KR940022877A - 증폭형 촬상소자 - Google Patents
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Abstract
증폭형 촬상소자에 있어서 링형 게이트의 채널길이를 어느 부분에서도 일정하게 하고, 또한 게이트콘택트부에서의 포텐셜시프트를 방지하여 화소트랜지스터의 동작열화를 회피한다.
증폭형 화소트랜지스터(29)의 박막다결정실리콘으로 이루어지는 링형 게이트전극(26)과 제2층 A1으로 이루어지는 수직선택선(32)의 층 사이에 다경정실리콘으로 이루어지는 V자형의 콘택트버퍼층(33)을 배설하고, 이 콘택트버퍼층(33)과 링형 게이트전극(26)을, 또 콘택트버퍼층(33)과 수직선택선(32)을 각 콘택트위치가 어긋나도록 각각 접속하여 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 증폭형 촬상소자의 일예를 나타낸 구성도.
Claims (4)
- 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 수직선택선의 층 사이에 이 게이트 전극 및 수직선택선을 접속하는 콘택트버퍼층이 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
- 제1항에 있어서, 수직선택선과 콘택터버퍼층과 접속부와, 콘택트버퍼층과 게이트전극과의 접속부가 상이한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 콘택트버퍼층이 수평방향으로 인접한 2개의 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 접속할 수 있는 패턴형상을 가지는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 콘택트버퍼층이 증폭형 화소트랜지스터의 게이트전극과 반응하지 않는 도전재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 촬상소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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