JPH01201947A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01201947A JPH01201947A JP2643488A JP2643488A JPH01201947A JP H01201947 A JPH01201947 A JP H01201947A JP 2643488 A JP2643488 A JP 2643488A JP 2643488 A JP2643488 A JP 2643488A JP H01201947 A JPH01201947 A JP H01201947A
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- resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装
置の改良に関するものである。
置の改良に関するものである。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第3図、4図
に示す様に金属性のリードフレーム1のアイランドla
に半導体素子2を半田、Agペースト等のろう材3にて
ダイボンディングし、その後半導体素子の電極2aと外
部リード端子4との間をAl線あるいはAu線等のボン
ディングワイヤー5にてワイヤーボンディングし、しか
る後、エポキシ、シリコン等の樹脂6にて封止されてい
た。
に示す様に金属性のリードフレーム1のアイランドla
に半導体素子2を半田、Agペースト等のろう材3にて
ダイボンディングし、その後半導体素子の電極2aと外
部リード端子4との間をAl線あるいはAu線等のボン
ディングワイヤー5にてワイヤーボンディングし、しか
る後、エポキシ、シリコン等の樹脂6にて封止されてい
た。
上述した、従来の樹脂封止型半導体装置の構造において
、リードフレーム1のアイランド部1aは、金属である
為、樹脂封止との線膨張係数が異なる為、半導体導体装
置に急激な熱ストレス(倒えば半田浸漬)を加えた場合
、樹脂との界面にすき間が生じてしまい、外部からの水
分浸入があった場合、容易に半導体素子の電極2aが腐
食してしまうという欠点があった。
、リードフレーム1のアイランド部1aは、金属である
為、樹脂封止との線膨張係数が異なる為、半導体導体装
置に急激な熱ストレス(倒えば半田浸漬)を加えた場合
、樹脂との界面にすき間が生じてしまい、外部からの水
分浸入があった場合、容易に半導体素子の電極2aが腐
食してしまうという欠点があった。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上述のアイランド部
2aが急激な熱ストレスを受けた時、封止樹脂との密着
がそこなわれずすき間が開かない様する為、アイランド
部2aを封止樹脂と同一材料の基板8にし、かつ基板自
身がアイランドとなる様にしたものである。
2aが急激な熱ストレスを受けた時、封止樹脂との密着
がそこなわれずすき間が開かない様する為、アイランド
部2aを封止樹脂と同一材料の基板8にし、かつ基板自
身がアイランドとなる様にしたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図、第2図は、その一実施例であって、金属性のア
イランドのないリードフレーム7の外部リード線4の樹
脂封止内光端部4aは、封止樹脂と同一材料の基板8に
より、接着固定されており、この基板8に半導体素子2
がろう材3にてダイボンディングされる。その後、半導
体素子の電極2aと外部リード端子先端部4aとの間を
、ボンティングワイヤー5にてワイヤーボンディンダし
、しかる後封止樹脂6にて封止する構造となっている。
イランドのないリードフレーム7の外部リード線4の樹
脂封止内光端部4aは、封止樹脂と同一材料の基板8に
より、接着固定されており、この基板8に半導体素子2
がろう材3にてダイボンディングされる。その後、半導
体素子の電極2aと外部リード端子先端部4aとの間を
、ボンティングワイヤー5にてワイヤーボンディンダし
、しかる後封止樹脂6にて封止する構造となっている。
本発明は、以上のように、基板8を従来のアイランド1
aの代わりに用い、基板8が封止樹脂と同一材料である
ことから線膨張係数も同一である為、急激な熱ストレス
による、すき間の発生を防止できる、外部からの水分の
浸入を防ぐ効果があ
aの代わりに用い、基板8が封止樹脂と同一材料である
ことから線膨張係数も同一である為、急激な熱ストレス
による、すき間の発生を防止できる、外部からの水分の
浸入を防ぐ効果があ
第1図は本発明の一実施例を示すワイヤーボンディング
後の斜視図、第2図は、本考案の樹脂封止後の断面図、
第3図は従来のワイヤーボンディング後の斜視図、第4
図は従来構造の断面図である。 1・ 従来のリードフレーム、1a・・・・アイランド
、2・ 半導体素子、2a・・・・・・半導体素子電極
、3・・・ろう材、4 ・外部リード端子、4a外部リ
ード端子の封止樹脂内先端部、5・・・・・ボンディン
グワイヤー、6・・・・・・封止樹脂、7・・・・・・
本発明で用いたリードフレーム、訃・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音
後の斜視図、第2図は、本考案の樹脂封止後の断面図、
第3図は従来のワイヤーボンディング後の斜視図、第4
図は従来構造の断面図である。 1・ 従来のリードフレーム、1a・・・・アイランド
、2・ 半導体素子、2a・・・・・・半導体素子電極
、3・・・ろう材、4 ・外部リード端子、4a外部リ
ード端子の封止樹脂内先端部、5・・・・・ボンディン
グワイヤー、6・・・・・・封止樹脂、7・・・・・・
本発明で用いたリードフレーム、訃・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において外部リード線の封止樹
脂内先端部が封止樹脂と同一材料の基板にて固定され、
かつ基板上に半導体素子がダイボンディングされている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2643488A JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2643488A JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01201947A true JPH01201947A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12193404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2643488A Pending JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01201947A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5508232A (en) * | 1994-02-07 | 1996-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2643488A patent/JPH01201947A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5508232A (en) * | 1994-02-07 | 1996-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
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