KR950034760A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 집적회로 장치의 정전방전(FSD)에 대한 저항을 개선하는 것을 목적으로 한다. N-채널타입의 MOS 트랜지스터의 드레인 영역에 N타입의 불순물을 최대 5E18/㎤이상의 표면농도로 게이트 전극단자의 게이트 방향으로 제공함과 동시에 표면 방향으로 5E18/㎤이하의 부분에 킹크가 없는 균일한 농도 프로파일을 구비하도록 함으로써 높은 ESD 면역성을 가지는 IC가 실현된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예1에 따른 NMOS 트랜지스터의 회로를 보여주는 블록도, 제2도는 본 발명의 실시예1의 NMOS 트랜지스터의 특성을 측정하기 위한 회로도.

Claims (32)

  1. N-채널 MOS 트랜지스터를 포함하고, 2도전성 드레인 영역과 소스영역이 제1도전성 반도체 기판의 표면 부근에 이격된 상태로 형성되어 있고, 상기 반도체 기판 상의 상기 드레인 영역과, 게이트 절연박막을 개재하는 상기 드레인 영역 사이에 게이트 전극이 형성되어 있고, 상기 드레인 영역의 최대 불순물 농도는 5×1018㎝-3이상이고, 상기 반도체 기판의 표면의 상기 드레인 영역의 불순물 농도는 상기 게이트 전극의 하부의 상기 소스영역 방향으로 일정하게 감소하는 분포로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 드레인 영역과 상기 게이트 절연박막이 상기 게이트 절연박막을 개재하여 중첩부를 가지며, 상기 소스영역 방향으로의 상기 중첩부의 길이는 5㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치는 상기 게이트 전극이 상기 소스영역에 전기적을 접속되도록 된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치는 연속되는 평면방향으로 상기 드레인 영역의 주위를 둘러쌈으로서 상기 게이트 전극을 형성하는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터는 상기 게이트 영역과 상기 소스영역이 전기적으로 접지됨과 동시에 상기 드레인 영역에 전압이 단계적으로 인가될 때 이극성 동작을 수행하고, 상기 이극성 동작의 유지전압이 상기 본도체 장치의 동작전압의 상한 보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 외부와 전기접속되는 외부단자 및 상기 반도체 기판 상에 MOS 트랜지스터를 포함한 내부회로를 추가로 포함하고, 상기 외부단자와 상기 내부회로는 전기적으로 접속되고, 상기 외부단자는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터와 전기적으로 접속되고, 상기 게이트 영역과 상기 소스영역이 전기적으로 접지됨과 동시에 상기 드레인 영역에 전압이 단계적으로 인가될 때 상기 N-채널 MOS 트랜지스터가이극성 동작을 수행하고, 상기 이극성 동작의 트리거 전압이 상기 내부회로의 MOS 트랜지스터의 이극성 동작의 트리거 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 상기 반도체 기판 상에 MOS 트랜지스터를 포함하는 내부회로를 추가로 포함하고, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터는 하나의 외부회로 및 상기 내부회로 상이를 전기접속시킴으로써 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 최소 동작정압인 1.5V 이하의 전압으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 사익 반도체 장치가 최대 동작전압인 12V 인사의 전압으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 절연박막을 개재하여 하나의 지지가판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 반도체 장치가 상기 내부회로에 전원을 인가하기 위한 적어도 두개의 단자를 추가로 포함하고, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터가 상기 두개의 단자 사이에 개재하여 상기 두개의 단자를 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반도체 장치가 최소 동작전압인 1.5V 이하의 전압 또는 최대 동작전압인 12V이상의 전압으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 반도체 기판을 포함하는 칩의 일측의 치수가 편평형을 기준으로 1.5㎜이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 소정의 전압을 입력하기 위한 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터를 제어하기 위한 스위치 제어회로, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기적으로 접속된 코일 및 스위칭 레규레이터를 추가로 포함하고, 상기 스위칭 레귤레이터는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터가 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 코일 사이에서 전기적으로 접속하는 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 외부로부터 신호를 입력하기 위한 입력단자, 상기 입력단자와 전기적으로 접속된 내부회로 및 상기 입력단자와 전기적으로 접속된 정전보호소자를 추가로 포함하고, 상기 정전보호소자는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터의 상기 드레인 영역이 상기 입력단자와 전기적으로 접속되어 있고, 상기 소스영역이 GND와 전기적으로 접속되는 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 입력단자와 상기 내부회로가 리지스터를 개재하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 외부로 신호를 출력하기 위한 출력단자, 상기 출력단자와 전기적으로 접속된 내부회로 및 상기 출력단자와 전기적으로 접속된 정전보호소자를 추가로 포함하고, 상기 정전보호소자는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터의 상기 드레인 영역이 상기 출력단자와 전기적으로 접속되어 있고, 상기 소스영역이 GND와 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 출력단자와 상기 내부회로가 라지스터를 개재하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 내부회로의 출력부가 한 쌍의 NMOS 트랜지스터와 PMOS 트랜지스터로 구성된 인버터를 포함하고, 상기 인버터의 출력부는 상기 출력단자와 전기적으로 접속되고, 상기 NMOS 트랜지스터는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  22. 제18항에 있어서, 상기 내부회로의 출력부가 하나의 오픈드레인 트랜지스터를 포함하고, 상기 오픈 드레인 트랜지스터는 상기 출력단자와 전기적으로 접속되고, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터는 상기 출력단자와 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 오픈 드레인 트랜지스터가 리지스터를 개재하여 상기 출력단자와 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  24. 제18항에 있어서, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터의 상기 게이트 전극이 상기 내부회로의 출력부와 전기적으로 접속되고, 상기 N-채널 MOS 트랜지스터의 상기 드레인 영역이 상기 출력단자와 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  25. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 외부로 신호르 출력함과 동시에 외부로부터 신호를 입력하는 기능을 가지는 하나의 입/출력 단자, 상기 입/출력단자와 전기적을 접속된 내부회로 및 상기 입/출력 단자에 전기적으로 접속된 정정보호소자를 추가로 포함하고, 상기 정전보호소자는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 반도체 장치가 한 쌍의 NMOS 트랜지스터와 PMOS 트랜지스터로 구성된 제1및 제2인버터를 추가로 포함하고, 상기 제1인버터의 입력부는 상기 입/출력단자에 접속되고, 상기 제1인버터의 출력부는 상기 내부회로 접속되고, 상기 제2인버터의 출력부는 상기 입/출력단자와 접속되고, 상기 제2인버터의 입력부는 상기 내부회로와 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 NMOS 트랜지스터가 상기 N-채널 MOS 트랜지스터로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  28. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 5V 이하의 전압으로 동작하는 하나의 내부회로 및 상기 내부회로에 전기적으로 접속된 출력단자를 추가로 포함하고, 상기 출력단자가 상기 N-채널 MOS 트랜지스터 및 12V이상의 전압으로 동작하는 하나의 외부회로에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 내부회로아 상기 출력단자는 NMOS 트랜지스터를 개재하여 전기적으로 접속되어 있고, 상기 NMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 내부회로는 전기적으로 접속되어 있고, 상기 NMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 출력단자와 전기적으로 접속되어 있고, 상기 NMOS 트랜지스터는 상기 N-채널 MOS 트랜지스터로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  30. 5×1014/㎠ 이상의 제1의 비도전성 불순물을 표면 선택적으로 적어도 제1도전성 반도체 기판에 도입하는 단계; 게이트 절연박막을 형성하는 단계; 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 1×1015/㎠ 이상의 제2의 비도전성 불순물을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  31. 적어도 제1의 도전성 반도체 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 제1비도전성 불순물을 표면 선택적으로 도입하는 단계; 및 3×1015/㎠ 이상의 제2의 비도전성 불순물을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  32. 적어도 제1의 도전성 반도체 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 강기 게이트 전극 상에 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 및 3×1015/㎠ 이상의 제2의 비도전성 불순물을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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