KR970023756A - 반도체장치의 스페이서 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 스페이서 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 스페이서 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명의 방법은 반도체기판상에 형성된 패턴위에 스페이서막을 형성시키는 단계, 상기 스페이서막 위에 스페이서막보다 에칭 선택비가 낮은 이질막을 형성시키는 단계 및 상기 이질막과 스페이서막을 전체적으로 에칭 하여 스페이서를 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체장치의 스페이서 형성에서 오버에칭시에도 스페이서 하부의 두께를 일정하게 유지할 수 있는 효과를 가진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 스페이서(Spacer) 형성공정을 나타낸 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체기판상에 형성된 패턴위에 스페이서막을 형성시키는 단계 ; 상기 스페이서 막 위에 스페이서 막보다 에칭선택비가 낮은 이질막을 형성시키는 단계; 및 상기 이질막과 스페이서막은 전체적으로 에칭하여 스페이서를 형성시키는 단계 ; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 의 스페이서 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037801A KR970023756A (ko) | 1995-10-28 | 1995-10-28 | 반도체장치의 스페이서 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037801A KR970023756A (ko) | 1995-10-28 | 1995-10-28 | 반도체장치의 스페이서 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023756A true KR970023756A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037801A KR970023756A (ko) | 1995-10-28 | 1995-10-28 | 반도체장치의 스페이서 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023756A (ko) |
-
1995
- 1995-10-28 KR KR1019950037801A patent/KR970023756A/ko not_active Application Discontinuation
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