JPS6045994A - Promによる情報記憶方法 - Google Patents
Promによる情報記憶方法Info
- Publication number
- JPS6045994A JPS6045994A JP58153903A JP15390383A JPS6045994A JP S6045994 A JPS6045994 A JP S6045994A JP 58153903 A JP58153903 A JP 58153903A JP 15390383 A JP15390383 A JP 15390383A JP S6045994 A JPS6045994 A JP S6045994A
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- JP
- Japan
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- prom
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、バッテリーによるバックアップなしで情報を
記憶させうるようにしたFROMによる情報記憶方法に
関するものである。
記憶させうるようにしたFROMによる情報記憶方法に
関するものである。
技術的背景およびその問題点
従来、電源を切っても消滅させたくない書替可能データ
を半導体メモリーを用いて保持する場合は、C−MOS
等の低消費電力のRAMを用いてバッテリーによりバッ
クアップしている。しかしながら、このような手段はロ
スト高になり、また、バッテリーの保守が必要である等
の問題がある。
を半導体メモリーを用いて保持する場合は、C−MOS
等の低消費電力のRAMを用いてバッテリーによりバッ
クアップしている。しかしながら、このような手段はロ
スト高になり、また、バッテリーの保守が必要である等
の問題がある。
発明の目的
本発明は、バッテリーによるバックアップなしで不揮発
性RAMを構成することができるFROMによる情報記
憶方法を提供することを目的とする。
性RAMを構成することができるFROMによる情報記
憶方法を提供することを目的とする。
発明の実施例
本発明の一実施例を図面に基いて説明する。本実施例は
紫外線消去EPROMを用いたものであり、このEPR
OMは書込みの状態では全てのビットが゛l″の状態に
なっているものである。しかして、■ワード8ビットで
0018〜7F18の番地を持っており、00〜03番
地をページ使用情報エリヤとし、他の部分は4番地毎に
区切ってページエリヤとする。
紫外線消去EPROMを用いたものであり、このEPR
OMは書込みの状態では全てのビットが゛l″の状態に
なっているものである。しかして、■ワード8ビットで
0018〜7F18の番地を持っており、00〜03番
地をページ使用情報エリヤとし、他の部分は4番地毎に
区切ってページエリヤとする。
しかして、第1回目の書込みでは、00番地のビット6
(1ページ情報ビツト)を′0″に書き。
(1ページ情報ビツト)を′0″に書き。
1ページ目のページエリヤにデータを書き込む。
そして、読出しの場合には、ページ使用情報エリヤの状
態を読む。この状態では、データは1ページに書かれて
いるとし、1ページの読み出しを行なう。
態を読む。この状態では、データは1ページに書かれて
いるとし、1ページの読み出しを行なう。
第2回目の書込みは、ページ使用情報エリヤを読み出し
、現ページが1ページであることを知り、次の書き込み
は2ページであることを知り、2ページ情報ビツトを′
0″にし、2ページ目のページエリヤにデータを書き込
む。
、現ページが1ページであることを知り、次の書き込み
は2ページであることを知り、2ページ情報ビツトを′
0″にし、2ページ目のページエリヤにデータを書き込
む。
また、あるページに関し、前のデータに対して重ね書き
を行ないうるとき、すなわち、前のデータに対してさら
に所定ビットを゛O″にすればよいデータであるときに
は、ページ使用情報を変えずにちとのページを用いる。
を行ないうるとき、すなわち、前のデータに対してさら
に所定ビットを゛O″にすればよいデータであるときに
は、ページ使用情報を変えずにちとのページを用いる。
このようにして、順次ページ毎の書き込みが行なわれる
が、読み出しの場合は、最終的に記憶されているページ
を読み出す。
が、読み出しの場合は、最終的に記憶されているページ
を読み出す。
なお、本実施例においては、ページ使用情報はIFまで
あり、ページもIF(32ページ)まで存する。また、
FROMとしてはヒユーズFROMの使用も可能である
。
あり、ページもIF(32ページ)まで存する。また、
FROMとしてはヒユーズFROMの使用も可能である
。
発明の効果
本発明は、上述のようにFROMの一部にページ使用情
報エリヤを形成するとともに他の部分にそれに対応する
′ページエリヤを形成し、ページ使用情報を書き込むと
ともに対応するページエリヤにデータを書き込むように
したので、バッテリーによるバックアップなしで情報を
記憶させることができ、そのときの情報の信頼性もきわ
めて、11いものである。また、重ね書きを行なうこと
により、使用時の容量を増加させることができるもので
′ある。
報エリヤを形成するとともに他の部分にそれに対応する
′ページエリヤを形成し、ページ使用情報を書き込むと
ともに対応するページエリヤにデータを書き込むように
したので、バッテリーによるバックアップなしで情報を
記憶させることができ、そのときの情報の信頼性もきわ
めて、11いものである。また、重ね書きを行なうこと
により、使用時の容量を増加させることができるもので
′ある。
図面は本発明の一実施例を示すRAMマツプである。
出 願 人 東京電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、FROMの一部にページ使用情報エリヤを形成する
とともに他の部分を各ページに対応するページエリヤと
し、書込みの場合には前記ページ使用情報エリヤにペー
ジ使用情報を書込むとともに対応するページエリヤに新
データを書き込み、読み出しの場合にはページ使用情報
エリヤのページ使用情報を参照して対応するページエリ
ヤのデータを読み出すようにしたことを特徴とするFR
OMによる情報記憶方法。 2、書込みの際に最終ページの内容を読み出して書き込
むべきデータと比較し、重ね書き可能な場合にはページ
変更をせずに重ね書きするようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のFROMによる情報記憶方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153903A JPS6045994A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | Promによる情報記憶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153903A JPS6045994A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | Promによる情報記憶方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6045994A true JPS6045994A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15572623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58153903A Pending JPS6045994A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | Promによる情報記憶方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6045994A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63278697A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-16 | Nippon Steel Corp | ガスシ−ルド溶接用フラツクス入りワイヤ |
JP2008123643A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP2009157807A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
JP2010165165A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Seiko Instruments Inc | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
JP2010231872A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2010238278A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58153903A patent/JPS6045994A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63278697A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-16 | Nippon Steel Corp | ガスシ−ルド溶接用フラツクス入りワイヤ |
JP2008123643A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP2009157807A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
JP2010165165A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Seiko Instruments Inc | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
JP2010231872A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2010238278A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
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