JPS6045994A - Ｐｒｏｍによる情報記憶方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、バッテリーによるバックアップなしで情報を
記憶させうるようにしたＦＲＯＭによる情報記憶方法に
関するものである。

技術的背景およびその問題点 従来、電源を切っても消滅させたくない書替可能データ
を半導体メモリーを用いて保持する場合は、Ｃ−ＭＯＳ
等の低消費電力のＲＡＭを用いてバッテリーによりバッ
クアップしている。しかしながら、このような手段はロ
スト高になり、また、バッテリーの保守が必要である等
の問題がある。

発明の目的 本発明は、バッテリーによるバックアップなしで不揮発
性ＲＡＭを構成することができるＦＲＯＭによる情報記
憶方法を提供することを目的とする。

発明の実施例 本発明の一実施例を図面に基いて説明する。本実施例は
紫外線消去ＥＰＲＯＭを用いたものであり、このＥＰＲ
ＯＭは書込みの状態では全てのビットが゛ｌ″の状態に
なっているものである。しかして、■ワード８ビットで
００１８〜７Ｆ１８の番地を持っており、００〜０３番
地をページ使用情報エリヤとし、他の部分は４番地毎に
区切ってページエリヤとする。

しかして、第１回目の書込みでは、００番地のビット６
　（１ページ情報ビツト）を′０″に書き。

１ページ目のページエリヤにデータを書き込む。

そして、読出しの場合には、ページ使用情報エリヤの状
態を読む。この状態では、データは１ページに書かれて
いるとし、１ページの読み出しを行なう。

第２回目の書込みは、ページ使用情報エリヤを読み出し
、現ページが１ページであることを知り、次の書き込み
は２ページであることを知り、２ページ情報ビツトを′
０″にし、２ページ目のページエリヤにデータを書き込
む。

また、あるページに関し、前のデータに対して重ね書き
を行ないうるとき、すなわち、前のデータに対してさら
に所定ビットを゛Ｏ″にすればよいデータであるときに
は、ページ使用情報を変えずにちとのページを用いる。

このようにして、順次ページ毎の書き込みが行なわれる
が、読み出しの場合は、最終的に記憶されているページ
を読み出す。

なお、本実施例においては、ページ使用情報はＩＦまで
あり、ページもＩＦ（３２ページ）まで存する。また、
ＦＲＯＭとしてはヒユーズＦＲＯＭの使用も可能である
。

発明の効果 本発明は、上述のようにＦＲＯＭの一部にページ使用情
報エリヤを形成するとともに他の部分にそれに対応する
′ページエリヤを形成し、ページ使用情報を書き込むと
ともに対応するページエリヤにデータを書き込むように
したので、バッテリーによるバックアップなしで情報を
記憶させることができ、そのときの情報の信頼性もきわ
めて、１１いものである。また、重ね書きを行なうこと
により、使用時の容量を増加させることができるもので
′ある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示すＲＡＭマツプである。 出　願　人　東京電気株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＦＲＯＭの一部にページ使用情報エリヤを形成する
   とともに他の部分を各ページに対応するページエリヤと
   し、書込みの場合には前記ページ使用情報エリヤにペー
   ジ使用情報を書込むとともに対応するページエリヤに新
   データを書き込み、読み出しの場合にはページ使用情報
   エリヤのページ使用情報を参照して対応するページエリ
   ヤのデータを読み出すようにしたことを特徴とするＦＲ
   ＯＭによる情報記憶方法。 ２、書込みの際に最終ページの内容を読み出して書き込
   むべきデータと比較し、重ね書き可能な場合にはページ
   変更をせずに重ね書きするようにしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のＦＲＯＭによる情報記憶方
   法。