KR960002868A - 정보 기억 장치 - Google Patents

정보 기억 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960002868A
KR960002868A KR1019950017023A KR19950017023A KR960002868A KR 960002868 A KR960002868 A KR 960002868A KR 1019950017023 A KR1019950017023 A KR 1019950017023A KR 19950017023 A KR19950017023 A KR 19950017023A KR 960002868 A KR960002868 A KR 960002868A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
analog
data
write
digital
Prior art date
Application number
KR1019950017023A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100208412B1 (ko
Inventor
마사아끼 쯔가고시
Original Assignee
다까노 야스아끼
상요덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다까노 야스아끼, 상요덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 다까노 야스아끼
Publication of KR960002868A publication Critical patent/KR960002868A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100208412B1 publication Critical patent/KR100208412B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/005—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values with non-volatile charge storage, e.g. on floating gate or MNOS

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

디지탈 데이타를 아날로그 데이타로 변환하여 메모리에 기억하고, 메모리의 용량을 실질적으로 증가시킬 수 있는 정보 기억 장치를 제공한다. D/A 변환부(12)는 복수 비트의 디지탈 데이타를 이산적인 아날로그 데이타로 변환한다. 메모리(18)은 아나로그 데이타의 기입 및 독출이 가능하고, 복수 비트의 디지탈 데이타를 이산적인 아나로그 데이타로서 하나의 메모리 셀에 기억한다. 메모리(18)로부터 독출한 아나로그 데이타는 A/D 변환부(24)에 의해 소정 비트수의 디지탈 데이타로 변환된다. 이에 따라, 메모리의 기억 용량을 실질적으로 증대시킬 수 있다.

Description

정보 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 정보 기억 장치를 도시하는 개략 구성도.

Claims (7)

  1. 아날로그 데이타의 기입 및 독출이 가능한 메모리를 갖는 정보 기억 장치에 있어서, 소정 비트수의 디지탈 데인타를 이산적인 아날로그 데이타로 변환하는 디지탈 아날로그 변화 수단, 상기 아날로그 데이타를 기억하는 메모리, 상기 메모리로부터 독출된 아날로그 데이타를 다시 소정 비트수의 디지탈 데이타로 변환하는 아날로그 디지탈 변환 수단 및 상기 메모리에 대한 기입을 제한하는 기입 제한 수단을 갖고, 상기 메모리는 리드 라이트 에리어와, 라이트 제한 에리어로 분할되어 있고, 상기 기입 제한 수단은 상기 라으트 제한 에리어로의 상기 아날로그 데이타의 기입을 제한하는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리는 부유 게이트에 주입하는 전하량을 제어함으로써 아날로그 데이타의 기억이 가능한 비휘발성 메모리이고, 상기 비휘발성 메모리에 리드 라이트 에리어 및 라이트 제한 에리어를 설치함으로써, 단일 메모리로 리드 온리 메모리와 리드 라이트 메모리로서의 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  3. 제1 또는 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기입 제한 수단은 상기 라이트 제한 에리어의 크기 또는 위치를 제어하는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  4. 제1 또는 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디지탈 아날로그 변환 수단은 소정 비트수의 디지탈 데이타를 비트수에 따라 분할한 이산적인 전압치로 할당하여, 아날로그 데이타를 작헝하는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  5. 아날로그 데이타의 기입 및 독출이 가능한 메모리를 갖는 정보 기억 장치에 있어서, 입력되는 아날로그 데이타를 디지탈 데이타로 변환하는 제1 아날로그 디지탈 변환 수단, 상기 변환된 디지탈 데이타를 압축하는 압축 수단, 상기 압축되 소정 비트수의 디지탈 데이타를 이산적인 아날로그 데이타로 변환하는 제1 디지탈 아날로그 변환 수단, 상기 변환된 아날로그 데이타를 기억하는 메모리, 상기 메모리로부터 독출된 아날로그 데이타를 다시 소정 비트수의 압축 디지탈 데이타로 변환하는 제2 아날로그 디지탈 변환 수단, 상기 변환된 압축 디지탈 데이타를 신장하는 신장 수단 및 상기 신장된 디지탈 데이타를 아날로그 데이타로 변환하는 제2디지탈 아날로그 변환 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 메모리에 대한 기입을 제한하는 기입 제한 수단을 갖고, 상기 메모리는 리드 라이트에리어와, 라이트 제한 에리어로 분할되어 있으며, 상기 기입 제한 수단은 상기 라이트 제한 에리어로의 상기 아날로그 데이타의기입을 제한하는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 메모리는 부유 게이트에 주입하는 전하량을 제어함으로써 아날로그 데이타의 기억이 가능한 비휘발성 메모리이고, 상기 비휘발성 메모리에 리드 라이트 에리어 및 라이트 제한 에리어를 설치함으로써, 단일 메모리로 리드 온리 메모리와 리드 라이트 메모리로서의 기능을 겆는 것을 특징으로 하는 정보 기억 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950017023A 1994-06-24 1995-06-23 정보 기억 장치 KR100208412B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-143388 1994-06-24
JP14338894A JPH087591A (ja) 1994-06-24 1994-06-24 情報記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002868A true KR960002868A (ko) 1996-01-26
KR100208412B1 KR100208412B1 (ko) 1999-07-15

Family

ID=15337612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950017023A KR100208412B1 (ko) 1994-06-24 1995-06-23 정보 기억 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5689453A (ko)
JP (1) JPH087591A (ko)
KR (1) KR100208412B1 (ko)
TW (1) TW429377B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5745409A (en) * 1995-09-28 1998-04-28 Invox Technology Non-volatile memory with analog and digital interface and storage
JP3389186B2 (ja) * 1999-04-27 2003-03-24 松下電器産業株式会社 半導体メモリカード及び読み出し装置
TW569556B (en) * 2002-10-04 2004-01-01 Avid Electronics Corp Adaptive differential pulse-code modulation compression encoding/decoding method capable of fast recovery and apparatus thereof
JP3969278B2 (ja) * 2002-10-21 2007-09-05 株式会社デンソー 電子制御装置
JP4777710B2 (ja) * 2005-07-22 2011-09-21 富士通セミコンダクター株式会社 アナログ／デジタル変換装置
US7259981B1 (en) * 2005-11-29 2007-08-21 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Nonvolatile analog memory
US7916536B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-29 Micron Technology, Inc. Programming based on controller performance requirements
JP2010061723A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Toppan Printing Co Ltd 半導体メモリー装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209852A (en) * 1974-11-11 1980-06-24 Hyatt Gilbert P Signal processing and memory arrangement
US5339275A (en) * 1970-12-28 1994-08-16 Hyatt Gilbert P Analog memory system
US5537360A (en) * 1994-09-16 1996-07-16 Dallas Semiconductor Corporation Programmable power supply systems and methods providing a write protected memory having multiple interface capability

Also Published As

Publication number Publication date
TW429377B (en) 2001-04-11
JPH087591A (ja) 1996-01-12
KR100208412B1 (ko) 1999-07-15
US5689453A (en) 1997-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020467A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
US5761117A (en) Non-volatile multi-state memory device with memory cell capable of storing multi-state data
KR970076215A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치
US20100011150A1 (en) Data collection and compression in a solid state storage device
KR960002868A (ko) 정보 기억 장치
KR910008725A (ko) 반도체 기억장치 및 그 제어방법
KR970017669A (ko) 기억 분해능을 가변할 수 있는 불휘발성 다치 메모리 장치
KR860003551A (ko) 기 억 회 로
KR920013452A (ko) 순차 메모리
CA2017298A1 (en) Electronic odometer
KR0177783B1 (ko) 멀티레벨 스토리지 반도체 장치
US5625584A (en) Non-volatile multi-state memory device with memory cell capable of storing multi-state data
JPS6045994A (ja) Ｐｒｏｍによる情報記憶方法
KR850008561A (ko) 반도체리드 온리 메모리(Read Only Memory)장치
KR910003660A (ko) 벡터 또는 직접입력의 기록마스크를 갖춘 비데오 메모리
TW364116B (en) Data writing and reading apparatus and method for nonvolatile analog storage
US20010029402A1 (en) Electronic device for the recording/reproduction of voice data
KR970051325A (ko) 불휘발성 반도체 메모리장치
SU1064164A1 (ru) Устройство дл цифровой записи-считывани звуковых сигналов
SU964731A1 (ru) Буферное запоминающее устройство
KR970012566A (ko) 메모리 카드를 매체로한 음성과 문자 기록방법 및 장치
SU1176383A1 (ru) Запоминающее устройство
KR970076205A (ko) 화상 입출력장치
JPH0546200A (ja) 音声記録再生装置
KR960015574A (ko) 스택 겸용 선입 선출 메모리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040331

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee