KR960006169A - Manufacturing method of semiconductor laser for optical communication - Google Patents

Abstract

본 발명은 광통신용 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 통신용에 쓰이는 파장 1.3㎛의 빛을 나타내는 반도체 레이저의 경우 DFB-LD를 만들기 위한 그레이팅의 주기가 대략 196nm로서 매우 작은 것이기 때문에 레이저 간섭장치를 사용해야만 그러한 주기의 그레이팅패턴을 제작할 수 있다. 따라서, 디스트리뷰트 피드백 레이저 다이오드(DFB-LD)를 이용해서 단일모드의 레이저를 제작하는 것은 기술적으로 상당한 어려움이 있고, 고가의 레이저 간섭장치를 사용해야하는 단점이 있었다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser for optical communication, and in the case of a semiconductor laser that exhibits light having a wavelength of 1.3 占 퐉 used for communication, the laser interference device is very small because the grating cycle for making DFB-LD is about 196 nm. It can only be used to produce grating patterns of such a cycle. Therefore, fabrication of a single mode laser using a distributed feedback laser diode (DFB-LD) has a considerable technical difficulty and a disadvantage of using an expensive laser interference device.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 그레이팅패턴을 사용하지 않고서도 완전한 단일모드의 레이저 빛을 얻을 수 있도록 하고, 기술적으로 보다 훨씬 쉽게 단일모드로 발진하는 반도체 레이저를 제작할 수 있도록 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법을 제공하는 것이다.In order to solve this problem, the present invention enables to obtain a full single mode laser light without using a grating pattern, and to manufacture a semiconductor laser for optical communication, which makes it possible to manufacture a semiconductor laser oscillating in a single mode much more technically. To provide a way.

Description

광통신용 반도체 레이저의 제조방법Manufacturing method of semiconductor laser for optical communication

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제1도는 종래 반도체 레이저의 단면사시도,1 is a cross-sectional perspective view of a conventional semiconductor laser,

제2도는 본 발명 반도체 레이저의 단면사시도,2 is a cross-sectional perspective view of the semiconductor laser of the present invention,

제3도의 (가) 내지 (마)는 본 발명에 대한 제조공정도.(A) to (E) of Figure 3 is a manufacturing process diagram for the present invention.

Claims (4)

기판위에 제1도전형클래드층, 활성층, 제2도전형클래드층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 제2도전형클래층위에 산화막을 도포한 후 중심부위를 기판까지 에칭하는 공정과, 상기 나머지 산화막을 제거한 후 상기에서 에칭된 부위에 반절연결합층을 성장시키는 공정과, 상기 반절연결합층의 야끝쪽으로 기판까지 에칭하여 메사를 형성하는 공정과, 메사위를 제외한 메사양측의 기판위에 제2도전형매몰층과 제1도전형매몰층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 소자 전면에 제2도전형 캡층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 캡층위에 제2도전형전극을, 기판하부에는 제1도전형전극을 각각 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.Forming a first conductive cladding layer, an active layer, and a second conductive cladding layer sequentially on the substrate, applying an oxide film on the second conductive cladding layer, and etching the center portion to the substrate; Growing the semi-insulating bonding layer on the etched portion after removing the etch; forming a mesa by etching the substrate towards the end of the semi-insulating bonding layer; and forming a mesa on the substrate on the mesa side except for the mesa phase. Forming a mold investment layer and a first conductive investment layer in order; forming a second conductive cap layer on the entire surface of the device; and a second conductive electrode on the second conductive cap layer; A method for manufacturing a semiconductor laser for optical communications, comprising the steps of forming each conductive electrode. 제1항에 있어서, 반절연결합층은 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.The method of claim 1, wherein the semi-insulating coupling layer has a larger energy band gap than the active layer. 제1항에 있어서, 활성층은 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.The method of claim 1, wherein the active layer is InGaAsP. 제1항에 있어서, 활성층은 AnGaAs인 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor laser for optical communication according to claim 1, wherein the active layer is AnGaAs. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.