異なる点は、バッファ電極及びバッファ絶縁膜を設
けたことにある。即ち、転送電極4及びフィールド酸化
膜13を上には、第1の絶縁膜として厚さ2000人の
バッファ絶縁膜(SiO□)5が設けられ、この絶縁膜
5の一部には第1のコンタクトホール6が形成されてい
る。
また、絶縁膜5上及びコンタクトホール6内には多結晶
シリコンからなる厚さ4ooo人のバッファ電極7が形
成されている。そして、バッファ電極7及び絶縁膜5上
に、従来と同様に第2の絶縁膜としての層間絶縁膜(S
i02)8及び配線電極10が設けられている。なお、
層間絶縁膜8に形成する第2のコンタクトホール9はフ
ィールド酸化膜13上ではなく、CODチャネル2上に
形成されるものとなっている。
シリコンからなる厚さ4ooo人のバッファ電極7が形
成されている。そして、バッファ電極7及び絶縁膜5上
に、従来と同様に第2の絶縁膜としての層間絶縁膜(S
i02)8及び配線電極10が設けられている。なお、
層間絶縁膜8に形成する第2のコンタクトホール9はフ
ィールド酸化膜13上ではなく、CODチャネル2上に
形成されるものとなっている。
第2図は本実施例装置の製造工程を示す断面図である。
まず、第2図(a)に示す如く、n型CCD埋込みチャ
ネル2.ゲート酸化膜3.p+領域12及びフィールド
酸化膜13が形成されたp型シリコン基板1上に、多結
晶シリコンからなる厚さ4000人の転送電極4を形成
する。この転送電極4は、CCDチャネル方向と直交す
る方向に両端部がフィールド酸化膜13の上に僅かに重
なるように配置し、且つCCDチャネル方向に沿って複
数個配列する。続いて、全面に厚さ2000人のバッフ
ァ絶縁膜5を形成し、例えばNH4Fを用いて絶縁膜5
のチャネル上にコンタクトホール6を形成する。このと
き、絶縁膜5が薄いので、NH4Fを用いたウェットエ
ツチングでも十分にコンタクトホール6を形成すること
ができ、さらに転送電極4下のゲート酸化膜3にダメー
ジを与えることはなかった。
ネル2.ゲート酸化膜3.p+領域12及びフィールド
酸化膜13が形成されたp型シリコン基板1上に、多結
晶シリコンからなる厚さ4000人の転送電極4を形成
する。この転送電極4は、CCDチャネル方向と直交す
る方向に両端部がフィールド酸化膜13の上に僅かに重
なるように配置し、且つCCDチャネル方向に沿って複
数個配列する。続いて、全面に厚さ2000人のバッフ
ァ絶縁膜5を形成し、例えばNH4Fを用いて絶縁膜5
のチャネル上にコンタクトホール6を形成する。このと
き、絶縁膜5が薄いので、NH4Fを用いたウェットエ
ツチングでも十分にコンタクトホール6を形成すること
ができ、さらに転送電極4下のゲート酸化膜3にダメー
ジを与えることはなかった。
次いで、第2図(b)に示す如く、全面に多結晶シリコ
ンからなる厚さ4000人のバッファ電極7を形成し、
このバッファ電極7を一部エッチング除去し、該電極7
をCCDチャネル2上に残す。このバッファ電極7を形
成することが本実施例の特徴である。
ンからなる厚さ4000人のバッファ電極7を形成し、
このバッファ電極7を一部エッチング除去し、該電極7
をCCDチャネル2上に残す。このバッファ電極7を形
成することが本実施例の特徴である。
次いで、全面に厚さ 1.5μmの層間絶縁膜8を形成
し、この絶縁膜8の一部にコンタクトホール9を形成す
る。ここで、コンタクトホール9は、CCDチャネル上
に複数個設けた。このコンタクトホール9の形成にはR
IE等のドライエツチングを用いたが、転送電極4上に
バッファ電極7が存在することから、該エツチングによ
るゲート酸化膜3へのダメージは極めて小さいものであ
った。
し、この絶縁膜8の一部にコンタクトホール9を形成す
る。ここで、コンタクトホール9は、CCDチャネル上
に複数個設けた。このコンタクトホール9の形成にはR
IE等のドライエツチングを用いたが、転送電極4上に
バッファ電極7が存在することから、該エツチングによ
るゲート酸化膜3へのダメージは極めて小さいものであ
った。
これ以降は、配線電極10としてのA、9等を堆積形成
し、続いてこれを所望パターンに選択エツチングするこ
とによって、前記第1図に示す構造が実現されることに
なる。
し、続いてこれを所望パターンに選択エツチングするこ
とによって、前記第1図に示す構造が実現されることに
なる。
なお、第1図に示すCCDレジスタは水平CCDレジス
タであり、シリコン基板1上にはフォトダイオード等の
受光素子(図示せず)がマトリックス状に配列されると
共に、該受光素子配列に沿って垂直CCDレジスタ(図
示せず)が配列形成されている。そして、受光素子に蓄
積された信号電荷を垂直CCDレジスタにより垂直方向
に転送して水平CCDレジスタに供給し、水平CCDレ
ジスタにより1ライン毎の信号電荷を水平方向に転送し
て読出すことにより画像情報を得るものとなっている。
タであり、シリコン基板1上にはフォトダイオード等の
受光素子(図示せず)がマトリックス状に配列されると
共に、該受光素子配列に沿って垂直CCDレジスタ(図
示せず)が配列形成されている。そして、受光素子に蓄
積された信号電荷を垂直CCDレジスタにより垂直方向
に転送して水平CCDレジスタに供給し、水平CCDレ
ジスタにより1ライン毎の信号電荷を水平方向に転送し
て読出すことにより画像情報を得るものとなっている。
また、配線電極は第3図に平面図を示す如く、CODチ
ャネル2を挟んで両側に平行配置し、それぞれの電極1
0.10’から櫛羽上にCCDチャネル2上に一部延ば
し、CCDチャネル2上のコンタクトホール9,9′で
配線電極10.10’と転送電極4.4′との電気的接
続を行った。なお、この実施例では転送電極は2相駆動
としている。さらに、配線電極10.10’の配置例と
して、第4図に示す如く、該電極10.10’をCCD
チャネル2上に設けるようにしてもよい。
ャネル2を挟んで両側に平行配置し、それぞれの電極1
0.10’から櫛羽上にCCDチャネル2上に一部延ば
し、CCDチャネル2上のコンタクトホール9,9′で
配線電極10.10’と転送電極4.4′との電気的接
続を行った。なお、この実施例では転送電極は2相駆動
としている。さらに、配線電極10.10’の配置例と
して、第4図に示す如く、該電極10.10’をCCD
チャネル2上に設けるようにしてもよい。
この場合、層間絶縁膜8に形成するコンタクトホール9
,9′を、接続すべき配線電極10.10’に合わせて
該電極10.10’の下に設ければよい。
,9′を、接続すべき配線電極10.10’に合わせて
該電極10.10’の下に設ければよい。
このように本実施例によれば、転送電極4の上にバッフ
ァ電極7を設け、転送電極4と配線電極10との電気的
接続のためのコンタクトホール9をCCDチャネル2上
に設けているので、転送電極4の負荷抵抗を大幅に低減
することができる。
ァ電極7を設け、転送電極4と配線電極10との電気的
接続のためのコンタクトホール9をCCDチャネル2上
に設けているので、転送電極4の負荷抵抗を大幅に低減
することができる。
さらに、CCDチャネル2上にコンタクトホール9を形
成しているが、転送電極4の上にバッファ電極7が存在
することから、このコンタクトホール形成の際にゲート
酸化膜3に与えるダメージを軽減することができ、画像
欠陥の発生を防止することができる。また、転送電極4
と配線電極10とのコンタクトをCCDチャネル2上で
とることから、フィールド酸化膜13上に転送電極4を
長く延長する必要がなくなり、これにより転送電極4の
負荷容量を低減することもできる。
成しているが、転送電極4の上にバッファ電極7が存在
することから、このコンタクトホール形成の際にゲート
酸化膜3に与えるダメージを軽減することができ、画像
欠陥の発生を防止することができる。また、転送電極4
と配線電極10とのコンタクトをCCDチャネル2上で
とることから、フィールド酸化膜13上に転送電極4を
長く延長する必要がなくなり、これにより転送電極4の
負荷容量を低減することもできる。
従って、転送電極4における電力消費量の低減及び駆動
パルスの遅延や歪み等の低減をはかることができ、信号
電荷の転送効率を向上させて高速駆動が可能となる。こ
れにより、例えば2000万画素上の画素数が必要とさ
れる1インチフォーマットの高精細テレビジョン用固体
撮像装置を実現する場合には、水平CCDレジスタにお
ける十分な転送効率を確保した上で、消費電力の大幅な
低減が達成される。
パルスの遅延や歪み等の低減をはかることができ、信号
電荷の転送効率を向上させて高速駆動が可能となる。こ
れにより、例えば2000万画素上の画素数が必要とさ
れる1インチフォーマットの高精細テレビジョン用固体
撮像装置を実現する場合には、水平CCDレジスタにお
ける十分な転送効率を確保した上で、消費電力の大幅な
低減が達成される。
第5図は本発明の第2の実施例の要部構成を示す断面図
である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して
、その詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明し
た実施例と異なる点は、第1のコンタクトホール6の形
成に際し、後に形成する第2のコンタクトホール9の下
になる部分にバッファ絶縁膜5を残す構造としたことに
ある。
である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して
、その詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明し
た実施例と異なる点は、第1のコンタクトホール6の形
成に際し、後に形成する第2のコンタクトホール9の下
になる部分にバッファ絶縁膜5を残す構造としたことに
ある。
このような構成であれば、先の第1の実施例に比べて絶
縁膜5の膜厚分だけ、コンタクトホール9からゲート酸
化膜3までの距離が長くなり、ゲート酸化膜3に対する
ダメージをより軽減することができる。
縁膜5の膜厚分だけ、コンタクトホール9からゲート酸
化膜3までの距離が長くなり、ゲート酸化膜3に対する
ダメージをより軽減することができる。
第6図は本発明の第3の実施例の要部構成を示す断面図
である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して
、その詳しい説明は省略する。この実施例は、先の第2
の実施例に加え、第2のコンタクトホール9を形成する
部分の下部にバッファ電極10とは別のバッファ電極1
1を追加した構造としたものである。このような構成で
あれば、先の第2の実施例に比べて、バッファ電極11
の膜厚分だけゲート酸化膜3に対するダメージをさらに
小さくすることができる。
である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して
、その詳しい説明は省略する。この実施例は、先の第2
の実施例に加え、第2のコンタクトホール9を形成する
部分の下部にバッファ電極10とは別のバッファ電極1
1を追加した構造としたものである。このような構成で
あれば、先の第2の実施例に比べて、バッファ電極11
の膜厚分だけゲート酸化膜3に対するダメージをさらに
小さくすることができる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。例えば、第1の絶縁膜の膜厚は20
00人に限るものではなく、NH4F等の溶液エツチン
グで選択エツチングできる厚さであればよく、−殻内に
は3000Å以下であればよい。同様にバッファ電極の
膜厚も4000人に何等限定されるものではなく、仕様
に応じて適宜変更可能である。また、転送電極は2相駆
動に何等限定されるものではなく、3相駆動や4相駆動
に適用することが可能である。
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。例えば、第1の絶縁膜の膜厚は20
00人に限るものではなく、NH4F等の溶液エツチン
グで選択エツチングできる厚さであればよく、−殻内に
は3000Å以下であればよい。同様にバッファ電極の
膜厚も4000人に何等限定されるものではなく、仕様
に応じて適宜変更可能である。また、転送電極は2相駆
動に何等限定されるものではなく、3相駆動や4相駆動
に適用することが可能である。
また、前記バッファ電極7に対するコンタクトホール6
を形成する部分の第1の絶縁膜5とバッファ電極7との
間に、バッファ電極7が接続される転送電極4とは異な
る転送電極を形成するようにしてもよい。この場合、第
3図の構造と略等しい断面構造となり、第3図の構造と
異なるのは、バッファ電極11に対応する部分がCOD
の転送電極の一部となることである。そして、バッファ
電極11形成のために新たな電極層の追加を必要としな
いので、第3の実施例に比べて形成工程を短縮すること
が可能である。
を形成する部分の第1の絶縁膜5とバッファ電極7との
間に、バッファ電極7が接続される転送電極4とは異な
る転送電極を形成するようにしてもよい。この場合、第
3図の構造と略等しい断面構造となり、第3図の構造と
異なるのは、バッファ電極11に対応する部分がCOD
の転送電極の一部となることである。そして、バッファ
電極11形成のために新たな電極層の追加を必要としな
いので、第3の実施例に比べて形成工程を短縮すること
が可能である。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、CODレジスタの
転送電極上にバッファ電極を設けることにより、転送電
極と配線電極とを電気的に接続するためのコンタクトホ
ールを、画像欠陥や暗電流を増加させずにCCDチャネ
ルの上に形成することが可能となる。従って、転送電極
における負荷抵抗及び負荷容量が低減されることになり
、CODレジスタ駆動に要する電力の消費を大幅に低減
することができる。また、転送電極に印加される駆動パ
ルスの遅延や歪みが軽減できるため、信号電荷の転送効
率が向上し、より高速の駆動が可能となる。
転送電極上にバッファ電極を設けることにより、転送電
極と配線電極とを電気的に接続するためのコンタクトホ
ールを、画像欠陥や暗電流を増加させずにCCDチャネ
ルの上に形成することが可能となる。従って、転送電極
における負荷抵抗及び負荷容量が低減されることになり
、CODレジスタ駆動に要する電力の消費を大幅に低減
することができる。また、転送電極に印加される駆動パ
ルスの遅延や歪みが軽減できるため、信号電荷の転送効
率が向上し、より高速の駆動が可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例に係わる固体撮像装置の
CODレジスタ部構成を示す断面図、第2図は上記実施
例装置の製造工程を示す断面図、第3図は上記実施例装
置のCODレジスタ部構成を示す平面図、第4図はCC
Dレジスタ部構成の変形例を示す平面図、第5図は本発
明の第2の実施例の要部構成を示す断面図、第6図は本
発明の第3の実施例の要部構成を示す断面図、第7図は
従来装置の要部構成を示す断面図である。 1・・・p型シリコン基板、2・・・n型領域(CCD
埋込みチャネル)、3・・・ゲート酸化膜、4・・・転
送電極、5・・・バッファ絶縁膜(第1の絶縁膜)、6
・・・第1のコンタクトホール、7.11・・・バッフ
ァ電極、8・・・層間絶縁膜(第2の絶縁M)9・・・
第2のコンタクトホール、10・・・配線電極、12・
・・pや型領域、13・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 (a) (c) 第2図 第 第 図 図
CODレジスタ部構成を示す断面図、第2図は上記実施
例装置の製造工程を示す断面図、第3図は上記実施例装
置のCODレジスタ部構成を示す平面図、第4図はCC
Dレジスタ部構成の変形例を示す平面図、第5図は本発
明の第2の実施例の要部構成を示す断面図、第6図は本
発明の第3の実施例の要部構成を示す断面図、第7図は
従来装置の要部構成を示す断面図である。 1・・・p型シリコン基板、2・・・n型領域(CCD
埋込みチャネル)、3・・・ゲート酸化膜、4・・・転
送電極、5・・・バッファ絶縁膜(第1の絶縁膜)、6
・・・第1のコンタクトホール、7.11・・・バッフ
ァ電極、8・・・層間絶縁膜(第2の絶縁M)9・・・
第2のコンタクトホール、10・・・配線電極、12・
・・pや型領域、13・・・フィールド酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 (a) (c) 第2図 第 第 図 図
Claims (4)
- (1)半導体基板上に形成された複数の受光素子と、こ
れらの受光素子に蓄積された信号電荷を転送するCCD
レジスタと、該CCDレジスタの転送電極にクロックパ
ルスを印加する配線電極と、転送電極と配線電極との間
に介在されこれらの電極を電気的に接続するためのコン
タクトホールが形成された層間絶縁膜とを備えた固体撮
像装置において、 前記転送電極上にバッファ電極を設け、且つ前記転送電
極と配線電極とを接続するためのコンタクトホールを前
記CCDレジスタのチャネル上に設けてなることを特徴
とする固体撮像装置。 - (2)半導体基板上に形成された複数の受光素子と、こ
れらの受光素子に蓄積された信号電荷を転送するCCD
レジスタと、該CCDレジスタの転送電極にクロックパ
ルスを印加する配線電極とを備えた固体撮像装置の製造
方法において、 前記CCDレジスタの転送電極を形成したのち全面に第
1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の前記
CCDレジスタのチャネル上で且つ前記転送電極上に位
置する部位に第1のコンタクトホールを形成する工程と
、前記第1の絶縁膜上及び第1のコンタクトホール内に
バッファ電極を形成する工程と、次いで全面に第2の絶
縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の前記CCD
レジスタのチャネル上で且つ前記バッファ電極上に位置
する部位に第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び第2のコンタクトホール内に配
線電極を形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮
像装置の製造方法。 - (3)前記第1の絶縁膜を前記第2の絶縁膜に対して薄
く形成し、前記第1のコンタクトホールをウェットエッ
チングにより形成し、前記第2のコンタクトホールをド
ライエッチングにより形成したことを特徴とする請求項
2記載の固体撮像装置の製造方法。 - (4)前記第2のコンタクトホールを、前記第1のコン
タクトホールの位置とずらして形成したことを特徴とす
る請求項2記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63153503A JP2714000B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63153503A JP2714000B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH025473A true JPH025473A (ja) | 1990-01-10 |
JP2714000B2 JP2714000B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15563982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63153503A Expired - Fee Related JP2714000B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2714000B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02228044A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
JPH04239172A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7378610B2 (en) | 2003-11-27 | 2008-05-27 | Tsubakimoto Chain Co. | Mail sorting and distributing transfer system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038869A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-28 | Nec Corp | 二次元ccdイメ−ジセンサ |
JPS6050949A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63153503A patent/JP2714000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038869A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-28 | Nec Corp | 二次元ccdイメ−ジセンサ |
JPS6050949A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02228044A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
JPH04239172A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7378610B2 (en) | 2003-11-27 | 2008-05-27 | Tsubakimoto Chain Co. | Mail sorting and distributing transfer system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2714000B2 (ja) | 1998-02-16 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |