KR970077366A - 고전압 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 트랜지스터의 채널영역에 소오스/드레인 드립트(drift) 영역과 같은 타입의 채널 드립트 영역을 형성함으로써 펀치 쓰루 현상을 방지함과 더불어, 트랜지스터 구동에 따른 동작 저항을 감소시킬 수 있는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 소정의 웰을 형성한 후, 상기 웰 영역에 소정의 소오스/드레인 드립트영역을 형성한 다음, 웰 영역 상부에 필드 산화막 및 게이트 절연막을 형성하고 상기 게이트 절연막 상부에 소정의 게이트 전극을 형성한 후, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 소정 부분에 소오스/드레인의 고농도 주입 영역을 형성하여 접합영역을 구축하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 형성시 상기 게이트 전극 하부에 있는 상기 반도체 기판 표면에 소정의 채널 드립트 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 일 실시예에 따른 고전압 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체 기판상에 소정의 웰을 형성한 후, 상기 웰 영역에 소정의 소오스/드레인 드립트 영역을 형성한 다음, 웰 영역 상부에 필드 산화막 및 게이트 절연막을 형성하고 상기 게이트 절연막 상부에 소정의 게이트 전극을 형성한 후, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 소정 부분에 소오스/드레인 고농도 주입 영역을 형성하여 접합영역을 구축하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 소오스/드레인 드립트 영역의 형성시 상기 게이트 전극 하부에 있는 상기 반도체 기판 표면에 소정의 채널 드립트 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 채널 드립트 영역은 상기 소오스/드레인 드립트 영역과 동일한 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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