KR950004545A - 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 반구형(Himi)폴리를 이용하여 이층 실린더형의 전극을 형성시켜 캐패시터용량을 증대되도록 함으로서 고집적화에 적당하도록 한 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여 반도체 기판에 활성영역과 격리영역을 형성하고, 상기 활성영역에 트렌지스터등의 회로소자를 형성한 다음전면에 제 1 산화막(1)과 질화막(12)을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 1 산화막(11)과 질화막(12)의 소정부분을 에치하여 콘택홀을 형성하고, 전면에 제 1 폴리실리콘(13) 및 제 2 산화막(14), 반구형 다결성 폴리실리콘(15), 포토레지스트(16)를 차례로 증착하고, 상기 포토레지스트(16)를 사진식각공정으로 캐패시터 전극이 형성될 영역을 정의하는 단계와,상기 포토레지스트(16)를 마스크로서 반구형 폴리실리콘(15)과 제 2 산화막(14) 및 제 1 폴리실리콘(13)을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제 2 산화막(14)을 습식식각하여 소정 폭으로 줄인 후 상기 포토레지스트(16)를 제거하고, 전면에제 2 폴리실리콘(17)을 소정 두께로 증착하는 단계와, 상기 제 2 폴리실리콘(17)을 비등방성 식각하여 상기 제 2 산화막(14)과 제 1 폴리실리콘(13) 측벽에 폴리 사이드 월(17') 및 상기 사이드 월(17')에 요홈부(18)를 형성하고, 상기 제 2산화막(14)을 식각하여 2중 실린더 구조로 형성하는 단계로 이루어진 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조공정도.
Claims (1)
- 반도체 기판에 활성영역과 격리영역을 형성하고, 상기 활성영역에 트랜지스터등의 회로소자를 형성한 다음전면에 제 1 산화막(11)과 질화막(12)을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 1 산화막(11)과 질화막(12)의 소정부분을 에치하여 콘택홀을 형성하고, 전면에 제 1 폴리실리콘(13) 및 제 2 산화막(14), 반구형 다결정 폴리실리콘(15), 포토레지스트(16)를 차례로 증착하고, 상기 포토레지스트(16)를 사진식각공성으로 캐패시터 전극이 형성될 영역을 정의하는 단계와,상기 포토레지스트(16)를 마스크로서 반구형 폴리실리콘(15)과 제 2 산화막(14) 및 제 1 폴리실리콘(13)을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제 2 산화막(14)을 습식식각하여 소정 폭으로 줄인 후 상기 포토레지스트(16)를 제거하고, 전면에제 2 폴리실리콘(17)을 소정 두께로 증착하는 단계와, 상기 제 2 폴리실리콘(17)을 비등방성 식각하여 상기 제 2 산화막(14)과 제 1 폴리실리콘(13) 측벽에 폴리 사이드 월(17') 및 상기 사이드 월(17')에 요홈부(18)를 형성하고, 상기 제 2산화막(14)을 식각하여 2중 실린더 구조로 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930013649A KR100269596B1 (ko) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR950004545A true KR950004545A (ko) | 1995-02-18 |
| KR100269596B1 KR100269596B1 (ko) | 2000-10-16 |
Family
ID=19359584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930013649A KR100269596B1 (ko) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100269596B1 (ko) |
-
1993
- 1993-07-20 KR KR1019930013649A patent/KR100269596B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100269596B1 (ko) | 2000-10-16 |
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