KR950025963A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

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KR950025963A
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semiconductor chip
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테쯔야 우에다
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유따까 코야마
나오또 우에다
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기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

반도체 장치의 제조방법.
복수의 다이패드 지지리드(11)로 다이패드(10)를 지지하는 제1리드프레임(1)상에 접속리드(21, 25)를 가진는 제2리드프레임(2)이 중첩되고, 제1 및 제2리드프레임(1, 2)을 제1금형(5)내에 배치하되, 다이패드(10)와 제2리드프레임의 내부리드(21, 25)의 내부 리드부(22, 26)가 제1금형(5)의 제1캐비티(51)내에 수납되는 반면 다이패드 지지리드(11)의 단차부(12)는 제1캐비티(51)의 외측에 배치되도록 하고, 제2금형(6)은 제1금형(5)상으로 클램프되어 이후 응용된 수지로 충전되어 패키지(35)를 형성하게되는 수지 몰딩 챔버를 규정한다.
제1 및 제2금형(5, 6)으로부터 패키지(35)를 제거한 후, 단차부(12)는 패키지(35)로부터 절단되고, 접속리드(21, 25)는 소정길이로 절단된다.
가능한한 큰 사이즈의 반도체칩이 반도체 장치의 우수한 품질과 향상된 신뢰성이 유지되면서 표준 반도체 장치내에 수납된다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서 다이패드 스탬핑(die pad stamping) 및 와이어 본딩(wire bonding)공정을 나타내는 평면도,
제2도는 제1도의 A-A선을 따라 화살표로 표시된 방향에서 나타낸 단면도,
제3도는 와이어 본딩 공정에서 사용된 지지대를 나타내는 사시도,
제4도는 금형 캐비티(molding cavity)내에 배치된 제1리드 프레임과 제2리드 프레임을 나타내는 평면도,
제5도는 제4도의 B-B선을 따라 화살표로 표시된 방향에서 나타낸 단면도,
제6도는 제4도의 C-C선을 따라 화살표로 표시된 방향에서 나타낸 단면도,
제7도는 제4도의 D-D선을 따라 화살표로 표시된 방향에서 나타낸 단면도,
제8도는 제4도의 E-E선을 따라 화살표로 표시된 방향에서 나타낸 단면도.

Claims (16)

  1. 반도체칩이 탑재되어 있는 다이패드를 단차부를 각각 포함하는 복수의 다이패드 지지리드로 지지하는 제1리프드레임상에, 상기 반도체칩에 형성된 전극에 근접하여 연장되어 있는 접속리드를 가지는 제2리드프레임을 중첩하여 배치하고, 상기 접속리드의 내부리드부를 상기 반도체칩의 상기 전극에 금속 와이어로 각각 접속시키는 제1공정과, 상기 제1 및 제2리드프레임을 제1금형상에 설치하되, 상기 다이패드와 상기 내부리드부가 상기 제1금형내에 형성된 제1캐비티내에 배치되는 반면 상기 다이패드 지지리드의 상기 단차부가 상기 제1캐비티의 외측에 배치되고, 제2캐비티를 가지는 제2금형을 상기 제1금형에 겹치도록 배치하여 수지 몰딩 챔버를 형성하고, 상기 제1 및 제2리드프레임이 상기 제1 및 제2금형의 이웃하는 면 사이에 위치하는 단차부를 포함하도록 하는 제2공정과, 상기 수지 몰딩 챔버를 수지로 충전하여 패키지를 형성하는 제3공정과, 상기 제1 및 제2금형으로부터 상기 패키지를 제거하고, 상기 패키지로부터 외부로 노출된 상기 단차부를 절단하는 한편 상기 접속리드를 소정길이로 자르는 제4공정과를 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서, 상기 다이패드 지지리드에 아래쪽으로 프레스를 가하여 단차부를 형성하고, 상기 반도체칩을 상기 다이패드상에 탑재하고, 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드의 내부 리드부와의 전기적 접속을 금속 와이어를 본딩하여 형성하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서, 상기 리드프레임이 상기 다이패드 지지리드의 일부를 구성하는 복수의 제1돌출편과, 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 각각 연장되는 접속리드로 형성되는 반면, 상기 다이패드로부터 수평으로 연장되는 복수의 제2돌출편을 형성하고, 상기 제2돌출편이 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 각각 연장된 상기 접속리드의 아래쪽으로 연장되어 상기 제1돌출편의 하방에 위치하도록 상기 다이패드를 배치한후, 상기 제1 및 제2돌출편이 서로 연결부재로 접속되어 상기 복수의 다이패드 지지리드를 형성하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 연결부재가 접착재로 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 연결부재가, 상기 제1돌출편과 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 연장되는 접속리드의 하측에 배치되고 상기 제1돌출편 및 제2돌출편 사이에 끼워진 상태로 상기 제1돌출편 및 제2돌출편 모두에 접착된 스페이서로 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 연결부재가, 상기 제1 및 제2돌출편의 하나에 형성되고 상기 제1 및 제2돌출편의 다른 하나에 접착된 돌기부로 구성되는 반도체 장치의 제조방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1공정에서 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드 사이의 전기적 접속이, 상기 다이패드 지지리드들 사이에 형성된 스페이스로 연장된 상기 접속리드의 선단부가 상기 복수의 인접하는 다이패드 지지리드의 사이를 지나서 위쪽으로 돌출된 지지대 위에서 지지되는 상태에서 상기 금속 와이어를 본딩하여 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제1공정에서, 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드 사이의 전기적 접속이, 상기다이패드 지지리드들 사이에 형성된 스페이스로 연장된 상기 접속리드의 선단부가 상기 복수의 인접하는 다이패드 지지리드의 사이를 지나서 위쪽으로 돌출된 지지대 위에서 지지되는 상태에서 사기 금속 와이어를 본딩하여형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 다이패드와, 상기 다이패드에 접속되고 각각 단차부를 가지는 다이패드 지지리드와, 상기 다이패드에 인접하는 위치로 연장된 접속리드로 구성된 리드 프레임을 형성하고, 상기 다이패드상에 반도체칩을 탑재하고, 상기 접속리드의 내부 리드부를 상기 반도체 칩의 전극에 금속 와이어를 사용하여 전기적으로 접속시키는 제1공정과, 상기 리드프레임을 제1금형상에 설치하되, 상기 다이패드와 상기 내부리드부가 상기 제1금형내에 형성된 제1캐비티내에 배치되는 반면 상기 다이패드 지지리드의 상기 단차부가 상기 제1캐비티의 외측에 배치되도록 하고, 제2캐비티를 가지는 제2금형을 상기 제1금형상에 겹치도록 배치하여 수지 몰딩 챔버를 형성하고, 상기 제1 및 제2리드프에임이 상기 제1 및 제2금형의 이웃하는 면 사이에 위치하는 단차부를 포함하도록 하는 제2공정과, 상기 수지 몰딩 챔버를 수지로 충전하여 패키지를 형성하는 제3공정과, 상기 제1 및 제2금형으로부터 상기 패키지를 제거하고, 상기 패키지로부터 외부로 노출된 상기 단차부를 절단하는 한편 상기 접속리드를 소정길이로 자르는 제4공정과를 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서, 상기 다이패드 지지리드에 아래쪽으로 프레스를 가하여 단차부를 형성하고, 상기 반도체칩을 상기 다이 패드상에 탑재하고, 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드의 내부 리드부와의 전기적 접속을 금속 와이어를 본딩하여 형성하는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서, 상기 리드프레임이 상기 다이패드 지지리드의 일부를 구성하는 복수의 제1돌출편과, 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 각각 연장되는 접속리드로 형성되는 반면, 상기 다이패드로부터 수평으로 연장되는 복수의 제2돌출편을 형성하고, 상기 제2돌출편이 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 각각 연장된 상기 접속리드의 아래쪽으로 연장되어 상기 제1돌출편의 하방에 위치하도록 상기 다이패드를 배치한후, 상기 제1 및 제2돌출편이 서로 연결부재로 접속되어 상기 복수의 다이패드 지지리드를 형성하는 반도체 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 연결부재가 접착재로 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 상기 연결부재가, 상기 제1돌출편과 상기 제1돌출편의 선단을 횡단하여 연장되는 접속리드의 하측에 배치되고 상기 제1돌출편 및 제2돌출편 사이에 끼워진 상태로 상기 제1돌출편 및 제2돌출편 모두에 접착된 스페이서로 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 연결부재가, 상기 제1 및 상기 제2돌출편의 하나에 형성되고 상기 제1 및 제2돌출편의 다른 하나에 접착된 돌기부로 구성되는 반도체 장치의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제1공정에서, 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드 사이의 전기적 접속이, 상기 다이패드 지지리드들 사이에 형성된 스페이스로 연장된 상기 접속리드의 선단부가 상기 복수의 인접하는 다이패드 지지리드의 사이를 지나서 위쪽으로 돌출된 지지대 위에서 지지되는 상태에서 사기 금속 와이어를 본딩하여 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제1공정에서, 상기 반도체칩의 전극과 상기 접속리드 사이의전기적 접속이, 상기 다이패드 지지리드들 사이에 형성된 스페이스로 연장된 상기 접속리드의 선단부가 상기 복수의 인접하는 다이패드 지지리드의 사이를 지나서 위쪽으로 돌출된 지지대 위에서 지지되는 상태에서 사기 금속 와이어를 본딩하여 형성되는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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