KR950004613B1 - 내연기관 점화장치 - Google Patents

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KR950004613B1
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미쯔루 고이와
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미쯔비시 덴끼 가부시끼가이샤
시끼 모리야
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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Abstract

내용 없음.

Description

내연기관 점화장치
제1도는 본 발명의 일 실시예에 의한 내연기관 점화장치의 구성회로도.
제2도 및 제3도는 종래 내연기관 점화장치의 구성회로도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 내연기관 점화장치의 구성회로도.
제5도는 제4도에 도시하는 다른 실시예에 있어서의 동작파형도.
제6도는 종래 내연기관 점화장치의 구성회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
43 : 직류 바이어스 회로 44 : 출력회로
47 : 직류전원
본 발명은 내연기관 점화장치의 개량에 관한 것이다.
제2도는 예컨대 특공소 60-54508호 공보에 도시된 종래의 내연기관 점화장치를 도시하는 회로구성도면이다.
도면에 있어서 (1)은 기관(도시하지 않음)의 회전에 대응해서 점화신호를 발생하는 점화신호발생기, (2)는 파형정형회로이며, 입력저항(2a), (2c), 비교회로(2b)의 출력으로 동작하는 트랜지스터(2e), 이 트랜지스터(2e)의 콜렉터 및 베이스에 각각 접속된 저항(2d), (2f)으로 구성되며, 저항(2d)은 히스테리시스 특성을 결정하는 것이다. (3)은 비교회로(2)부터의 출력신호에 따라서 파워트랜지스터 회로(4)를 구동한다. (5)는 직류전원(7)으로부터 전원공급되는 점화코일, (6)은 점화코일(5)의 2차측에 발생하는 고전압으로 비화하는 점화플러그, (8)은 직류검출저항이며, 그 일단이 파워트랜지스터 회로(4)의 이미터와 직렬로 접속됨과 더불어 그 타단은 접지되어 있다. (9)는 직류검출 저항(8)의 출력이 소정 레벨에 달했을 때 출력을 발생하는 레벨 검출기이며, 그 입력측이 저항(8)의 일단과 접속되며, 그 타단이 후술의 바이어스 회로(10)의 저항(10e)을 거쳐서 트랜지스터(10d)의 베이스와 접속되어 있다. (10)은 점화신호발생기(10)로부터 점화신호에 이 점화신호의 크기에 대응한 직류 전압을 바이어스(중첩)시키는 바이어스 회로이며, 구성요소(10a) 내지 (10k)로 구성되어 있다. 상술의 점화신호에 의해서 콘덴서(10g)는 저항(10a) 및 다이오드(10b)를 거쳐서 충전되며 점화신호전압에 대응한 크기의 직류전압을 발생하며, 이 직류전압을 점화신호에 중첩시킨다. 또, 점화신호발생기(1)의 점화신호에 의해서 저항(10a) 및 다이오드(10b)를 거쳐서 충전되는 콘덴서(10g)의 직류전압을 저항(10j)을 거쳐서 받으며 이 직류 전압에 대응하는 바이어스 전압을 점화신호에 중첩시키는 트랜지스터(10j)가 저항(10k)을 거쳐서 점화신호발생기(1)에 접속되어 있다. 트랜지스터(10d)는 상기 레벨 검출기(9)의 출력을 저항(10e)를 거쳐서 받으며, 제너다이오드(10c)를 거쳐서 상기 콘덴서(10g)의 충전을 제어한다.
(11)은 점화신호에 초기 바이어스 전압을 중첩시키는 초기 값 바이어스 설정회로이며, 서로 직렬인 저항(11a), (11b)와 정전압 다이오드(11e), (11f)와 이 정전압 다이오드(11e), (11f)의 정전압을 이미터 팔로워 저항(11d)에 부여하는 트랜지스터(11c)로 구성되어 있다. (12)는 기관회전수에 따른 전압출력을 파형정형회로(2)의 다른쪽의 입력단자(-)에 부여하며 이 파형정형회로(2)의 스위칭동작 레벨을 설정하는 스위칭 동작 레벨 설정회로이며, 다음과 같이 구성되어 있다. 즉, (12a)는 분압저항(11a), (11b)의 분압전압을 이미터 팔로워저항(12c)에 부여하는 트랜지스터, (12b)는 분압저항(12d), (12e), (12f)의 분압전압을 상기 이미터 팔로워 저항(12c)에 부여하는 트랜지스터, (12g)는 콘덴서(10g)의 전압을 베이스에 받아서 이미터 팔로워의 분압저항(12h), (12i)에 콘덴서(10g)의 전압에 대응한 전압을 발생시키는 트랜지스터, (12j)는 상기 분압저항(12h), (12i)의 분압전압에 의해서 상기 분압저항(12e), (12f)의 접속점 A의 전압을 결정시키는 트랜지스터이다.
제3도는 예컨대 실공소 61-24694호 공보에 도시된 종래의 내연기관 점화장치를 도시하는 회로 구성도이다. (19)는 비교회로(2b)의 출력으로 동작하는 트랜지스터이며, 스위칭동작 레벨 설정회로(12)로부터 비교회로(2b)에 부여되는 레벨을 전환하는 것이다. 트랜지스터(19)는 이미터가 접지되며, 베이스가 저항(21)을 거쳐서 비교회로(2b)의 출력측과 접속되며, 콜렉터가 트랜지스터(12b)의 베이스와 저항(20)과의 접속점에 접속되어 있다. 저항(20)의 타단은 접속점 C와 접속되어 있다. 도면에 있어서, (1) 내지 (7)은 제2도에 도시된 것과 마찬가지의 것이다. (13)은 기준전압 발생회로이며, 직류전원(7)에 접속된 저항(13a)과 이 저항(13a)에 직렬로 접속된 제너다이오드등의 정전압소자(13d)와 이 정전압소자(13d)의 전압을 임의의 전압으로 설정하기 위한 분할저항(13b) 및 (13c)으로 구성되어 있다. (14)는 다이오드이며, 그 애노드가 후술의 직류 바이어스회로(17)의 저항(17f), (17g)의 접속점과 접속되며, 그 캐소드는 후술의 트랜지스터(15)의 콜렉터와 접속되어있다. 트랜지스터(15)의 베이스는 저항(18)을 거쳐서 저항(2f)의 일단 및 비교회로(2b)의 출력측과 각각 접속되어 있다. (16)은 콜렉터가 접지되어 있는 트랜지스터이며, 그 이미터가 트랜지스터(15)의 이미터와 접속되며, 그 베이스는 상술의 저항(13b), (13c)의 접속점에 접지되어서 기준전압 발생회로(13)의 출력전압을 검출한다. (17)은 직류 바이어스 회로이며, 직류전원(7)에 접속된 저항(17f), (17g)과 저항(17h)과 다이오드(17i)로 되는 직렬접속체와, 저항(17h)과 다이오드(17i)와의 접속점에 각각의 베이스가 접속되며, 각각 이미터 저항(17e), (17b)을 가지는 임피던스 변환용 트랜지스터(17d), (17c)으로 구성되어 있다.
종래의 내연기관 점화장치는 상기와 같이 구성되며, 처음에 제2도의 회로의 동작을 설명한다.
기관 시동전의 기관 정지시에 있어서, 비교회로(2b)의 한쪽의 단자에 부여되는 바이어스 전압은 초기값 바이어스 설정회로(11)에 있어서 다이오드(11e), (11f)에 의한 정전압을 베이스에 받은 트랜지스터(11c)의 이미터 팔로워 저항(11d)에 발생하는 규정의 초기 바이어스 전압으로 결정된다.
다음의 기관의 시동을 위해서 이것이 크랭킹되면, 점화신호발생기에서 출력되는 교류전압의 점화신호는 상기 초기 바이어스 전압에 중첩되며, 이 중첩출력이 비교히로(2b)의 다른쪽의 입력단자전압에 도달했을때 파형정형회로(2)는 출력하며, 구동회로(3)를 거쳐서 파워트랜지스터 회로(4)를 온하며, 점화코일(5)의 공급전원을 개시시킨다. 이 파워트랜지스터(4)의 온과 동기해서 트랜지스터(2e)는 온되고, 저항(2c), (2d)에 의해서 분압되는 전압을 비교회로(2b)의 다른쪽의 입력단자에 가한다. 다음에 상기 충첩 출력이 비교회로(2b)와 다른쪽의 입력단자 전압에 도달했을때 파형정형회로(2)는 출력되며, 부동회로(3)를 거쳐서 파워트랜지스터 회로(4)를 온하고,점화코일(5)의 공급전원을 개시시킨다. 이 파워트랜지스터(4)의 온과 동기해서 트랜지스터(2e)는 온되고, 저항(2c), (2d)에 의해서 분압되는 전압을 비교회로(2b)의 다른쪽의 입력단자에 가한다. 다음에 상기 중첩출력이 비교회로(2b)의 다른쪽의 입력단자 전압 이하로 되면 상기와는 역동작으로 파워트랜지스터(4)는 오프되며 점화코일(5)에 점화전압을 발생해서 기관점화가 행해진다.
한편, 콘덴서(10g)는 점화신호발생기(1)의 점화신호에 의해서 저항(10a), 다이오드(10b)를 거쳐서 충전되며, 회전수에 대응한 크기의 직류전압을 발생한다.
그런데, 기관이 크랭킹으로 기동하면 낮은 크랭킹 회전수로부터 일거에 아이들링회전수로 상승한다. 즉, 기관회전수에 비례하는 콘덴서(10g)의 전압에 의해서 결정되는 트랜지스터(12g)의 이미터 전압을 분압저항(12h), (12i)에 의해서 분압한 접속점 B의 전압이 상승하며, 분압저항(12e), (12f)의 접속점 A의 전압은 트랜지스터(12j)를 겨쳐서 접속점 B의 전압으로 결정된다. 따라서 트랜지스터(12b)의 베이스 접속점 C의 전압은 점속점 A의 점압의 상승에 대응해서 상승되며,상기 아이들링회전수 이하의 회전수에 있어서 소정의 설정전압으로 이르면, 트랜지스터(12a)는 오프되면, 트랜지스터(12b)는 접속점 C의 전압상승에 의해서 회전수에 비례한 스위칭 동작전압을 부여한다.
이상과 같이 기관의 화전수가 상승함과 더불어 비교회로(2b)의 동작레벨(VON)은 상승한다.
다음에 제3도의 내연기관 점화장치의 동작에 대해서 설명한다.
기관의 회전에 대응해서 점화신호발생기(1)로부터 점화신호가 출력되며, 이 점화신호는 저항(2a)를 거쳐서 비교회로(2b)의 입력단자의 일단과 접속된다. 이 비교회로(2b)의 타단으로는 직류 바이어스 회로(17)의 저항(17f), (17g), (17h)의 직렬회로로부터 트랜지스터(17d), 저항(17e)을 거쳐서 동작레벨(VON)이 부여되고 있다. 또, 트랜지스터(17c), 저항(17a)에 의해 점화신호발생기(1)로 직류 바이어스 전압이 부여되어 있다. 기관이 회전에 의해 전기동작레벨(VON) 이상의 점화신호가 발생하면, 파형정형회로(2)는 신호를 출력함과 동시에 베이스 저항(2f)을 거쳐서 트랜지스터(2e)을 온시키고, 저항 (2c), (2d), (17e)으로 결정되는 동작레벨(VOFF)까지 동작레벨(VON)을 변화시킨다. 또한, 기관이 회전하면, 상기 점화신호가 동작레벨(VOFF) 이하로 되는 점에서 비교회로(2b)의 출력이 반전함과 동시에 점화코일(5)에 점화전압을 얻는다. 여기에서, 동작레벨(VON)은 전원전압이 저항(17f), (17g) 및 트랜지스터(17d)를 거쳐서 비교회로(2b)에 공급되어 있으므로 전원전압의 변동에 따라서 변화한다.
한편, 동작레벨(VON)은 정전압소자(13d)가 동작하기 시작하는 전원전압 이하에선 동작레벨(VON)과 마찬가지로 전원전압 변동에 따라서 변화하는데 정전압소자(13d)가 동작하기 시작하는 전원전압 이상에선 상기 트랜지스터(16)의 베이스 전압은 대략 일정전압이 된다.
따라서, 비교회로(2b)의 출력이 동작레벨(VON) 보다 점화신호가 높을때 트랜지스터(15)가 도통하며, 다이오드(14)를 거친 저항(17f), (17g)의 접속점의 전위를 트랜지스터(16)의 이미터 즉, 베이스전위와 마찬가지로 소정이 전원전압 이상에선 대략 일정전압으로 하기 때문에, 저항(17f), (17g)의 접속점에서 트랜지스터(17d)를 거쳐서 비교회로(2b)로 부여되는 전위도 일정하게 되며, 또한, 비교회로(2b)의 출력이 상기 트랜지스터(15)를 도통시키는 동안, 트랜지스터(2e)도 도통하며, 저항(2d)에 의해 소정의 전원전압 이상에서 대략 일정한 동작레벨(VOFF)이 얻어진다. 즉, 소정의 전원전압 이상에선 동작레벨(VON)이 전원전압에 따라서 변화하는데 대해 동작레벨(VOFF)은 전원전압에 관계없이 일정하게 되므로 히스테리시스를 크게 하게 된다.
이 동작레벨(VOFF)의 값은 저항(13b), (13c)을 바꿀 수 있다. 또 낮은 전원전압에 있어선, 상기 동작레벨(VOFF)이 점화신호발생기(1)의 기준레벨에 대해서 부가되도록 저항(13b), (13c), (17f), (17g)의 값을 선정함으로써 시동시의 점화시기를 지연케 할 수 있고, 또한 히스테리시스도 커진다.
제6도는 실공소 61-24694호 공보에 도시된 내연기관 점화장치의 구성회로를 도시하는 도면이다. 도면에서 (41)은 기관(도시화하지 않음)의 회전에 대응해서 점화신호를 발생하는 점화신호발생기(42)는 이 점화신호발생기(41)의 점화신호를 파형정형하는 파형정형회로이며, 입력저항(42a), 비교회로(42b), 비교회로(42b)의 출력에 의해 동작하는 트랜지스터(42e)의 콜렉터 및 베이스에 접속된 저항(42d), (42f)으로 구성되며, 저항(2d)은 히스테리시스 특성을 결정하는 것이다. (43)은 비교회로(42d)에 동작레벨을 공급함과 더불어 점화신호발생기(41)에 직류 바이어스를 공급하는 직류 바이어스 회로이며, 직류전원(47)에 접속된 저항(43f), (43g)과 다이오드(43h)로 되는 직렬 접속체와, 저항(43f)와 저항(43g), 저항(43g)과 다이오드(43h)의 접속점에 각 베이스가 각각 접속되며 에미터 저항(43e), (43b)를 갖는 임피던스 변환용 트랜지스터(43d), (43c) 및 저항(43a)으로 구성되어 있다. (44)는 출력신호와 동기해서 개폐 제어되는 출력 트랜지스터를 포함하고 있다. (f46)은 점화플러그이다.
종래의 내연기관 점화장치는 상기와 같이 구성되며, 기관의 회전에 대응해서 이 점화신호발생기(41)로부터 점화신호가 출력되며, 이 점화신호는 저항(42a)를 거쳐서 비교회로(42b)의 입력단자의 일단에 접속된다. 이 비교회로(42b)의 타단으로는 직류 바이어스 회로(43)의 저항(43f), (43g)의 직렬회로로부터 트랜지스터(43d)를 거쳐서 동작레벨(VON)이 부여되어 있다. 또, 트랜지스터(43c), 저항(43a)에 의해 점화신호발생기(41)로 직류 바이어스 전압이 부여되어 있다. 기관의 회전에 의해 상기 동작레벨(VON) 이상의 점화신호가 발생하면, 파형정형회로(42)는 신호를 출력함과 동시에 베이스저항(42f)를 거쳐서 트랜지스터(43e)를 온시키고, 저항(42c), (42d)에서 결정되는 동작레벨(VOFF)까지 동작레벨을 변화시킨다. 또한, 기관이 회전하면 상기 점화신호가 동작레벨(VOFF) 이하로 되는 점에서 비교회로(42b)의 출력이 반전하면 동시에 점화코일(45)에 소정의 점화전압을 얻는다. 여기에서, 동작레벨(VOFF)은 동작레벨(VON)을 트랜지스터(42e)을 온시킴으로써 저항(42c), (42d)으로 분압하는 것으로 설정하고 있으므로 점화신호발생기(41)의 직류 바이어스 전압이 전원전압변동에 대해 거의 일정하게 됨에도 불구하고, 동작레벨(VOFF)은 전원전압변동에 의해서 변화한다. 또, 각 소자가 정합하여 상대오차가 작을 경우에도 저항(43b), (43e),(43f), (43g)의 절대값 불균일, 트랜지스터(3c), (3d)의 베이스 에미터간 전압의 불균일 다이오드(43h)의 순방향 전압의 불균일, 트랜지스터(42e)의 콜렉터 에미터간 포화전압의 불균일 등으로 점화신호발생기(41)의 직류 바이어스 전압에 대해 동작레벨(VOFF)에 불균일이 생긴다.
상기와 같은 종래의 내연기관 점화장치에선, 시동성을 확보하면서 아이들링회전수 이상의 기관회전수에서의 신호발생기로 유도하는 잡음에 대한 내성을 높힐 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위해 이뤄진 것이며, 시동성을 확보하면서 아이들링 회전수 이상의 기관 회전수에서의 유도 잡음에 대한 내성을 높힌 내연기관 점화장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기와 같은 종래의 내연기관 점화장치에선 동작레벨(VOFF)이 전원전압 변동이다. 각 소자의 불균일에 의해서 신호파형의 바이어스 레벨과 이탈되므로 신호발생기로부터의 점화신호 파형의 직류 바이어스점에서 안정해서 점화타이밍을 얻는다는 것은 곤란하며, 기관의 정지시에는 점화코일의 통전을 행하지 않는 기능(이후 차단기 기능으로 기술한다)을 늘 얻는 것이 곤란하다.
본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위해서 이뤄진 것이며, 점화신호파형의 직류 바이어스점에서 안정해서 점화타이밍을 얻고 차단기능을 가지는 내연기관 점화장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관계하는 내연기관 점화장치는 기관의 회전에 동기하며 또한 그 회전수에 따른 크기의 점화신호를 발생하는 점화신호발생기와, 점화커일의 1차 공급 전원회로의 폐로율을 제어하게끔 기관의 회전수에 대응한 바이어스 전압을 발생하고 상기 점화신호에 중첩시키는 바이어스 회로와 기관의 시동시와 아이들링시에서 크기가 변화하는 것같은 기관의 회전수에 의해서 변화제어되는 설정전압을 발생하는 스위칭 동작레벨 설정회로와, 상기 점화신호와 바이어스 전압의 중첩 출력을 받은 제1의 입력단자와 상기 설정 전압을 받는 제2의 입력단자를 가지며 상가 각 입력단자의 입력전압의 대소관계에 대응해서 레벨을 반전하는 출력을 발생하는 비교회로와, 이 비교회로의 출력에 의해서 점화코일의 공급전원을 단속하는 출력 트랜지스터와, 상기 제2입력단자의 입력전압을 상기 출력 트랜지스터의 폐로에 동기해서 설정 변경하고, 상기 비교회로의 스위칭 동작에 히스테리시스를 부여하는 히스테리시스 설정회로와, 전원전압이 소정값을 넘었을때 상기 바이어스 회로에 있어서의 복수의 저항의 전위를 고정하는 기준 전압발생회로와 상기 비교회로의 동작에 따라서 상기 복수의 저항과 상기 기준전압 발생회로와의 도통을 제어하는 트랜지스터 회로를 구비한 것이다.
본 발명에 관계하는 내연기관 점화장치는 기관의 회전에 동기하며 또한 그 회전수에 따른 크기의 점화신호를 발생하는 점화신호발생기와 직류 바이어스 전압을 상기 점화신호에 중첩시키는 직류 바이어스 회로와 스레솔드 레벨전압을 설정하는 스레솔드 설정회로와 상기 점화신호와 상기 직류 바이어스 전압의 중첩신호를 받는 제1입력단자와 상기 스레솔드 레벨전압을 받는 제2입력단자를 가지며, 상기 각 입력단자의 입력전압의 대소관계에 대응해서 레벨 반전하는 출력을 발생하는 비교회로와 상기 비교회로 출력에 따라서 점화코일의 1차 전류의 통전을 행하는 스위칭 회로를 구비한 것이다.
본 발명에 있어선 바이어스 전압과 설정전압에 의해서 결정되는 비교회로의 각 입력단자 전압간의 전위차가 기관 시동시에는 이때에 있어서의 점화신호 전압보다 작은 제1전위차로 되며, 기관 아이들링시에는 이때의 상기 점화신호 전압보다는 작으며 상기 제1전위차보다 충분히 큰 제2의 전위차로 되게끔 상기 설정전압의 크기를 회전수에 의해서 기관의 시동시와 아이들링시로 변경제어하고, 전원전압이 소정값 이상이 되면 트랜지스터 회로에 의해서 상기 비교회로의 오프동작 레벨을 클램프한다.
본 발명에 있어선 점화코일의 1차 전류의 전압을 오프시키는 비교회로의 임계(threshold) 레벨 전압설정을 직류 바이어스 회로와 동일로 구성된 회로에 의해서 행하도록 한다.
제1도는 본 발명의 일 실시예에 의한 내연기관 점화장치와 구성회로를 도시하는 도면이다. 도면에 있어서 (1) 내지 (21)은 종래의 것과 마찬가지이다. (19)는 이미터가 접지되어 있는 트랜지스터이며 그 베이스가 저항(21)을 거쳐서 비교회로(2b)의 출력측과, 저항(2f)를 거쳐서 트랜지스터(2e)의 베이스와 저항(18)을 거쳐서 트랜지스터(15)의 베이스와 각각 접속되며, 그 콜렉터가 트랜지스터(12b)의 베이스와 접속되어 있다. (20)은 접속점 C와 트랜지스터(12b)의 베이스간에 연속되어 있다.
또, 기관의 동작도 종래의 것과 마찬가지이다. 이 발명의 특징인 비교회로(2B)의 동작레벨(VON), (VOFF)에 대해서 말한다. 동작레벨(VON)은 제2도에 도시한 바이어스 회로(10) 및 스위칭 동작레벨회로(12)가 유효하게 동작하며, 상술과 같이 기관의 회전수가 상승함과 더불어 동작레벨도 상승한다.
또, 기관 회전수가 아이들링 회전수 이상으로 되면 전원전압의 상승에 따라서 저항(13b) 및 (13c)에 의해서 얻어지는 검출 트랜지스터(16)의 베이스 전압은 상승하지만, 전압소자(13d)가 동작하기 시작하는 베이스 전압은 대체로 거의 일정 전압이 된다.
한편, 비교회로(2b)의 출력은 동작레벨(VON)보다 점화신호가 높을때 트랜지스터(15)를 도통하며, 트랜지스터(12a), (12b)의 공통 이미터를 거쳐서 비교회로(2b)로 부여되는 전위도 일정하게 되며, 또한, 비교회로(2b)의 출력이 상기 트랜지스터(15)를 도통시키는 동안, 트랜지스터(2e)도 도통하며, 저항(2d)로 소정의 전원전압이상에서 대략 일정하게 되는 동작레벨(VOFF)이 얻어진다. 즉, 소정의 기관 회전수 이상에선 비교회로(26)로 되는 레벨이 변화함이 없고, 히스테리시스를 크게할 수 있게 되며 유도 잡음에 대한 내성을 높일 수 있다.
제4도는 본 발명의 일 실시예에 의한 내연기관 점화장치의 구성회로를 도시하는 도면이다. 도면에 있어서, (41) 내지 (47)은 종래의 것과 마찬가지다. (48), (49), (410), (411)은 트랜지스터이며, 그 각 베이스가 공통으로 접속되며, 그 각 에미터가 공통으로 직류전원(47)에 접속되어 있다. 트랜지스터(48)의 콜렉터는 다이오드(43h)를 거쳐서 접지되어 있다. 트랜지스터(48)의 콜렉터는 저항(419) 및 다이오드(418)를 거쳐서 접지되어 있다. (12)는 트랜지스터이며, 그 베이스가 트랜지스터(48), (49), (410), (411)의 베이스와 접속됨과 더불어 그 콜렉터 및 저항(413)을 거쳐서 접지되며, 그 이미터는 직류전원(47)가 접속되어 있다. (414)는 트랜지스터이며 그 베이스는 다이오드(417)의 애노드가 트랜지스터(415)의 이미터와 공통으로 저항(416)을 거쳐서 접지되어 있다. 트랜지스터(415)의 베이스는 트랜지스터(42e)의 콜렉터와 접속되어 있다. 또한 트랜지스터(48), (49), (410), (411), (412)에 의해서 전류미러회로를 구성하고 있다.
제5도는 상기와 같이 구성된 내연기관 점화장치에 있어서의 점화신호발생기(41)로부터의 점화신호와 비교회로(42b)의 동작레벨의 관계를 도시하는 도면이다.
여기에서 직류 바이어스 전압과 동작레벨(VON), (VOFF)에 대해서 설명한다.
전류미러회로를 구성하는 트랜지스터(48), (49), (410), (411), (412)의 각 콜렉터 전류(I1)는 전원전압에 따라 트랜지스터(412) 및 저항(413)에 의해서 설정된다. 직류 바이어스 전압 VBIAS은 다이오드(43h)의 순방향 전압 VF(43h)에서 트랜지스터(43c)를 거쳐서 부여되며
[수학식 1]
VBIAS=VF(43h)-VBE(43c)
로 된다. 여기에서 VBE(43c)는 트랜지스터(3c)의 베이스 이미터간 순방향 전압이다. 동작레벨(VON)은 다이오드(18)의 순방향전압 VF(418)과 저항(419)에 발행하는 전압으로부터 트랜지스터(415)를 거쳐서 주어지며,
[수학식 2]
VON=VF(418)+I1+R(419)-VBE(415)
로 된다. 여기에서 R(419)는 저항(419)의 저항값, VBE(415)는 트랜지스터(15)의 베이스 이미터간 순방향 전압이다. 기관이 회전하고, 점화신호발생기(41)로부터의 검화신호 파형이 동작레벨(VON)과 직류 바이어스 전압 V BIAS의 차분 전압 VON을 넘으면 비교회로(21b)가 출력을 반전하며, 점화코일(5)의 1차 전류 통전을 개시한다. 이때 △VON는 다음 식으로 된다.
[수학식 3]
△VON=VON-VBIAS
=(VF(418)+VF(43h))+I1×R(419)
-(VBE(415)-VBE(43c))
여기에서, 다이오드(43h), (418)을 흐르는 전류 I1이며, 저항(43b)과 저항(416)을 동일값으로 하면 트랜지스터(43c)와 트랜지스터(415)와의 이미터 전류는 거의 동등해지므로 다이오드(43h), (418), 저항(43b), (416), 트랜지스터(43c), (415)가 각각 정합되고 있으면
[수학식 4]
VF(418)=VF(43h), VBE(415)=VBE(43c)
로 되며, 따라서△VON
[수학식 5]
△V=I1×R(19)
로 된다. 점화신호 파형이 VON을 넘어서 비교회로(42b)가 출력을 반전하면 트랜지스터(42e)는 온하며, 트랜지스터(415)는 오프한다. 이것에 의해서 다이오드(417)의 순방향 전압 VF(417)으로부터 트랜지스터(414)를 거쳐서 비교회로(42b)에 동작레벨(VOFF)로서 부여되며,
[수학식 6]
VOFF=VF(417)-VBE(414)
로 된다. 여기에서, VBE(414)는 트랜지스터(414)의 베이스 이미터간 순방향 전압이다. 점화신호파형이 동작레벨(VOFF)과 직류 바이어스 전압 VBIAS과의 차분 전압 △VOFF보다 작아지면, 비교회로(42b)가 출력을 재차 반전하며, 비교회로(42b)에 동작레벨(VON)을 부여함과 동시에 점화코일(45)의 1차 전류를 차단하고, 점화코일(45)은 소정 점화전압을 발생한다. 이때 △VOFF는 다음 식으로 된다.
[수학식 7]
△VOFF=VOFF-VBIAS
=(VF(417)+VF(43h))-(VBE(414)-VBE(43c))
여기에서, 다이오드(417)에 흐르는 전류는 다이오드(43h)에 흐르는 상기의 2배로 되며, 저항(43b)와 저항(416)을 동일값으로 하면 트랜지스터(43c)와 트랜지스터(414)와의 이미터 전류은 거의 동등해지므로 다이오드(43h), (417), 저항(43b), (416), 트랜지스터(43c), (414)가 각각 정합되고 있으면,
[수학식 8]
VF(417)=VF(43h)=2×Kt/q 1n 2×I1/I1
VBE(414)=VBE(43c)
로 되며, 따라서△VOFF는,
[수학식 9]
△VOFF=2×kT/q 1n235[Mv]
로 된다. 여기서 k는, 볼쯔만 상수, T는 절대온도, q는 전자의 전하이다. 따라서, 전원전압변동이나 소자의 불균일에 관계없이 점화코일(415)이 1차 정류를 차단하는 타이밍을 결정하는 동작레벨을 점화신호직류 바이어스 전압으로 약간, 정의 전압으로 설정할 수 있으므로 안정된 점화 타이밍과 차단 기능을 얻을 수 있다.
본 발명은 이상 설명한 대로 기관의 회전에 동기하는 또한 그 회전수에 따른 크기의 점화신호를 발생하는 저화신호발생기와, 점화코일의 1차 공급전원 회로의 폐로율을 제거하게끔 기관의 회전수에 대응한 바이어스 전압을 발생하며, 상기 점화신호에 중첩시키는 바이어스 회로와, 기관의 시동시와 아이들링시로 크기가 변화하는 기관의 회전수에 의해서 변화제어되는 설정전압을 발행하는 스위칭 동작레벨 설정회로와, 상기 점화신호와 바이어스 전압의 중첩출력을 받는 제1의 입력단자와 상기 설정전압을 받는 제2의 입력단자를 가지며, 상기 각 입력단자의 입력전압의 대소관계에 대응해서 레벨 반전하는 출력을 발생하는 비교회로와, 이 비교회로의 출력에 의해서 점화코일의 급전을 단속하는 출력 트랜지스터와, 상기 제2입력단자의 입력전압을 상기 출력 트랜지스터의 폐로에 동기해서 설정하고 상기 비교회로의 스위칭 동작에 히스테리시스를 부여하는 히스테리시스 설정회로와 기관회전수가 소정값을 넘었을때 상기 바이어스 회로에 있어서의 복수의 저항의 전위를 고정하는 기준전압 발생회로와 상기 비교회로의 동작에 따라서 상기 복수의 저항과 상기 기준전압 발생회로와의 도통을 제어하는 트랜지스터 회로를 구비하며, 상기 바이어스 전압과 상기 설정전압에 의해서 결정되는 상기 비교회로의 각 입력단자 전압간의 전위차가 기관시동시엔 이때에 있어서의 상기 점화신호전압보다 작은 제1전위차로 되며, 기관 아이들링시엔 이때의 상기 점화신호전압 보다는 각고 상기 제1전위차 보다 충분히 큰 제2전위차가 되도록 상기 설정 전압의 크기를 회전수에 의해서 기관의 시동시와 아이들링시로 변경제어하고, 상기 기관 회전수가 아이들링 회전수 이상이 되면 상기 트랜지스터의 회로에 의해 상기 비교회로의 오프동작 레벨을 클램프하도록 했으므로 시동성을 확보하고 아이들링 회전수 이상의 기관 회전수에서의 유도잡음에 대한 내성을 높이는데 효과가 있다.
본 발명은 이상 설명한대로 기관의 회전에 동기하며 또한 그 회전수에 따른 크기의 점화신호를 발생하는 점화신호발생기와, 직류 바이어스 전압을 상기 점화신호에 중첩시키는 직류 바이어스 회로와, 임계 레벨 전압을 설정하는 임계 설정회로가, 상기 점화신호와 상기 직류 바이어스 전압의 중첩출력을 받는 제1입력단자와 상기 스레솔드 레벨전압을 받는 제2입력단자를 가지며, 상기 각 입력단자의 입력전압의 대소관계에 대응해서 레벨 반전하는 출력을 발생하는 비교회로와 상기 비교회로 출력에 따라서 점화코일의 1차 전류의 도전을 행하는 스위칭 회로를 구비하고 점화코일의 1차 전류 통전시의 임계 레벨 전압 검정을 바이어스 회로와 동일로 구성된 회로에 의해서 행하도록 했으므로 전원전압 변동소자의 불균일에 관계없이 회전수가 변동해도 안정된 점화 타이밍을 얻는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 기관의 회전에 동기하고 또한 그 회전수에 따른 크기의 점화신호를 발생하는 점화신호발생기와, 점화코일의 1차 공급 전원회로의 폐로율(closing rate)을 제어하도록 기관의 회전수에 대응한 바이어스 전압을 발생하며 상기 점화신호에 중첩시키는 바이어스 회로와, 기관의 시동시와 아이들링시로 크기가 변화하는 것같은 기관의 회전수에 의해서 변화제어되는 설정전압을 발생하는 스위칭 동작레벨 설정회로와, 상기 점화신호와 바이어스 전압의 중첩출력을 받은 제1의 입력단자와 상기 설정전압을 받는 제2의 입력단자를 가지며 상기 각 입력단자의 입력전압의 대소관계에 대응해서 레벨을 반전하는 출력을 발생하는 비교회로와 ; 이 비교회로의 출력에 의해서 점화코일의 공급전원을 단속하는 출력 트랜지스터와, 상기 제2입력단자의 입력전압을 상기 출력 트랜지스터의 폐로에 동기해서 설정 변경하고, 상기 비교회로의 스위칭 동작에 히스테리시스를 부여하는 히스테리시스 설정회로와 ; 전원전압이 소정값을 넘었을때 상기 바이어스 회로에 있어서의 복수의 저항의 전위를 고정하는 기준 전압발생회로와 ; 상기 비교회로의 동작에 따라서 상기 복수의 저항과 상기 기준전압 발생회로와의 도통을 제어하는 트랜지스터 회로를 구비하며, 상기 바이어스 전압과 상기 설정전압에 의해서 결정되는 상기 비교회로의 각 입력단자 전압간의 전위차가 기관 시동시에는 이때에 있어서의 상기 점화신호 전압보다 작은 제1전위차로 되며, 기관 아이들링시에는 이때의 상기 점화신호전압보다는 작고 상기 제1전위차보다 충분히 큰 제2의 전위차로 되게 상기 설정전압의 크기를 회전수에 의해서 기관의 시동시와 아이들링시로 변경 제어토록 한 것을 특징으로 하는 내연기관 점화장치.
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