KR970003642A - 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 다층 배선 형성 수행시 평탄화를 위한 목적으로 하는 SOG막에 흡수된 수분이 상부 금속층의 형성 후 열처리 공정을 실시하는 단계에서 배출되어 콘택 저장을 높힐 뿐 아니라 상부 금속층의 스텝커버리지가 나빠지는 결과를 초래하는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
상부층의 증착 전에 장벽 금속층인 티타늄을 증착하여 SOG막에서 배출되는 수분으로 인한 영향을 제거하여 콘택 저항이 낮고, 상부 금속층의 스탭커버리지가 양호한 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 SOG막이 이용되는 고집적 반도체 소자의 금속층 배선에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 고집적 반도체 소자의 제조 발명에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 기판 상에 제1금속층이 형성된 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 제1층간 절연막, 스핀 온 글래스막, 제2층간 절연막을 차례로 형성하는 단계와, 소정의 콘택 홀을 형성하기 위한 사진식각 공정을 이용하여 제2층간 절연막, 스핀 온 글래스막, 제1층간 절연막을 차례로 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 상기 스핀 온 글래스에서 수분이 배출되는 것을 방지하기 위한 소정의 장벽 금속층을 증착하는 단계와, 전체 구조 상부에 제2금속층을 증착하는 단계와, 금속 배선 형성을 위한 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제2금속층을 식각하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽 금속층은 티타늄인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019363A KR970003642A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019363A KR970003642A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003642A true KR970003642A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019363A KR970003642A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003642A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299511B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2001-11-01 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019363A patent/KR970003642A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299511B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2001-11-01 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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