KR970077366A - 고전압 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

고전압 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 트랜지스터의 채널영역에 소오스/드레인 드립트(drift) 영역과 같은 타입의 채널 드립트 영역을 형성함으로써 펀치 쓰루 현상을 방지함과 더불어, 트랜지스터 구동에 따른 동작 저항을 감소시킬 수 있는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 소정의 웰을 형성한 후, 상기 웰 영역에 소정의 소오스/드레인 드립트영역을 형성한 다음, 웰 영역 상부에 필드 산화막 및 게이트 절연막을 형성하고 상기 게이트 절연막 상부에 소정의 게이트 전극을 형성한 후, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 소정 부분에 소오스/드레인의 고농도 주입 영역을 형성하여 접합영역을 구축하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 형성시 상기 게이트 전극 하부에 있는 상기 반도체 기판 표면에 소정의 채널 드립트 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

고전압 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판상에 소정의 웰을 형성한 후, 상기 웰 영역에 소정의 소오스/드레인 드립트 영역을 형성한 다음, 웰 영역 상부에 필드 산화막 및 게이트 절연막을 형성하고 상기 게이트 절연막 상부에 소정의 게이트 전극을 형성한 후, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 소정 부분에 소오스/드레인 고농도 주입 영역을 형성하여 접합영역을 구축하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 형성시 상기 게이트 전극 하부에 있는 상기 반도체 기판 표면에 소정의 채널 드립트 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 채널 드립트 영역은 상기 소오스/드레인 드립트 영역과 동일한 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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