KR960026966A - 트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법 - Google Patents
트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정 중 게이트절연층/게이트전극층으로 이루어지는 트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 게이트절연층의 열화를 방지하기 위해 게이트절연층(26), 제1게이트전극(27), 제2게이트전극(277)이 적층되되, 게이트절연층(26)의 하부 가장자리 일부분이 식각되어 T형 구조를 이루며, 사이 게이트절연층의 식각부위를 매우면서 전체표면을 따라 제2게이트전극(277)이 형성된 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 게이트의 구조를 나타내는 단면도, 제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 일실시예에 따른 게이트 형성 공정 단면도.
Claims (6)
- 게비트절연층(26), 제1게이트전극(27),제2게이트전극(277)이 적층되되, 게이트절연층(26)의 하부 가장자리 일부분이 식각되어 T형 구조를 이루며, 상기 게이트절연층의 식각부위를 매우면서 전체 표면을 따라 제2게이트전극(277)이 형성된 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 구조.
- 반도체 소자의 제조공정 중 예정된 게이트 형성층에 게이트절연층, 제1게이트전극층을 패턴형성 하는 제1단계; 상기 게이트절연층 하부 가장자리를 일부 식각하는 제2단계; 상기 게이트절연층의 식각부위를 매우면서 제2게이트전극층을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트절연층은 산화층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 형성방법.
- 제2항에 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트전극층은 폴리실리콘층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1게이트폴리실리콘층은 1200 내지 2000A 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2게이트폴리실리콘층은 200 내지 700A 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 게이트 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035442A KR960026966A (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035442A KR960026966A (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026966A true KR960026966A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035442A KR960026966A (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 트랜지스터의 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026966A (ko) |
-
1994
- 1994-12-20 KR KR1019940035442A patent/KR960026966A/ko not_active Application Discontinuation
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