KR960705260A - 반사 방지성 상부 코팅 필름(top anti-reflective coating films) - Google Patents
반사 방지성 상부 코팅 필름(top anti-reflective coating films) Download PDFInfo
- Publication number
- KR960705260A KR960705260A KR1019960701887A KR19960701887A KR960705260A KR 960705260 A KR960705260 A KR 960705260A KR 1019960701887 A KR1019960701887 A KR 1019960701887A KR 19960701887 A KR19960701887 A KR 19960701887A KR 960705260 A KR960705260 A KR 960705260A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- coating composition
- ammonium
- fluorine
- group
- photoresist
- Prior art date
Links
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title claims abstract 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 claims abstract 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 4
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- -1 amine salt Chemical class 0.000 claims 2
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 claims 2
- YOALFLHFSFEMLP-UHFFFAOYSA-N azane;2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanoic acid Chemical group [NH4+].[O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YOALFLHFSFEMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 2
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
본 발명은 포토레지스트용의 반사 방지성 코팅 조성물, 및 굴절 지수가 약 1.20 내지 약 1.40 이상이고, 1/4파장 두께로 도포될 수 있으며, 하부에 위치하는 포토레지스트용 현상제에 의해 제거될 수 있는 상기 코팅물의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 코팅 조성물은 하기의 단위체를 함유하는 공중합체를 포함한다;
상기 식중에서, X는 CO2L, SO3L, OH, CO(OC2H4)XOH, CONHC(CH3)2CH2SO3L, PO3L2또는, CONH2(이들 식 중, L은 H, 제 Ⅰ족 또는 제 Ⅱ족 금속의 양이온, 또는 NH4+이며, x는 0 내지 10임)이고; Y는 바람직하게는 COO(CH2)X(CF2)NCF3, SO2O(HC2)X(CF2)NCF3, SO2(OC2H4)XO(CH2)X(CF2)NCF3, CO(OC2H4)XO(CH2)X(CF2)NCF3또는 CO(OCH-CH2)XO(CH2)X(CF2)NCF3(식중, 상기 지방족쇄는 측쇄 또는 분지형일 수 있고, n은 0 내지 14이며,x는 0 내지 10임)에서 선택되는 불소-함유 지방족유기 치환체, 또는 불소이며; R은 H, 할로겐, CF3, C1-8알킬 또는 CN이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (10)
- 포토레지스트용의 반사 방지성 코팅 조성물로서, 상기 코팅은 굴절 지수가 약 1.20 내지 약 1.40이상이고, 1/4파장 두께로 도포될 수 있으며, 하부에 위치하는 포토레지스트용 현상제에 의해 제거될 수 있고, 상기 코팅 조성물은 하기의 단위체를 함유하는 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지성 코팅 조성물 :상기 식중에서, X는 CO2L, SO3L, OH,CO(OC2H4)XOH, CONHC(CH3)2CH2SO3L, PO3L2또는 CONH|2(이들 식중, L은 H, 제 Ⅰ족 또는 제 Ⅱ족 금속의 양이온, 또는 NH4+이며, x는 0 내지 10임)이고; Y는 불소 또는 불소-함유 지방족 유기 치환체이며; R은 H, 할로겐, CF3, C1-8알킬 또는 CN이다.
- 제1항에 있어서, CH2=CH-CO-O-(CH2)2(CF2)X-CF3(식중, x는 7 내지 11임)과 아크릴산의 공중합체를 포함하는 방지성 코팅 조성물.
- 제1항에 있어서, Y가 COO(CH2)X(CF2)NCF3, SO2O(CH2)X(CF2)NCF3, SO2(OC2H4)XO(CH2)X(CF2)|NCF3, CO(OC2H4)XO(CH2)X(CF|2)NCF3또는 CO(OCH-CH2)XO(CH2)X(CF2)NCF3(이들 식중, 지방족쇄는 축쇄 또는 분지형일 수 있고, n은 0 내지 14이며, x는 0 내지 10임)인 반사 방지성 코팅 조성물.
- 제1항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 반사 방지성 코팅 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 계면활성제가 암모늄 퍼플루오르옥타노에이트, 퍼플루오르옥탄산의 아민염, 피플루오르옥탄산의 테트라메틸암모늄염, 암모늄 퍼플루오르옥타노설포네이트, 암모늄 하이드록사이드/테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 암모늄 라우릴 설페이트를 포함하는 반사 방지성 코팅 조성물.
- 포토레지스트용의 반사 방지성 코팅 조성물의 제조 방법으로서, 상기 코팅은 굴절 지수가 약 1.20 내지 약 1.40 이상이고, 1/4 파장 두께로 도포될 수 있으며, 하부에 위치하는 포토레지스트용 현상제에 의해 제거될 수있고, 상기 방법에 의한 조성물은 하기 단위체를 함유하는 공중합체를 제공하는 것을 특징으로 하는 반사 방지성 코팅 조성물의 제조 방법:상기 식중에서, X는, CH2L, SO3L, OH, CO(OC2H4)XOH, CONHC(CH3)2CH2SO3L, PO3L2또는 CONH|2(이들 식중, L은 H, 제Ⅰ족 또는 제Ⅱ족 금속의 양이온, 또는 NH4 +이며, x는 0 내지 10임)이고; Y는 불소 또는 불소-함유 지방족 유기 치환체이며; R은 H, 할로겐, CF3, C1-8알킬 또는 CN이다.
- 제6항에 있어서, 상기 제공되는 공중합체가 CH2=CH-CO-O-(CH2)2(CF2)X-CF3(식중, x는 7 내지 11임)과 아크릴산의 공중합체인 방법.
- 제6항에 있어서, Y가 COO(CH2)X(CF2)NCF3, SO2O(CH2)X(CF2)NCF3, SO2(OC2H4)XO(CH2)X(CF2)|NCF3, CO(OC2H4)XO(CH2)X(CF|2)NCF3또는 CO(OCH-CH2)XO(CH2)X(CF2)NCF3(이들 식중, 지방족쇄는 측쇄 또는 분지형일 수있고, n은 0 내지 14이며, x는 0 내지 10임)인 방법.
- 제6항에 있어서, 계면활성제를 첨가하는 것을 추가로 포함하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 계면활성제가 암모늄 퍼플루오르옥타노에이트, 퍼플룽르옥탄산의 아민염, 퍼플루오르옥탄산의 테트라메틸암모늄염, 암모늄 퍼플루오르옥타노설포네이트 또는 암모늄 라우릴 설페이트를 포함하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13503693A | 1993-10-12 | 1993-10-12 | |
US08/135,036 | 1993-10-12 | ||
US08/135036 | 1993-10-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960705260A true KR960705260A (ko) | 1996-10-09 |
KR100399848B1 KR100399848B1 (ko) | 2004-06-16 |
Family
ID=22466206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960701887A KR100399848B1 (ko) | 1993-10-12 | 1994-10-12 | 반사방지성표면코팅필름 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0723677B1 (ko) |
JP (1) | JP3492375B2 (ko) |
KR (1) | KR100399848B1 (ko) |
CN (1) | CN1041243C (ko) |
DE (1) | DE69423641T2 (ko) |
SG (1) | SG52630A1 (ko) |
WO (1) | WO1995010798A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020038283A (ko) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | 박종섭 | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5830990A (en) * | 1992-07-10 | 1998-11-03 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Low metals perfluorooctanoic acid and top anti-reflective coatings for photoresists |
US6042992A (en) * | 1996-03-07 | 2000-03-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
JP3694703B2 (ja) * | 1996-04-25 | 2005-09-14 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 反射防止コーティング用組成物 |
US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
US5981145A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light absorbing polymers |
JPH1184640A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 反射防止膜形成用塗布液 |
JP3851594B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2006-11-29 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法 |
JP4355944B2 (ja) | 2004-04-16 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
KR100574993B1 (ko) | 2004-11-19 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
KR100574495B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광산발생제 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물 |
KR100574496B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상부반사방지막 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물 |
JP4322205B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2009-08-26 | 東京応化工業株式会社 | レジスト保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
US7544750B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength |
JP4553146B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
KR102344285B1 (ko) | 2014-02-12 | 2021-12-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 불소함유 계면활성제를 포함하는 막형성 조성물 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69214035T2 (de) * | 1991-06-28 | 1997-04-10 | Ibm | Reflexionsverminderde Überzüge |
US5139879A (en) * | 1991-09-20 | 1992-08-18 | Allied-Signal Inc. | Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles |
EP0583918B1 (en) * | 1992-08-14 | 1999-03-10 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same |
-
1994
- 1994-10-12 DE DE69423641T patent/DE69423641T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 JP JP51201695A patent/JP3492375B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 CN CN94193743A patent/CN1041243C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 EP EP94930735A patent/EP0723677B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 WO PCT/US1994/011570 patent/WO1995010798A1/en active IP Right Grant
- 1994-10-12 SG SG1996007043A patent/SG52630A1/en unknown
- 1994-10-12 KR KR1019960701887A patent/KR100399848B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020038283A (ko) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | 박종섭 | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1133096A (zh) | 1996-10-09 |
DE69423641D1 (de) | 2000-04-27 |
DE69423641T2 (de) | 2000-10-19 |
KR100399848B1 (ko) | 2004-06-16 |
WO1995010798A1 (en) | 1995-04-20 |
SG52630A1 (en) | 1998-09-28 |
EP0723677A1 (en) | 1996-07-31 |
JP3492375B2 (ja) | 2004-02-03 |
EP0723677B1 (en) | 2000-03-22 |
CN1041243C (zh) | 1998-12-16 |
JPH09506185A (ja) | 1997-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960705260A (ko) | 반사 방지성 상부 코팅 필름(top anti-reflective coating films) | |
US7595141B2 (en) | Composition for coating over a photoresist pattern | |
US7709182B2 (en) | Composition for forming antireflection film, layered product, and method of forming resist pattern | |
US5981145A (en) | Light absorbing polymers | |
US6309789B1 (en) | Composition for reflection reducing coating | |
AU565734B2 (en) | Thermo-corsslinking light sensitive composition | |
KR970028873A (ko) | 내식막용 박리액 조성물 및 이를 사용한 내식막 박리 방법 | |
ES2094829T3 (es) | Agente para la limpieza de alfombras. | |
KR960011556A (ko) | 수용성 막형성 조성물 | |
EP1542078A4 (en) | COMPOSITION FOR ANTIREFLEX COATINGS AND METHOD FOR FORMING A STRUCTURE | |
GB1523762A (en) | Photocopying materials | |
EP0803776A2 (en) | Composition for anti-reflection coating | |
US20090061347A1 (en) | Base soluble polymers for photoresist compositions | |
KR20010015400A (ko) | 원자외선 노광용 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
CN100587600C (zh) | 防反射涂层用组合物及使用该组合物的图案形成方法 | |
US6692892B1 (en) | Composition for antireflection coating | |
CN101313246B (zh) | 辐射敏感树脂组合物 | |
KR850008058A (ko) | 양성 포토레지스트 전개제 및 전개방법 | |
CN101849209B (zh) | 用于形成顶层抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法 | |
JPS54116226A (en) | Formation method for positive type resist image | |
IE61183B1 (en) | Development of radiation sensitive compositions | |
JPS5662856A (en) | Antifogging resin coating composition | |
AU608127B2 (en) | Method of preparing a hologram | |
KR20190103183A (ko) | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 | |
JPS5592696A (en) | Reagent for detection of peroxidase |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |