KR960032085A - 마스크, 이를 사용한 패턴형성방법 및 이온주입방법 - Google Patents

마스크, 이를 사용한 패턴형성방법 및 이온주입방법 Download PDF

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Abstract

계단형의 마스크 패턴을 갖는 마스크와 이를 사용한 패턴형성방법 및 이온주입방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판에 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 마스크에 있어서, 상기 마스크 패턴은 광 투과율이 부분적으로 다른 그레이 톤마스크 패턴을 포함하여, 상기 마스크를 통과하는 광선의 투과율을 부분적으로 다르게 조절하는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다. 상기 마스크에 의해 반도체 기판상에 이온주입용 마스크 패턴을 형성하고 이온주입을 실시하면 반도체 기판 상에 주입되는 이온의 깊이를 달리 할 수 있고, 여러 번의 이온주입 시 마스크의 수를 줄일 수 있다.

Description

마스크, 이를 사용한 패턴형성방법 및 이온주입방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a도는 본 발명의 그레이톤 마스크의 다른 예를 도시한 평면도이다.

Claims (24)

  1. 반도체 기판에 광선을 이용하여 마스크 패턴을 전사시키는 마스크에 있어서, 상기 마스크 패턴은 광 투과율이 부분적으로 다른 그레이 톤 마스크 패턴을 포함하여, 상기 마스크를 통과하는 광선의 투과율을 부분적으로 다르게 조절하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 계단형의 포토레지스트 패턴으로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서 ,상기 그레이톤 마스크 패턴은 두께를 달리한 다단의 광흡수체로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 광흡수체는 Cr,CrO,MoSiO,Si3N4,W,A1및Si로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나의 물질로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 광선이 투과할 수 있는 개구부를 갖고, 체크무늬 또는 격자모양으로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 개구부는 3각형이상의 다각형으로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 제5항에 있어서 ,상기 그레이톤 마스크 패턴은 상기 개구부의 크기를 달리하여 상기 마스크를 통과하는 광선의 투과율이 서로 다른 복수의 영역들로 구획되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 광선이 투과할 수 있는 영역을 갖고 주기적인 선모양으로 구성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 제8항에 있어서 상기 그레이톤 마스크 패턴은 상기 선의 폭을 달리하여 상기 마스트를 통과하는 광선의 투과율이 서로 다른 복수의 영역들로 구획되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 반도체 기판 상에 마스크를 이용한 패턴형성방법에 있어서, 상기 마스크는 마스크 기판 상에 광 투과율이 부분적으로 다른 그레이 톤 마스크 패턴을 구비하여 상기 반도체 기판 상에 계단형의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  11. 제10항에 있어서 상기 그레이톤 마스크 패턴은 계단형의 포토레지스트 패턴으로 구성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  12. 제10항에 있어서 상기 그레이톤 마스크 패턴은 두께를 달리한 광흡수체로 구성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  13. 제10항에 있어서 ,상기 그레이톤 마스크 패턴은 광선이 투과할 수 있는 개구부의 크기를 달리한 체크무늬 또는 격자모양으로 구회되게 구성하여, 광선의 투과율을 조절하여, 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 광선이 투과할 수 있는 영역의 폭을 달리한 주기적인 선모양으로 구회되게 구성하여, 광선의 투과율을 조절하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴방법.
  15. 반도체 기판상에 광투과율이 부분적으로 다른 그레이톤 마스크 패턴을 갖는 마스크에 의해 형성된 이온주입용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 이온주입용 마스크 패턴의 전면에 이온주입하여 상기 반도체 기판상에 이온주입되는 이온의 깊이가 부분적으로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 이온주입용 마스크 패턴은 계단형의 포토레지스트 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 두께를 달리한 광흡수체로 구성하여 이온주입용 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴들은 광선이 투과할 수 있는 개구부의 크기를 달리한 체크 무늬 또는 격자모양으로 구획되게 구성하여 이온주입용 마스크 패턴을 형성한느 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 그레이톤 마스크 패턴은 광선이 투과할 수 있는 영역의 폭을 달리한 주기적인 선모양으로 구성하여 이온주입용 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  20. 반도체 기판상에 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층상에 광투과율이 부분적으로 다른 그레이톤 마스크 패턴을 갖는 마스크에 의해 형성된 마스크 패턴을 형성하는 단계 상기 마스크 패턴의 전면에 1차 이온주입하여 상기 물질층에 이온 투입되는 이온의 깊이가 부분적으로 다르게 형성되는 단계; 상기 이온주입된 물질층을 선택적으로 식각하여 계단형의 이온주입용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 이온주입용 마스크 패턴의 전면에 2차 이온주입하여 상기 반도체 기판상에 이온주입되는 이온의 깊이가 부분적으로 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 물질층은 폴리실리콘막, 산화막, 실리콘질화막 및 알루미늄막으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  22. 반도체 기판상에 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층상에 광투과율이 부분적으로 다른 그레이톤 마스크 패턴을 갖는 마스크에 의해 형성된 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 물질층의 전면에 1차 이온주입을 실시한는 단계; 상기 마스크 패턴 및 물질층을 선택비 없이 에치백하여 계단형의 이온주입용 마스크 패턴를 형성하는 단계; 및 상기 이온주입용 마스크 패턴의 전면에 2차 이온주입하여 상기 반도체 기판상에 이온주입되는 이온의 깊이가 부분적으로 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 포토레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
  24. 반도체 기판상에 이온주입용 마스트 패턴을 마스크로 하여 이온주입하는 방법에 있어서, 상기 이온주입용 마스크 패턴은 광투과율이 부분적으로 다른 그레이톤 마스크 패턴을 갖는 마스크에 의해 형성되어, 상기 반도체 기판상에 서로 다른 종류의 불순물을 한 개의 마스크를 통해 이온주입하는 것을 특징으로 하는 이온주입방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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