KR960006049A - 반도체 이피롬 셀 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체기판에 소오스와 드레인영역이 소정의 간격을 두고 형성되고, 이 소오스와 드레인 위에 형성된 절연층을 사이에 두고 소정의 넓이로 플로팅 게이트가 형성되며, 이 플로팅게이트를 절연층으로 둘러싸고 그 상부에 콘트롤게이트가 형성되어서, 플로팅게이트의 전위상태와 콘트롤게이트의 전위상태에 따라 소오스 드레인간의 전기통로가 제어되도록 구성된 EPROM 셀 및 그 제조방법으로서, 플로팅게이트의 상부 모서리 부분을 둥글게 형성하고, 그리고 플로팅게이트와 상기 콘트롤게이트가 레이아웃 상으로 서로 직교하지 아니하고 비스듬히 예각을 이루면서 교차하여 더욱 효과를 높인 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)-(나)는 본 발명의 방법을 설명하기 위한 단면도로서 제2도의 (아)에서 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이고, 제2도의 (아)는 본 발명의 이피롬 셀의 레이아웃도이다.
Claims (5)
- 반도체기판에 소오스와 드레인영역이 소정의 간격을 두고 형성되고, 이 소오스와 드레인 위에 형성된 절연층을 사이에 두고 소정의 넓이로 플로팅게이트가 형성되며, 이 플로팅게이트를 절연층으로 둘러싸고 그 상부에 콘트롤게이트가 형성되어서, 플로팅게이트의 전위상태와 콘트롤게이트의 전위상태에 따라 소오스 드레인간의 전기통로가 제어되도록 구성된 EPROM셀에 있어서, 상기 플로팅게이트의 상부 모서리 부분을 둥글게 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 EPROM셀.
- 제1항에 있어서, 상기 플로팅게이트와 상기 콘트롤게이트가 레이아웃 상으로 서로 직교하지 아니하고 비스듬히 예각을 이루면서 교차하도록 구성한 것을 특징으로 하는 EPROM셀.
- 반도체기판에 소오스와 드레인영역이 소정의 간격을 두고 형성되고, 이 소오스와 드레인 위에 형성된 절연층을 사이에 두고 소정의 넓이로 플로팅게이트가 형성되며, 이 플로팅게이트를 절연층으로 둘러싸고 그 상부에 콘트롤게이트가 형성되어서, 플로팅게이트의 전위상태와 콘트롤게이트의 전위상태에 따라 소오스 드레인간의 전기통로가 제어되도록 구성된 EPROM셀을 제조하는 방법에 있어서, (가)반도체기판(18)에 필드영역과 액티브영역(15)을 구분한 후, 게이트절연막(19)을 형성하고, 플로팅게이트용 폴리실리콘을 데포지션하고, 사진식각공정으로 일차프로팅게이트(20)을 형성하고, 전면에 폴리실리콘층(21)을 데포지션하고, 이 폴리실리콘층 (21)을 에치백하여 일차프로팅게이트(20)의 측면에 폴리실리콘의 사이드윌(22)을 형성형하여 프로팅게이트전극(20´,17)을 형성하는 단계, (나) 산화공정을 실시하여 플로팅게이트전극(20´)의 표면에 산화막(23)을 형성하고, 전면에 다시 폴리실리콘층(24)을 증착하고, 사진식각공정으로 폴리실리콘층(24)을 패터닝하여 콘트로게이트전극(25)를 형성하는 단계, (다)산화공정을 실시하여 콘트롤게이트전극(25)의 측면에 측면산화(26)을 성장시키는 단계, (라)이온주입공정을 실시하여 소오스 및 드레인 전극(28)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이피롬제조방법.
- 제3항에 있어서, (가)단계에서 게이트절연막(19)을 250A정도로 형성하고, 폴리실리콘층(21)을 2500A정도 두께로 데포지션하고, (나)단계에서 산화막(23)을 400A 정도의 두께로 형성하고, 폴리실리콘층(24)을 4000A 두께정도로 증착하며, (다)단계에서 측면산화막(26)은 Wet O2가 사용하여 850℃에서 산화시키는 것이 특징인 이피롬제조방법.
- 제3항에 있어서, 플로팅게이트전극(17)이 콘트롤게이트전극(16)과 그 가장자리가 비스듬히 서로 만나도록 플로팅게이트전극(17)은 팔자형 모양으로 패터닝하고 콘트롤게이트전극(16)은 띄 모양으로 길게 형성하여 액티브영역(15)은 콘트롤게이트전극(16)과 서로 직각으로 교차되게 하는 것이 특징인 이피롬 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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KR1019940015818A KR0144078B1 (ko) | 1994-07-02 | 1994-07-02 | 반도체 이피롬 셀 및 그 제조방법 |
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KR1019940015818A KR0144078B1 (ko) | 1994-07-02 | 1994-07-02 | 반도체 이피롬 셀 및 그 제조방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20040038503A (ko) * | 2002-11-01 | 2004-05-08 | 주식회사 포스코 | 표면품질 특성이 우수한 합금화 용융아연도금욕 및 이를이용한 합금화 용융아연도금 강판의 제조방법 |
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1994
- 1994-07-02 KR KR1019940015818A patent/KR0144078B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR20040038503A (ko) * | 2002-11-01 | 2004-05-08 | 주식회사 포스코 | 표면품질 특성이 우수한 합금화 용융아연도금욕 및 이를이용한 합금화 용융아연도금 강판의 제조방법 |
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KR0144078B1 (ko) | 1998-07-01 |
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