KR970022572A - 투영노광장치 - Google Patents

투영노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970022572A
KR970022572A KR1019960043599A KR19960043599A KR970022572A KR 970022572 A KR970022572 A KR 970022572A KR 1019960043599 A KR1019960043599 A KR 1019960043599A KR 19960043599 A KR19960043599 A KR 19960043599A KR 970022572 A KR970022572 A KR 970022572A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
exposure apparatus
projection exposure
optical system
projection
Prior art date
Application number
KR1019960043599A
Other languages
English (en)
Inventor
노리아키 도쿠다
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 니콘 가부시키가이샤 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR970022572A publication Critical patent/KR970022572A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

투영노광장치, 특히 엑시머 스테퍼의 투영광학계를 구성하는 합성석영으로 이루어진 렌즈 엘리먼트가 제1온도조정기에 의해, 예를들면 ±0.01℃이 정밀도로 온도조정되고, 형석으로 이루어진 렌즈 엘리먼트가 제2온도조정기에 의해 예를들면 km0.005℃의 정밀도로 온도제어된다. 따라서, 투영광학계가 온도팽창율이 다른 렌즈 엘리먼트를 포함하고 있어도 각 렌즈 엘리먼트에 적합한 정밀도로 온도 조정할 수 있다. 따라서, 장치의 대형화를 초래하지 않으면 파장이 짧은 노광광원을 이용한 경우도 양호한 결상특성이 얻어진다.

Description

투영노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 투영노광장치의 일실시예의 개략구성을 나타내는 도면.

Claims (9)

  1. 마스크에 형성된 패턴으로 감광기판을 노광하는 투영노광장치에 있어서, 마스크를 조명하기 위한 조명계와; 마스크의 패턴을 감광 기판상에 투영하기 위한 투영광학계와; 그 투영광학계의 적어도 두 개의 영역의 온도를 각각 독립하여 조절하기 위한 적어도 두 개의 온도제어장치를 갖춘 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 온도제어장치의 온도조정 정밀도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 투영노광장치 .
  3. 제2항에 있어서, 상기 투영광학계의 적어도 두 개의 영역에 포함되는 렌즈 엘리먼트를 구성하는 재료가 서로 다른 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 투영광학계가 합성석영으로 만들어진 렌즈 엘리먼트와 형석으로 만들어진 렌즈 엘리먼트를 포함하고, 합성석영으로 만들어진 렌즈 엘리먼트를 제1온도조정장치로 온도조정하고, 형석으로 만들어진 렌즈 엘리먼트를 제2온도조정장치에 의해 온도조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 제2온도조정장치가, 제1온도조정장치보다 높은 정밀도로 온도조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치 .
  6. 제1항에 있어서, 상기 각 온도조정장치는 상기 투영광학계에 장착된 온도조정 재킷과, 이 온도조정 재킷내를 흐르는 유체의 온도를 조정하는 온도조정기를 가지는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 온도조정 재킷내부에 온도 센서를 갖추고, 그 온도센서에서 측정된 온도에 의거하여 재킷내를 흐르는 유체의 온도를 조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조명계가 엑시머레이저를 광원으로서 갖추는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  9. 제1항에 있어서, 일괄 노광형 투영노광장치 또는 주사형 투영노광장치인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960043599A 1995-10-03 1996-10-02 투영노광장치 KR970022572A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7279783A JPH09102454A (ja) 1995-10-03 1995-10-03 投影露光装置
JP95-279783 1995-10-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970022572A true KR970022572A (ko) 1997-05-30

Family

ID=17615860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960043599A KR970022572A (ko) 1995-10-03 1996-10-02 투영노광장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5812242A (ko)
JP (1) JPH09102454A (ko)
KR (1) KR970022572A (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU8749798A (en) * 1997-08-29 1999-03-22 Nikon Corporation Temperature adjusting method and aligner to which this method is applied
JP4026943B2 (ja) * 1997-09-04 2007-12-26 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
WO1999026278A1 (fr) * 1997-11-14 1999-05-27 Nikon Corporation Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition
JPH11224839A (ja) 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
JP2000091192A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置
WO2000016381A1 (fr) * 1998-09-14 2000-03-23 Nikon Corporation Appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de production de dispositif
WO2000041226A1 (fr) * 1999-01-06 2000-07-13 Nikon Corporation Systeme optique de projection, procede de fabrication associe et appareil d'exposition par projection utilisant ce systeme
US6529262B1 (en) * 1999-04-14 2003-03-04 Ball Semiconductor, Inc. System and method for performing lithography on a substrate
TW522460B (en) * 2000-03-30 2003-03-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP3869999B2 (ja) * 2000-03-30 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置および半導体デバイス製造方法
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7508487B2 (en) * 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
KR100689705B1 (ko) * 2001-05-04 2007-03-08 삼성전자주식회사 투영 렌즈 온도 조절 수단을 구비하는 노광장치
US20030025979A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 Ball Semiconductor, Inc. Surface distortion compensated photolithography
US20030235682A1 (en) * 2002-06-21 2003-12-25 Sogard Michael R. Method and device for controlling thermal distortion in elements of a lithography system
US7295284B2 (en) * 2004-02-27 2007-11-13 Canon Kk Optical system, exposure apparatus using the same and device manufacturing method
US7545478B2 (en) * 2004-05-05 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, thermal conditioning system, and method for manufacturing a device
US7483223B2 (en) * 2004-05-06 2009-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Optical component having an improved transient thermal behavior and method for improving the transient thermal behavior of an optical component
DE102004047533A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Temperierung von Elementen
WO2006038952A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corporation Projection optical device and exposure apparatus
US7408728B2 (en) * 2006-12-04 2008-08-05 Quality Vision International, Inc. System and method for focal length stabilization using active temperature control
US7692766B2 (en) * 2007-05-04 2010-04-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus
WO2017005463A1 (en) 2015-07-08 2017-01-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP6641964B2 (ja) * 2015-12-14 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
DE102020206697A1 (de) * 2020-05-28 2021-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren von Elementen in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60122951A (ja) * 1983-12-08 1985-07-01 Canon Inc 光学装置
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP2864060B2 (ja) * 1991-09-04 1999-03-03 キヤノン株式会社 縮小投影型露光装置及び方法
JP3493682B2 (ja) * 1993-04-14 2004-02-03 株式会社ニコン 鏡筒支持装置及び露光装置
JPH0786152A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Nikon Corp 投影露光装置
JPH0817719A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JP3387075B2 (ja) * 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09102454A (ja) 1997-04-15
US5812242A (en) 1998-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970022572A (ko) 투영노광장치
US4811055A (en) Projection exposure apparatus
US5160962A (en) Projection exposure apparatus
KR100760036B1 (ko) 리소그래피장치
KR100830661B1 (ko) 기판 왜곡 측정
KR960042227A (ko) 투영노광장치
KR950019953A (ko) 투영노광장치
KR950001856A (ko) 노광장치
KR960042223A (ko) 투영노광장치 및 이것을 이용한 디바이스제조방법
KR960024693A (ko) 노광 장치
KR950009366A (ko) 투영 노광 방법 및 장치
KR970049076A (ko) 주사형 노광장치 및 주사노광방법
KR960015755A (ko) 주사형 광노출장치
KR950024025A (ko) 투사 노출 장치 및 디바이스 제조방법
KR970018130A (ko) 온도제어장치 및 주사형 노광장치
US7408617B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
JPH0628227B2 (ja) 半導体露光装置
KR100589232B1 (ko) 리소그래피 투영장치 및 디바이스 제조방법
JP5025593B2 (ja) テレセントリック性のリアルタイム測定
KR100883612B1 (ko) 광학 줌 조립체의 광학 요소들의 오프-액시스 병진이동의보정
KR970016824A (ko) 투영노광장치 및 방법
US8089609B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR960015753A (ko) 주사형 노광 장치
KR970012978A (ko) 투영노광장
JPS6135450A (ja) 投影露光方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid