KR960027356A - 클럭 신호 발생 회로 및 반도체 장치 - Google Patents

클럭 신호 발생 회로 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 번 인 시험 등의 저속 동작시에 있어서, 통상의 고속 동작과 같은 동작을 DLL 회로에 행하여 함으로써, DLL 회로의 시험을 가능하게 하는 클럭 신호 발생 회로를 제공하는 데 목적이 있다.
기준 클럭 신호와 이 기준 클럭 신호에 대하여 위상이 상이한 테스트 클럭 신호 중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 셀렉터와, 상기 기준 클럭 신호와 클럭 공급대상 회로를 경유하는 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 레지스터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 이 클럭 공급 회로에 공급하는 상기 클럭 신호를 생성하는 딜레이 라인식 위상 동기 회로를 구비하였다.

Description

클럭 신호 발생 회로 및 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실시한 클럭신호 발생 회로의 블럭도.

Claims (6)

  1. 기준 클럭 신호(C,K)와 상기 기준 클럭 신호에 대하여 위상이 상이한 테스트 클럭 신호(Ctest,Ktest)중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 셀렉터(1,51,61)와, 상기 기준 클럭 신호와 클럭 공급 대상 회로를 경유한 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 셀렉터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 상기 클럭 공급 대상 회로에 공급하는 상기 클럭 신호를 생성하는 딜레이 라인식의 위상 동기 회로(2,52,62)를 구비한 것을 특징으로 하는 클럭 신호 발생 회로.
  2. 제1기준 클럭 신호(C)와 상기 제1기준 클럭에 대하여 위상이 상이한 제1테스트 클럭 신호(Ctest)중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 제1셀렉터(51)와, 상기 제1기준 클럭과 클럭 공급 대상 회로를 경유한 제1클럭 신호호화의 위상차가 없어지도록 상기 제1셀렉터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 상기 클럭 공급 대상 회로에 공급하는 상기 제1클럭 신호를 생성하는 제1딜레이 랑니식 위상 동기 회로(52)와, 상기 제1기준 클럭 신호와는 위상이 상이한 제2기준 클럭 신호(K)와 상기 제2기준 클럭에 대하여 위상이 상이한 제2테스트 클럭 신호(Ktest,C)중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 제2셀렉터(61), 및 상기 제2기준 클럭 신호와의 클럭 공급 대상회로로부터 출력된 제2클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 제2셀렉터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 상기 클럭 공급 대상 회로에 공급하는 상기 제2클럭 신호를 생성하는 제2딜레이 라인식 위상 동기 회로(62)를 구비한 것을 특징으로 하는 클럭 신호 발생 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2테스트 클럭 신호로서 상기 제1기준 클럭을 공급하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 클럭 신호 발생 회로.
  4. 내부 클럭 신호에 동기하여 소정의 동작을 하는 내부 회로(3,53,63)와, 외부로부터 공급되는 기준 클럭신호(C,K)와 상기 내부 회로를 경유한 상기 내부 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 내부 회로에 공급하는 상기 내부 클럭 신호를 딜레이 라인 방식으로 생성하는 클럭 신호 발생 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치에 있어서, 상기 클럭 신호 발생 회로는 상기 기준 클럭 신호와 상기 기준 클럭에 대하여 위상이 상이한 테스트 클럭 신호(Ctest, Ktest) 중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 셀렉터 91, 51, 61)와 상기기준 클릭 신호와 상기 내부 회로를 경유한 내부 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 셀렉터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 상기 내부 회로에 공급하는 상기 클럭 신호를 생성하는 딜레이 라인식 위상 동기 회로(2,52, 62)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1 및 제2내부 클럭 신호에 동기하여 각각 소정의 동작을 하는 제1 및 제2내부 회로(53,63)와, 외부로부터 공급되는 제1기준 클럭(C)와 상기 제1 내부 회로를 경우한 상기 제1내부 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 제1내부 회로에 공급하는 상기 제1내부 클럭 신호를 딜레이 라인 방식으로 생성하는 제1클럭 신호발생 회로와, 상기 제1기준 클럭과는 위상이 상이한 제2기준 클럭(K)와 상기 제2내부 회로를 경유한 상기 제2내부 클럭 신호와의 위상차 없어지도록 상기 제2내부 회로에 공급하는 상기 제2내부 클럭 신호를 딜레이라인 방식으로 생성하는 제2클럭 신호 발생 회로를 구비한 반도체 장치에 있어서, 상기 제1클럭 신호 발생회로는 상기 제1기준 클럭 신호와 상기 제1기준 클럭 신호에 대하여 위상이 상이한 제1테스트 클럭 신호(Ctest)중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 제1셀렉터(51)와, 상기 제1기준 클럭과 상기 제1내부 회로를 경유한 상기 제1내부 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 제1셀렉터의 출력 신호에 지연을 부여하고, 상기 제1내부 회로에 공급하는 상기 제1내부 클럭 신호를 생성하는 제1딜레이 라인식 위상 동기 회로(52)를 구비하고, 상기 제2클럭 신호 발생 회로는 상기 제1기준 클럭 신호와 상기 제2기준 클럭에 대하여 위상이 상이한 제2테스트 클럭 신호(Ktest, C)중 어느 한쪽을 선택하여 출력하는 제2셀렉터(61)과, 상기 제2기준 클럭과상기 제2내부 회로를 경유한 상기 제2내부 클럭 신호와의 위상차가 없어지도록 상기 제2셀렉터의 출력 신호에지연을 부여하고, 상기 제2내부 회로에 공급하는 상기 제2내부 클럭 신호를 생성하는 제2딜레이 라인식 위상동기 회로(62)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2테스트 클럭 신호로서 상기 제1기준 클럭을 공급하는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400145B1 (ko) * 2000-08-28 2003-10-01 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 클럭 생성 회로를 내장하는 반도체 장치

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124744A (en) * 1996-03-26 2000-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic circuit apparatus having circuits for effectively compensating for clock skew
US5940608A (en) 1997-02-11 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating an internal clock signal that is synchronized to an external clock signal
US5946244A (en) 1997-03-05 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Delay-locked loop with binary-coupled capacitor
US5910740A (en) * 1997-06-18 1999-06-08 Raytheon Company Phase locked loop having memory
US6173432B1 (en) 1997-06-20 2001-01-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a sequence of clock signals
US5940609A (en) * 1997-08-29 1999-08-17 Micorn Technology, Inc. Synchronous clock generator including a false lock detector
US6269451B1 (en) 1998-02-27 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting data timing by delaying clock signal
JP3320651B2 (ja) * 1998-05-06 2002-09-03 富士通株式会社 半導体装置
JP2000065902A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6338127B1 (en) 1998-08-28 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used to latch respective digital signals, and memory device using same
US6279090B1 (en) 1998-09-03 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used in latching respective digital signals applied to a packetized memory device
US6349399B1 (en) 1998-09-03 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating expect data from a captured bit pattern, and memory device using same
DE19845121C1 (de) * 1998-09-30 2000-03-30 Siemens Ag Integrierte Schaltung mit einstellbaren Verzögerungseinheiten für Taktsignale
US6430696B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for high speed data capture utilizing bit-to-bit timing correction, and memory device using same
US6374360B1 (en) 1998-12-11 2002-04-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for bit-to-bit timing correction of a high speed memory bus
JP2000183172A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Oki Micro Design Co Ltd 半導体装置
KR100303781B1 (ko) 1998-12-30 2001-09-24 박종섭 레지스터 제어 디지털 디디엘에 있어서의 언록 문제를 해결하기위한 언록 보상회로를 갖는 디디엘 클럭 발생기
US6470060B1 (en) 1999-03-01 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a phase dependent control signal
JP2001023367A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Fujitsu Ltd タイミング信号発生回路、dll回路、半導体記憶装置及び可変遅延回路
KR100331561B1 (ko) * 1999-11-23 2002-04-06 윤종용 번-인 테스트시 고주파로 동작 가능한 지연동기회로를갖는 반도체 메모리 장치 및 이 지연동기회로의 동작방법
JP3610854B2 (ja) * 1999-12-27 2005-01-19 株式会社日立製作所 情報処理装置および情報処理システム
GB2370362B (en) 2000-08-04 2004-07-07 Sgs Thomson Microelectronics Method and apparatus for testing circuitry
KR100401491B1 (ko) * 2000-11-01 2003-10-11 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 버퍼 제어 회로
US6617894B2 (en) 2001-05-14 2003-09-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuits and methods for generating internal clock signal of intermediate phase relative to external clock
US6901013B2 (en) * 2001-06-05 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Controller for delay locked loop circuits
US7245540B2 (en) * 2001-06-05 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Controller for delay locked loop circuits
US6801989B2 (en) 2001-06-28 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same
KR100399941B1 (ko) 2001-06-30 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 디디알 에스디램의 레지스터 제어 지연고정루프
US6988218B2 (en) * 2002-02-11 2006-01-17 Micron Technology, Inc. System and method for power saving delay locked loop control by selectively locking delay interval
KR100518571B1 (ko) * 2003-05-12 2005-10-04 삼성전자주식회사 지연동기루프를 내장하는 반도체 장치 및 그 테스트 방법
US7168027B2 (en) 2003-06-12 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Dynamic synchronization of data capture on an optical or other high speed communications link
JP4440658B2 (ja) * 2004-01-20 2010-03-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
US6995554B2 (en) * 2004-06-16 2006-02-07 Agilent Technologies, Inc. Delay-locked loop and a method of testing a delay-locked loop
JP4923395B2 (ja) * 2004-08-30 2012-04-25 富士通株式会社 半導体回路、半導体回路特性監視方法、半導体回路試験方法、半導体回路試験装置及び半導体回路試験プログラム
JP2006245216A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法
KR100588595B1 (ko) 2005-04-22 2006-06-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 클록 생성방법 및 이를 이용한반도체 메모리 장치
JP4520394B2 (ja) * 2005-10-27 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Dll回路及びその試験方法
KR100808591B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-29 주식회사 하이닉스반도체 클럭 트리 회로 및 그를 이용한 듀티 보정 테스트 방법과그를 포함하는 반도체 메모리 장치
JP2008217947A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
CN111505378B (zh) * 2019-01-31 2022-07-19 睿宽智能科技有限公司 相位检测方法及其相位检测电路
CN110927562B (zh) * 2019-12-19 2022-08-05 西安紫光国芯半导体有限公司 一种兼容老化测试的方法及其芯片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400145B1 (ko) * 2000-08-28 2003-10-01 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 클럭 생성 회로를 내장하는 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08167890A (ja) 1996-06-25
US5675274A (en) 1997-10-07
KR100186815B1 (ko) 1999-04-15
JP3260048B2 (ja) 2002-02-25

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