KR970051265A - 반도체 메모리 장치의 초기화 회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 초기화 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970051265A
KR970051265A KR1019950065875A KR19950065875A KR970051265A KR 970051265 A KR970051265 A KR 970051265A KR 1019950065875 A KR1019950065875 A KR 1019950065875A KR 19950065875 A KR19950065875 A KR 19950065875A KR 970051265 A KR970051265 A KR 970051265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
generating
initialization
signal
predetermined
Prior art date
Application number
KR1019950065875A
Other languages
English (en)
Inventor
박찬석
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950065875A priority Critical patent/KR970051265A/ko
Publication of KR970051265A publication Critical patent/KR970051265A/ko

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치의 초기화 회로를 공개한다. 그 회로는 파워 업시 외부전원이 일정레벨 이상 증가하면 인에이블 신호를 발생하기 위한 스타트 업 수단, 소정전압을 발생하기 위한 전압 발생수단, 상기 소정전압을 감지하여 상기 소정 전압이 목표값에 도달하여 상기 전압 발생수단의 동작을 멈추게 히기 위한 제1전압 감지수단, 상기 목표값보다 낮은 감지레벨을 가지며, 상기 소전전압이 상기 감지레벨에 도달하면 제어신호를발생하기 위한 제2전압 감지수단, 및 상기 인에이블 신호에 의해서 인에이블되고 상기 제어신호에 응답하여 초기화 신호를 발생하기 위한 초기화 수단을 구성되어 있다. 따라서 메모리 장치의 오동작을 방지할 수 있다.

Description

반도체 메모리 장치의 초기화 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 초기화 회로의 블럭도이다.

Claims (2)

  1. 파워 업시 외부전원이 일정레벨 이상 증가하면 인에이블 신호를 발생하기 위한 스타트 업 수단; 소정전압을 발생하기 위한 전압 발생수단 ; 상기 소정전압을 감지하여 상기 소정전압이 목표값에 도달하여 상기 전압발생수단의 동작을 멈추게 하기 위한 제1전압 감지수단; 상기 목표값보다 낮은 감지레벨을 가지며 상기 소정전압이 상기 감지레벨에 도달하면 제어신호를 발생하기 위한 제2전압 감시수단; 및 상기 인에이블 신호에 의해서 인에이블되고, 상기 제어신호에 응답하여 초기화 신호를 발생하기 위한 초기화 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 ㅔㅁ모리 장치의 초기화 회로
  2. 제1항에 있어서, 초기화회로의 출력신호에 제어되어 데이터 라인의 프리차이지 전압을 발생하는 VBL회로를 구비함을 특징으로 하는 메모리 장치의 초기화 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950065875A 1995-12-29 1995-12-29 반도체 메모리 장치의 초기화 회로 KR970051265A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065875A KR970051265A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체 메모리 장치의 초기화 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065875A KR970051265A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체 메모리 장치의 초기화 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970051265A true KR970051265A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66624242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950065875A KR970051265A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체 메모리 장치의 초기화 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970051265A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100376871B1 (ko) * 2000-11-28 2003-03-19 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100426489B1 (ko) * 2002-07-09 2004-04-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 초기화 제어 회로
KR100524908B1 (ko) * 1998-08-28 2005-12-30 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 초기화 회로
KR100581444B1 (ko) * 1997-06-27 2006-07-25 가부시끼가이샤 도시바 전원인가시집적회로응답을제어하기위한장치
KR100937948B1 (ko) * 2008-06-04 2010-01-21 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 생성회로와 생성 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581444B1 (ko) * 1997-06-27 2006-07-25 가부시끼가이샤 도시바 전원인가시집적회로응답을제어하기위한장치
KR100524908B1 (ko) * 1998-08-28 2005-12-30 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 초기화 회로
KR100376871B1 (ko) * 2000-11-28 2003-03-19 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100426489B1 (ko) * 2002-07-09 2004-04-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 초기화 제어 회로
KR100937948B1 (ko) * 2008-06-04 2010-01-21 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 생성회로와 생성 방법
US7852129B2 (en) 2008-06-04 2010-12-14 Hynix Semiconductor Inc. Power up signal generation circuit and method for generating power up signal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910003665A (ko) 반도체 기억 회로
KR950001777A (ko) 반도체 기억 장치
KR910003676A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR920010638A (ko) 반도체 기억장치
KR900002304A (ko) 반도체 기억장치
KR970051265A (ko) 반도체 메모리 장치의 초기화 회로
KR960043523A (ko) 클램프기능을 가지는 데이타 출력버퍼
KR950015368A (ko) 반도체 메모리 소자의 데이타 출력장치
KR960019307A (ko) 반도체 메모리장치
KR960030399A (ko) 반도체 장치 및 이 반도체 장치의 클럭 신호 제어 방법
KR970063257A (ko) 안정된 비트라인 프리차지용 전압 발생기
KR970051099A (ko) 반도체 메모리 장치의 저전압 감지회로
KR980005006A (ko) Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR970023359A (ko) 워드라인 구동기용 부트스트랩회로
KR970051262A (ko) 비트라인 클램프 회로
KR830003835A (ko) 무정전 장치
KR910013275A (ko) 반도체 소자의 파워엎 안정회로
KR960012030A (ko) 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로
KR970051094A (ko) 과전압 보호 회로를 갖는 메모리 소자
KR970029750A (ko) 전압레벨 검출회로
KR930003144A (ko) 자동리프레쉬 동작중의 메모리셀 데이타 보호장치
KR970051259A (ko) 센스 증폭기의 워드 라인 제어 회로
KR910013276A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR970076878A (ko) 동적 메모리 장치의 테스트 회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination