KR960002488A - 반도체소자 - Google Patents

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KR960002488A
KR960002488A KR1019940013730A KR19940013730A KR960002488A KR 960002488 A KR960002488 A KR 960002488A KR 1019940013730 A KR1019940013730 A KR 1019940013730A KR 19940013730 A KR19940013730 A KR 19940013730A KR 960002488 A KR960002488 A KR 960002488A
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김재갑
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자들중에서 지그 형상의 활성영역 비트라인의 양측에 걸쳐 형성되는 폴디드 비트라인 방식의 디램 소자에서 상기 활성영역의 중심부분에 비트라인 콘택홀을 형성하고, 상기 비트라인에 대해 반대방향으로 전하보존전극 콘택홀을 형성하며, 상기 비트라인에서 워드라인 스트랩영역의 경계 부분과 접한 양측의 첫 번째 비트라인에는 상기 워드라인 스트랩영역의 반대측에만 소자를 형성하였으며, 상기 양측 두 개의 비트라인을 서로 연결하여 하나의 비트라인으로 센서앰프와 연결시키고, 두 번째 비트라인들은 타측의 센서 앰프와 연결하였으므로, 폴디드 비트라인 방식의 디램 소자에서 워드라인 스트랩영역의 면적이 감소되어 소자의 고집적화에 유리하다.

Description

반도체소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 반도체소자의 배치를 설명하기 위한 개략도.
제2도는 제1도에서의 단위 소자의 레이아웃도.
제3도는 제2도에서 단위소자의 선 X-X'에 따른 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 반도체소자의 배치를 설명하기 위한 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
A : 활성영역 마스크 B : 게이트전극 마스크
C : 비트라인 콘택 마스크 D : 비트라인 마스크
E : 전하보존전극 콘택 마스크 F : 전하보존전극 마스크
1 : 반도체기판 2 : 소자분리 절연막
3 : 게이트 산화막 4 : 게이트전극
5 : 소오스전극 5A : 드레인전극
6 : 층간절연막 7 : 비트라인
8 : 전하보존전극 9 : 유전막
10 : 플레이트전극 11 : 활성영역
12 : 비트라인 콘택홀 13 : 전하보존전극 콘택홀
14 : 빈영역 15 : 워드라인 스크랩영역
16 : 센서 앰프 17 : 단위소자

Claims (3)

  1. 반도체기판상의 일측에 형성되어 있는 활성영역과, 상기 활성영역의 일측에 형성되는 비트라인 콘택홀과, 상기 비트라인 콘택홀을 중심으로 양측에 형성되어 있는 게이트전극들과, 상기 비트라인 콘택홀을 통하여 활성영역의 드레인전극과 접촉되는 비트라인과, 상기 활성영역의 양측에 접촉되며, 상기 비트라인에 대해 각각 반대 방향으로 형성되어 있는 전하보존전극을 구비하는 폴디드 비트라인 방식의 반도체소자에 있어서, 상기 비트라인 사이에 형성되는 워드라인 스트랩영역의 경계면과 인접한 첫 번째 비트라인에 대하여 워드라인 스트랩영역의 반대쪽으로만 활성영역 및 전하보존전극의 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  2. 반도체기판상의 일측에 형성되어 있는 활성영역과, 상기 활성영역의 일측에 형성되는 비트라인 콘택홀과, 상기 비트라인 콘택홀을 중심으로 양측에 형성되어 있는 게이트전극들과, 상기 비트라인 콘택홀을 통하여 활성영역의 드레인전극과 접촉되는 비트라인과, 상기 활성영역의 양측에 접촉되며, 상기 비트라인에 대해 각각 반대방향으로 형성되어 있는 전하보존전극을 구비한 폴디드 비트라인 방식의 반도체소자에 있어서, 상기 비트라인 사이의 워드라인 스트랩영역의 경계면과 인접한 첫 번째 비트라인에 대하여 워드라인 스트랩영역의 반대쪽으로만 활성영역 및 전하보존전극이 형성되어 있으며, 상기 두 개의 비트라인을 연결하여 하나의 비트라인으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  3. 반도체기판상의 일측에 형성되어 있는 활성영역과, 상기 활성영역의 일측에 형성되는 비트라인 콘택홀과, 상기 비트라인 콘택홀을 중심으로 양측에 형성되어 있는 게이트전극들과, 상기 비트라인 콘택홀을 통하여 활성영역의 드레인전극과 접촉되는 비트라인과, 상기 활성영역의 양측에 접촉되며, 상기 비트라인에 대해 각각 반대 방향으로 형성되어 있는 전하보존전극을 구비하는 폴디드 비트라인 방식의 반도체소자에 있어서, 상기 비트라인 사이의 워드라인 스트랩영역의 경계면과 인접한 첫 번째 비트라인에 대하여 워드라인 스트랩영역의 반대쪽으로만 활성영역 및 전하보존전극이 형성되어 있으며, 상기 두 개의 비트라인이 일측의 센서 앰프와 연결되고, 상기 워드라인 스트랩영역과 인접한 두 번째 비트라인은 타측 센서 앰프와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013730A 1994-06-17 1994-06-17 반도체소자 KR0131720B1 (ko)

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