KR940022877A - 증폭형 촬상소자 - Google Patents

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KR940022877A
KR940022877A KR1019940004365A KR19940004365A KR940022877A KR 940022877 A KR940022877 A KR 940022877A KR 1019940004365 A KR1019940004365 A KR 1019940004365A KR 19940004365 A KR19940004365 A KR 19940004365A KR 940022877 A KR940022877 A KR 940022877A
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KR
South Korea
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buffer layer
image pickup
pickup device
amplifying
gate electrode
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Application number
KR1019940004365A
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Inventor
가즈야 요네모도
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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Abstract

증폭형 촬상소자에 있어서 링형 게이트의 채널길이를 어느 부분에서도 일정하게 하고, 또한 게이트콘택트부에서의 포텐셜시프트를 방지하여 화소트랜지스터의 동작열화를 회피한다.
증폭형 화소트랜지스터(29)의 박막다결정실리콘으로 이루어지는 링형 게이트전극(26)과 제2층 A1으로 이루어지는 수직선택선(32)의 층 사이에 다경정실리콘으로 이루어지는 V자형의 콘택트버퍼층(33)을 배설하고, 이 콘택트버퍼층(33)과 링형 게이트전극(26)을, 또 콘택트버퍼층(33)과 수직선택선(32)을 각 콘택트위치가 어긋나도록 각각 접속하여 구성된다.

Description

증폭형 촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 증폭형 촬상소자의 일예를 나타낸 구성도.

Claims (4)

  1. 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 수직선택선의 층 사이에 이 게이트 전극 및 수직선택선을 접속하는 콘택트버퍼층이 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 수직선택선과 콘택터버퍼층과 접속부와, 콘택트버퍼층과 게이트전극과의 접속부가 상이한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 콘택트버퍼층이 수평방향으로 인접한 2개의 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 접속할 수 있는 패턴형상을 가지는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 콘택트버퍼층이 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 반응하지 않는 도전재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004365A 1993-03-11 1994-03-07 증폭형 촬상소자 KR940022877A (ko)

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