KR950013286B1 - 무방향성 전자 강스트립의 제조방법 - Google Patents

무방향성 전자 강스트립의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

무방향성 전자 강스트립의 제조방법
제 1 도는 A1함량에 대하여 낮은 철손치가 얻어지는 B/N의 영역을 나타내는 그래프.
본 발명은 열간직송압연(hot direct rolling ; 이하에서는 HDR로 칭한다)을 통하여 무방향성 자기 강스트립을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, HDR은 엄격히 말해서 주조슬랩을 가열하지 않고 직접적으로 열간압연하는 압연방법을 의미한다. 그러나 본 발명의 설명은 넓은 의미에서 주조슬랩의 온도가 현저히 떨어지기 전에 주조슬랩을 재가열해서 열간압연을 하는 공정(핫(hot) 슬랩-재가열-압연)을 HDR에 또한 포함한다.
전자 강스트립의 특성을 결정하는 중요한 인자로는 강에 석출되는 AIN과 MnS의 양, 크기, 형태 및 분포 등이 있다. 이 인자들은 최종제품의 자기특성에 영향을 미칠 뿐만 아니라 일련의 공정동안에서 강스트립의 마이크로조직 형성에 중요한 역할을 한다.
방향성 규소 강스트립의 경우에 있어서는 AIN과 MnS과 같은 석출물이 2차 재결정을 제어하는 억제제(inhibitor)로 유효하게 이용된다. 그러나, 무방향성 규소강스트립에 대해서는 석출물을 무해하게 하는 기술들이 다음과 같이 개시되어 있다.
1. AIN 또는 MnS의 재용해를 억제하기 위하여 슬랩을 낮은 온도에서 가열한다.(예를 들면, 일본 특공소 50-35885호)
2. 비금속 개재물의 미세한 석출물을 발생시키는 S와 O의 양을 감소시킨다.(예를 들면, 일본 특공소 56-22931호)
3. 황화물로 된 개재물의 형태를 제어하기 위해 Ca와 REN을 첨가한다.(예를 들면, 일본 특공소 58-17248호와 58-17249호)
4. 강스트립이 자기소둔(自己燒鈍)되도록 강스트립을 열간압연 후 초고온에서 권취하여 그 결과 AIN이 자기소둔 효과에 의해 조대화 된다.(일본 특공소 57-43132호) 이 기술들의 대부분은 슬랩 재가열 및 열간압연으로 이루어진 종래 공정의 전제를 기초로 한다. 그러나 에너지 절약과 공정 간소화의 관점에서 유망한 것으로 간주되는 직송 압연을 채택하는 경우, 직접 압연에 있어서 열간압연 공정중에 강내에 AIN 또는 MnS가 미세하게 석출되기 때문에 상기한 기술만으로는 우수한 자기특성을 얻는데 불충분하다.
따라서 상기의 문제점들을 해결하기 위한 관점으로부터 HDR에 있어서 AIN을 조대화하는 방법으로서, HDR도중에 슬랩을 잠시 가열함으로써 AIN을 조대화하는 기술들이 일본 특공소 56-18045호, 56-33451호와 일본 특개소 58-123825호에 제안되어 있다. 그러나 이들 기술은 슬랩의 두께 방향에 있어서 AIN의 불균일한 석출을 초래한다. 따라서 이들 방법은 특성의 균일성이 중요한 전자 강스트립을 제조하는 데에 항상 만족스러운 것은 아니다.
본 발명은 상기에 언급된 종래의 문제점을 감안하여 개발되었다. 전자 강스트립을 제조하는 공정에 있어서 HDR기술을 실현하기 위해서, 본 발명은 청구범위에 기재된 독창적인 성분설계와 처리조건의 규정에 의하여 지금까지 어려운 문제였던 HDR에 있어서 AIN과 MnS의 석출제어를 가능하게 할 수 있다.
구체적으로 본원 청구항 제 1 항 내지 제 6 항의 발명은 다음과 같은 구성을 갖는다.
(1) C : 0.02중량% 이하, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한 후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
(2) C : 0.005중량% 이하, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
(3) C : 0.005 내지 0.02중량%, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한 후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
(4) C : 0.02중량% 이하, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하이고, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.8내지 2.0인 B를 함유하고 ,잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 마무리 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
(5) C : 0.005중량% 미만, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하이고, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.8내지 2.0인 B를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 750℃ 내지 850℃ 이상의 마무리온도에서 열간압연을 종료한후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
(6) C : 0.005 내지 0.02중량%, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, A1 : 0.005중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하이고, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.5 내지 2.0인 B를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬램에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도 영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상 동안 균열처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃미만의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉가압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃사이의 온도범위에서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔하여 탈탄에 의해서 C함량을 0.005중량%미만으로 감소시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 골자는 HDR에 의한 무방향성 전자강판의 제조를 가능하게 하기 위하여, Al과 S의 함량을 규제함으로써 HDR 중에 석출하는 AIN과 MnS의 양을 자기특성에 영향을 미치지 않는 수준으로 감소시키는 것이고 또한, 불가피하게 석출하는 질화물을 조대한 BN 석출물로서 석출시키는 것이다.
본원 발명에서는 강재성분에 관하여 C, Si, P의 함량을 규제함과 동시에 상술한 관점으로부터 Mn, Al, S, N의 함량을 규제하고, 필요에 따라서 적정한 량의 B를 첨가한다. 처리조건에 있어서, 필요한 마무리온도 및 권취온도를 확보하기 위하여, 직송압연개시시의 슬랩온도의 하한을 규정하고, BN의 석출 및 페라이트 조직의 재결정을 확보하기 위하여 마무리 온도 및 권취온도의 하한을 규정한다. 한편, 자기 특성을 확보하기 위하여 냉연후의 스트립을 소정온도에서 최종연속 소둔한다.
상기한 바와 같은 특징을 가지는 본원 제 1 항 내지 제 6 항의 발명중 제 1 항의 발명에서는 열연소둔을 해하지 않고 경제적으로 저급강재를 얻을 수 있도록 제강시의 C함량을 0.002중량% 이하로 제한하고 그럼으로써 C : 0.02중량% 이하의 무방향성 전자강판이 제조된다. 이러한 본원 제 1 항의 발명에 대해 제 2 항의 발명은 제조되는 무방향성 전자강판의 자기시효(磁氣時效)를 회피하기 위해서 제강시에 있어서, C의 함량을 더욱 저감시켜 C : 0.005중량% 미만으로 하는 것을 특징으로 하고 있다. 이에 C : 0.005중량% 미만의 무방향성 전자강판, 즉 자기시효가 생기기 어려운 무방향성 전자강판이 제조된다.
본원 제 3 항의 발명은 제 2 항의 발명과 같이 자기시효 발생을 억제하는 무방향성 전자강판을 제조하는 것을 목표로 하고 있지만, 제 2 항의 발명에서는 제강단계에서 C함량이 0.005중량% 미만으로 저감되어 있는 것에 비해 제 3 항에 발명에서는 제강단계에서는 C : 0.005 내지 0.02중량%로 하고 최종 공정인 냉연스트립의 연속소둔공정에서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔을 실시하여 이 소둔시의 탈탄 작용에 의해 C의 함량을 0.005중량% 미만으로 저감시키는 것이다.
이러한 방법에 의해 제강단계에서는 C : 0.005 내지 0.02중량% 이면서도 최종적으로는 C : 0.005중량% 미만의 무방향성 전자강판, 즉 자기시효가 발생하기 어려운 무방향성 전자강판이 제조된다.
본원 제 1 항 내지 제 3 항의 발명에서는 강재의 성분에 B가 포함되지 않으나, 본원 제 4 항 내지 제 6 항의 발명은 강재의 성분으로 B를 적정량 포함(B/N=0.8 내지 2.0의 범위에서 B를 첨가한다)하는 것을 특징으로 하고 있다.
본원 제 4 항 내지 제 6 항의 발명도 최종 연속소둔시의 결정립 성장성을 향상시키기 위하여, Al함량을 규제하므로써 AIN을 자기특성에 문제가 되지 않는 수준까지 저감시키는 것을 목적으로 하고 있으나, 특히 B를 적정량 첨가함으로써 강재중에 불가피하게 포함되는 N을 BN으로 석출시키고, 이 B에 의한 작용에 의해서도 AIN함량의 저감화를 도모하는 것을 특징적인 목적으로 하고 있다(제 1 도 참조).
본원 제 4 항 내지 6 항의 발명에 있어서도, Al함량을 규제함으로써 AIN의 저감화를 도모하고 있으나, B의 첨가에 의한 상기한 작용효과를 얻을 수 있기 때문에 본원 제 1 항 내지 제 3항의 발명에 비해 Al함량의 상한을 높일 수 있다. 즉, Al함량을 0.005중량% 이상으로 하면 적합하다.
강재성분 B를 첨가하는 것을 특징으로 하는 본원 제 4 항 내지 제 6 항의 발명에서 제 4 항의 발명은 C의 함량에 있어서, 제 1 항의 발명과 동일한 구성을 갖고 있으며, 열연판 소둔을 하지 않고도 경제적인 강재를 얻는다는 점에서 제강시의 C함량을 0.02중량% 이하로 규정하고 있다. 이에 의해 C : 0.02중량% 이하의 무방향성 전자강판이 제조된다.
본원 제 5 항의 발명은 C함량에 대해 제 2 항의 발명과 동일한 구성을 갖고 있으며, 제조되는 무방향성 전자강판의 자기시효를 회피하기 위해서 제강시에 있어서 C의 함량을 더욱 저감시켜 C : 0.005중량% 미만으로 하는 것을 특징으로 하고 있다. 이에 의해 C : 0.005중량% 미만의 무방향성 전자강판, 즉 자기시효가 발생하기 어려운 무방향성 전자강판이 제조된다.
본원 제 6 항의 발명은 C의 함량 및 연속소둔에 관하여 제 3 항의 발명과 동일한 구성을 갖으며, 제 5 항의 발명에서는 제강단계에서 C함량을 0.005중량% 미만으로 저감시키는데 비해 제 6 항의 발명은 제강단계에서는 C : 0.005 내지 0.02중량%로 해두고, 최종공정인 냉연스트립의 연속소둔공정에서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔을 실시하여, 그 소둔시의 탈탄작용에 의해서 C의 함량을 C : 0.005중량%미만으로 저감시키는 것이다. 이러한 방법에 의해 제강단계에서는 C : 0.005 내지 0.02중량%이나 최종적으로는 C : 0.005중량%미만의 무방향성 전자강판, 즉 자기시효가 발생하기 어려운 무방향성 전자강판에 제조된다.
본 발명의 상세한 사항을 그 한정이유와 함께 설명한다.
강조성의 한정이유를 설명한다.
C : 본 발명은 제강단계에서 강은 0.02중량% 이하를 함유하는 것을 전제로 한다.
특히 무방향성 전자강판의 자기시효를 방지하기 위해서는 제조된 무방향성 전자강판의 최종적인 C함량이 0.005중량%미만인 것이 바람직하다. 제조된 무방향성 전자강판의 C함량을 0.005중량%미만으로 하기 위한 방법으로는 제강시의 탈가스 프로세스로 탈탄하는 방법과, 최종공정이 되는 냉연스트립의 연속소둔공정에 있어서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔을 실시하여 그 소둔 프로세스로 탈탄하는 방법이 있으며 어느 방법을 실시하여도 좋다.
Si : 이것은 전자 강스트립 내에서 철손치를 감소시키는데 유효한 원소이다. 낮은 철손치가 필수적인 고급제품에서는 2중량% 이상의 Si가 첨가된다.
그러나, Si 함량이 증가하면, 페라이트 재결정은 열간압연과 후속하는 권취중에 충분히 진행되지 않는다. 따라서, 소망하는 특성을 얻기 위해서는 열간압연판을 소둔하는 것이 필요하다. 그러나 본 발명에서 Si의 상한은 열간압연된 스트립을 소둔하지 않음으로써 보다 경제적으로 저급제품을 공급하기 위해 1.5중량%로 지정된다.
한편, 전자 강스트립의 제조에 있어서 필수적인 철손치의 저감을 위해서 Si의 하한은 0.1중량%로 한다.
Mn : 전자 강스트립을 제조할 때 Mn은 HDR중에 S를 MnS로서 석출시킨다. 그것의 크기를 제어하는 관점에서 Mn의 양은 매우 중요하다. 강중에 S를 충분히 석출시키기 위해서 본 발명에서는 Mn의 하한을 0.1중량%로 지정하고, 자기특성에 악영향을 미치지 않는 한계로서 Mn의 상한을 1.0중량%로 지정하였다.
S : HDR중에 MnS의 석출총량을 규제하기 위해서 S의 함량은 0.005중량% 미만으로 지정하였다.
Al : 이 원소는 본 발명에서 중요한 원소이다.
AIN 석출물의 크기와 분포를 제어하는데 목적이 있는 종래의 기술과 반대로, 본 발명에서는 자기 특성에 문제점을 일으키지 않는 수준까지 AIN을 낮출 목적으로, Al을 극히 감소시킨다. 따라서 Al은 0.002중량% 이하로 규제된다.
그럼에도 불구하고 나중에 언급되는 것처럼 B를 첨가하는 경우에는 제 1 도에 나타낸 바와 같이 Al을 0.005중량% 이하로 지정함으로써 우수한 특성을 얻을 수 있다.
P : 이 원소는 Si 함량이 낮은 전자 강스트립의 철손을 감소시키는데 값이 저렴하면서도 유효한 원소이다, 그러나 많은 양을 첨가하면 스트립이 경질로 될 뿐만 아니라 슬랩에 균열이 발생된다. 따라서 그 상한은 0.1중량%이다.
N : 이 원소는 열간압연 공정에서 미세한 AIN으로 석출하고 열간압연된 스트립에서뿐만 아니라 최종소둔중에 냉간압연된 스트립세에서도 페라이트 입자의 성장을 저해한다. 본 발명의 AIN의 석출을 가능한 한 억제하고 나중에 언급되는 것처럼 B를 첨가함으로써 BN으로서 석출시키며, AIN과 BN으로서의 석출량을 규제하기 위하여 N의 상한을 0.0030중량%로 지정한다.
B : 이 원소는 본 발명에서 가장 중요한 원소중의 하나이다.
특히, Al의 양을 규제함으로써 B는 HDR중에 석출하는 AIN의 양을 극히 감소시키며, 또한 불가피하게 함유되는 N을 BN으로서 석출시킨다.
제 1 도는 Al 함량에 대하여, 낮은 철손치(△W15/20는 HDR 제품과 통상의 HCR제품과의 철손치의 차이다)가 얻어지는 B/N의 영역을 도시한다.
Al이 0.005중량%이하이면, B/N이 0.8 내지 2.0인 범위에서 통상의 HCR제품의 철손치와 거의 동등한 낮은 철손치가 얻어진다. 따라서 본 발명에서는 B를 B/N이 0.8 내지 2.0인 범위 내에서 첨가한다.
본 발명에서는 상술한 조성을 갖고 있는 연속주조슬랩이 직접 압연되고, 직송압연 개시시의 슬랩온도(슬랩온도, 이하 동일함)는 1000℃ 이상의 온도로 지정된다. 왜냐하면 압연개시온도가 1000℃ 미만이면 본 발명에 의하여 지정된 마무리 온도 및 권취온도를 확보하기가 곤란하고 권취후의 BN의 성장뿐만 아니라 열간압연공정에서의 스트레인-유기석출이 불충분하게 제공되기 때문이다. 더욱이, 본 발명에서는 주조후의 슬랩온도가 1000℃ 미만이 되는 경우, 그 하한은 600℃로 지정되고, 또한 슬랩을 600℃ 이상의 온도범위에서부터 1000℃ 이상의 온도까지 재가열함으로써 압연을 수행하는 것이 가능하게 되어서 그 결과 소망하는 특성을 얻을 수 있다.
슬랩온도가 600℃미만으로 감소하면 슬랩을 단시간의 재가열처리에 의하여 슬랩의 내부까지 균일하게 가열하는 것은 곤란하므로, 종래 열처리와 같은 슬랩의 균열처리는 불가피하게 된다. 간단히 말해서, 이러한 사실은 경제성의 관점에서 본 발명의 장점을 손상시킨다. 또한, 슬랩을 재가열할 때 균열처리 시간에 대해서는 10분 이상을 확보하면 원하는 특성을 얻을 수 있다. 그렇지만 균열처리 시간이 너무 길면 경제성의 관점에서 양호한 방책이 못된다. 즉 40분 이하의 시간동안 균열처리하는 것이 바람직하다.
열간압연에 있어서 마무리 압연은 820℃ 이상의 온도에서 수행되고 권취온도를 확보하기 위하여 권취는 650℃ 이상의 온도에서 행하여진다.
본 발명에서는, BN의 석출에 부가하여 권취후에 열간압연된 스트립의 페라이트 조직을 충분히 재결정시키기 위해서 스트립을 650℃이상의 온도에서 권취하는 것을 필수로 한다.
이 열간압연된 강스트립을 통상적인 방법에 따라서 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회이상의 냉간압연을 한 후 750℃ 내지 950℃의 온도에서 연속소둔된다.
위에서 언급된 중간소둔은 통상 750℃ 내지 900℃ 정도의 균열온도에서 수행된다. 이러한 소둔방식은 코일소둔 또는 연속소둔 어느 것이라도 좋다.
최종소둔은 연속소둔에 의하여 수행된다, 가열온도가 750℃ 미만이면, 입자성장은 불충분하다. 반면에, 가열온도가 950℃를 초과하면, 페라이트 입자가 과도하게 성장하여 역으로 철손이 증대된다.
본원 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 및 제 5 항의 발명에 있어서 행해지는 연속소둔은 페라이트 결정립을 적정하게 결정립 성장시키는 것을 목적으로 하는 것임에 비해, 본원 제 3 항 및 제 6 항의 발명에서 행해지는 연속소둔은 페라이트 결정립 성장의 적정화뿐만 아니라 탈탄을 목적으로 하는 것이다. 이 탈탄을 겸한 연속소둔에 의해 페라이트 결정립의 적정한 성장을 달성함과 동시에 강판중의 C 함량이 0.005 내지 0.02중량%로부터 0.005중량% 미만으로 저감된다.
주지된 바와 같이 탈탄소둔은 강판중의 C와 소둔분위기중의 가스성분(수증기등도 포함)를 반응시키는 것에 의해 강판중 C를 제거하는 소둔이고, 본 발명에서 행해지는 탈탄소둔을 겸한 연속소둔도, 분위기중의 수증기, H2, CO2등의 1종 이상의 농도를 조정하는 것에 의해 강판의 탈탄을 행한다.
[실시 예 ]1
표 1에 표시한 Nos. 1, 3 및 18의 화학조성을 갖고 있는 연속주조슬랩을 표 2에 표시한 조건하에서 HDR(판두께 : 2.0mm)하였다. 그 다음 열간압연된 스트립을 산세척하고 0.5mm의 판두께까지 냉간압연하였다.
이 스트립에 대해서 최종소둔을 연속소둔라인에서 시행하였다.
얻어진 스트립의 자기특성을 표 2에 표시하였다.
[실시 예 2]
표 1에 표시한 Nos. 8 및 18의 조성을 갖고 있는 연속주조슬램을 표 3에 표시한 조건하에서 재가열하여 2.0mm의 판두께까지 열간압연하였다.
이 열간압연된 스트립을 산세척하여 0.5mm의 판두께까지 냉간압연하고 이 스트립에 대해서 최종소둔을 연속소둔라인에서 시행하였다.
얻어진 스트립의 자기특성을 표 3에 표시하였다.
[실시 예 3]
표 1에서 표시한 조성을 갖고 있는 연속주조슬랩을 가열로에 장입하지 않고 슬랩표면 온도가 1000℃ 이상인 상태에서 열간직송압연하고 820℃와 870℃의 사이의 마무리 2.0mm의 판두께까지 열간압연하고, 680℃ 내지 710℃의 온도에서 권취하고, 산세척한 후 0.5mm의 판두께까지 냉간압연하였다.
표 4-a와 by 4-b에 표시한 온도에서 연속소둔함으로써 얻어진 강스트립의 자기특성을 표 4-a와 표 4-b에 표시하였다.
[표 1]
Figure kpo00001
I : 본발명강 C : 비교강 * : 청구범위를 벗어난것
[표 2]
Figure kpo00002
A : 공정 B : HDR 개시온도
B : 비교예 조건 D : 마무리 온도
E : 권취 온도 F : 최종소둔 온도
I : 본발명 조건 * 청구범위의 조건
G : 자기특성
[표 3]
Figure kpo00003
A : 공정 C : 비교예 조건 D : 마무리 온도
E : 권취 온도 F : 최종소둔 온도 G : 자기특성
H : 슬랩재가열 조건 I : 본발명 조건
J : 재가열 온도 K : 균열 시간 L : 압연개시 온도
* 청구범위의 조건 M : 열간엽연 조건 N : 재가열 개시온도
[표4-a]
Figure kpo00004
F : 최종소둔 온도
G : 자기특성
[표 4-b]
Figure kpo00005
F : 최종소둔 온도
G : 자기특성

Claims (6)

  1. C : 0.02중량% 이하, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도 영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리온도에서 열간압연을 종료한 후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
  2. C : 0.005중량% 미만, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량%, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한 후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
  3. C : 0.005중량% 미만, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.002중량% 이하, P : 0.1중량%, N : 0.0030중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔하여 탈탄에 의해서 C를 0.005중량% 미만으로 감소시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
  4. C : 0.02중량% 이하, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.005중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하이고, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.8내지 2.0인 B를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한 후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
  5. C : 0.0005중량% 미만, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량%미만, A : 0.005중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하이고, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.8내지 2.0인 B를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃ 이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 연속소둔하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
  6. C : 0.005 내지 0.02중량%, Si : 0.1 내지 1.5중량%, Mn : 0.1 내지 1.0중량%, S : 0.005중량% 미만, Al : 0.005중량% 이하, P : 0.1중량% 이하, N : 0.0030중량% 이하, 또한 B(중량%)/N(중량%)가 0.8 내지 2.0인 B를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 연속주조슬랩에 대해, 이 슬랩의 표면온도가 1000℃를 하회하지 않는 상태 또는 이 슬랩을 이 슬랩의 표면온도가 600℃를 하회하지 않는 온도영역으로부터 1000℃ 이상의 온도로 재가열하여 10분 이상동안 균열 처리한 상태에서 열간압연을 개시하는 공정과, 820℃ 이상의 마무리 온도에서 열간압연을 종료한후 650℃이상의 온도에서 권취하는 공정과, 이 열간압연된 강스트립에 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 사이에 끼운 2회 이상의 냉간압연을 실시하는 공정과, 이 냉간압연된 강스트립을 750℃ 내지 950℃의 온도범위에서 탈탄소둔을 겸한 연속소둔하여 탈탄에 의해서 C를 0.005중량% 미만으로 감소시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강스트립의 제조방법.
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