KR960006169A - 광통신용 반도체 레이저 제조방법 - Google Patents

광통신용 반도체 레이저 제조방법 Download PDF

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KR960006169A
KR960006169A KR1019940016342A KR19940016342A KR960006169A KR 960006169 A KR960006169 A KR 960006169A KR 1019940016342 A KR1019940016342 A KR 1019940016342A KR 19940016342 A KR19940016342 A KR 19940016342A KR 960006169 A KR960006169 A KR 960006169A
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KR1019940016342A
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Inventor
양민
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 광통신용 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 통신용에 쓰이는 파장 1.3㎛의 빛을 나타내는 반도체 레이저의 경우 DFB-LD를 만들기 위한 그레이팅의 주기가 대략 196nm로서 매우 작은 것이기 때문에 레이저 간섭장치를 사용해야만 그러한 주기의 그레이팅패턴을 제작할 수 있다. 따라서, 디스트리뷰트 피드백 레이저 다이오드(DFB-LD)를 이용해서 단일모드의 레이저를 제작하는 것은 기술적으로 상당한 어려움이 있고, 고가의 레이저 간섭장치를 사용해야하는 단점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 그레이팅패턴을 사용하지 않고서도 완전한 단일모드의 레이저 빛을 얻을 수 있도록 하고, 기술적으로 보다 훨씬 쉽게 단일모드로 발진하는 반도체 레이저를 제작할 수 있도록 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법을 제공하는 것이다.

Description

광통신용 반도체 레이저의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 레이저의 단면사시도,
제2도는 본 발명 반도체 레이저의 단면사시도,
제3도의 (가) 내지 (마)는 본 발명에 대한 제조공정도.

Claims (4)

  1. 기판위에 제1도전형클래드층, 활성층, 제2도전형클래드층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 제2도전형클래층위에 산화막을 도포한 후 중심부위를 기판까지 에칭하는 공정과, 상기 나머지 산화막을 제거한 후 상기에서 에칭된 부위에 반절연결합층을 성장시키는 공정과, 상기 반절연결합층의 야끝쪽으로 기판까지 에칭하여 메사를 형성하는 공정과, 메사위를 제외한 메사양측의 기판위에 제2도전형매몰층과 제1도전형매몰층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 소자 전면에 제2도전형 캡층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 캡층위에 제2도전형전극을, 기판하부에는 제1도전형전극을 각각 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 반절연결합층은 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 활성층은 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 활성층은 AnGaAs인 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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