KR940020630A - Laser diode manufacturing method - Google Patents

Abstract

본 발명은 화합물 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한것으로, 메사패턴높이, 활성층의 폭 및 활성층부근의 형상의 조절이 가능하도록 하기위해 상기 역메사패턴을 형성하는 웰에치 공정을 4단계 웰에치로 실시하되 첫 번째 에치는 P-InP에피텍셜층(5)이 선택적으로 에치되는 에찬트를 사용하고, 두번째 에치는 언도프된 InGaAsP활성층(4)과 n-InGaAsP웨이브 가이드층(3)의 선택적인 에찬트를 사용하고, 세번째는 에치는 n-InP층(2,5)의 선택적인 에찬트를 사용하고, 네 번째 에치는 InGaAsP층(3,4)과 InP층(2,5)에 대한 에찬트를 사용하여 역메사 패턴을 형성하는 웰에치 공정을 순차적으로 실시하는 기술이다.The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor laser diode, wherein a well etch process for forming the inverted mesa pattern in order to be able to control the height of the mesa pattern, the width of the active layer and the shape of the vicinity of the active layer is performed by four steps of well etch. The first etch uses an etchant where the P-InP epitaxial layer (5) is selectively etched, and the second etch uses an optional etch of the undoped InGaAsP active layer (4) and the n-InGaAsP waveguide layer (3). Use a chant, the third uses an optional chant for the n-InP layer (2, 5), and the fourth uses an etchant for the InGaAsP layer (3,4) and the InP layer (2,5). It is a technique for sequentially performing a well etch process for forming an inverted mesa pattern using.

Description

레이저 다이오드 제조방법Laser diode manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 의해 레이저 다이오드를 제조하기 위해 4단계 웰 에치를 실시한 것을 도시한 단면도.2A through 2E are cross-sectional views illustrating four stage well etch for fabricating a laser diode in accordance with the present invention.

Claims (5)

n⁺-InP기판(1) 상부에 n-InP에피텍셜층(2), n-InGaAsP웨이브 가이드층(3), 언도프된 InGaAsP활성층(4), P-InP에피텍셜층(5)을 순차적으로 적층하고, 그 상부에 마스크층(20)을 형성한 후 n⁺-InP기판 상부에 있는 층들의 소정부분을 웰에치 공정으로 에칭하고 역메사패턴(30)을 형성하고, 역메사패턴 측벽에 P-InP에피텍셜층(6), n-InP에피텍셜층(7)을 순차적으로 성장시키고, 전체구조 상부에 P-InP에피텍셜층(8), n-InGaAsP에피텍셜층(9)을 성장시켜 제조하는 플래너버리드 헤태로 구조(Planner Buried Heterodyne Strycture)의 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 역메사패턴을 형성하는 웰에치 공정을 4단계 웰에치로 실시하되 첫번째 에치는 P-InP에피텍셜층(5)이 선택적으로 에치되는 에찬트를 사용하고, 두번째 에치는 언도프된 InGaAsP활성층(4)과 n-InGaAsP웨이브 가이드층(3)의 선택적인 에찬트를 사용하고, 세번째 에치는 n-InP층(2)과 P-InP층(5)의 선택적인 에찬트를 사용하고, 네번째 에치는 InGaAsP층(3,4)과 InP층(2,5)에 대한 비선택적인 에찬트를 사용하여 예정된 역메사패턴(30)을 형성하는 웰에치 공정을 순차적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.n-InP epitaxial layer (2), n-InGaAsP wave guide layer (3), undoped InGaAsP active layer (4), and P-InP epitaxial layer (5) on top of n ⁺ -InP substrate (1) And a mask layer 20 formed thereon, and then a predetermined portion of the layers on the n ⁺ -InP substrate is etched by a well etch process to form a reverse mesa pattern 30, and a reverse mesa pattern sidewall The P-InP epitaxial layer 6 and the n-InP epitaxial layer 7 are sequentially grown, and the P-InP epitaxial layer 8 and the n-InGaAsP epitaxial layer 9 are formed on the entire structure. In the method of manufacturing a planar buried Heterodyne Strycture laser diode, the well-etching process for forming the reverse mesa pattern is performed by four stage well etch, but the first etch is P-InP epi. An etchant is used in which the textural layer 5 is selectively etched, and the second etch is selective of the undoped InGaAsP active layer 4 and the n-InGaAsP waveguide layer 3. The third etchant uses an optional etchant of n-InP layer (2) and P-InP layer (5), and the fourth etchant uses InGaAsP layer (3,4) and InP layer (2, 5) A method of manufacturing a laser diode, comprising sequentially performing a well etch process for forming a predetermined reverse mesa pattern (30) using a non-selective etchant for 5). 제1항에 있어서, 상기 첫번째 에치공정의 에찬트는 HCI : H₃PO₄에찬트인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etchant of the first etch process is HCI: H ₃ PO ₄ etchant. 제1항에 있어서, 상기 두번째 에치공정의 에찬트는 H₂SO₄: H₂O₂: H₂O 에찬트인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etchant of the second etch process is H ₂ SO ₄ : H ₂ O ₂ : H ₂ O etchant. 제1항에 있어서, 상기 세번째 에치공정의 에찬트는 HCI : H₃PO₄에찬트인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etchant of the third etch process is HCI: H ₃ PO ₄ etchant. 제1항에 있어서, 상기 네번째 에치공정의 에찬트는 HCI : H₂O₂: CH₃COOH 또는 브롬-메탄올(Br-Methanol)인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etchant of the fourth etch process is HCI: H ₂ O ₂ : CH ₃ COOH or bromine-methanol. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.