KR960027108A - Laser diode manufacturing method - Google Patents

Abstract

본 발명은 광통신용 레이저 다이오드로 많이 사용되는 PBH-LD(PLANAR BURIED HETEROSTRUCTURE LASER DIODE)의 제조 공정에 관한 것으로, 메사형성을 위한 에칭마스크를 형성하고, 메사에칭을 실시한 후, 블로킹층 성장시 먼저 P형 블로킹층만 성장하고 다음 에칭마스크를 일부 식각하여 활성층폭과 에칭마스크폭의 차이를 최소로 줄이고 다시 N형 블로킹층을 성장함으로서 활성층폭과 성장되지 않은 N형 블로킹층폭의 차이를 최소화하는 차이를 최소화하는 기술이다.The present invention relates to a manufacturing process of PBH-LD (PLANAR BURIED HETEROSTRUCTURE LASER DIODE), which is widely used as a laser diode for optical communication. Only the type blocking layer is grown, and the next etching mask is partially etched to minimize the difference between the active layer width and the etching mask width and the N type blocking layer is grown again to minimize the difference between the active layer width and the non-grown N type blocking layer width. It is a technique to minimize.

Description

레이저 다이오드 제조방법Laser diode manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제4A도 내지 제4G도는 본 발명에 의해 제조되는 PBH-LD 제조 단계를 도시한 단면도.4A to 4G are cross-sectional views illustrating PBH-LD manufacturing steps produced by the present invention.

Claims (9)

레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 기판 상에 버퍼층, 활성층, 가이드층을 적층하는 단계와, 상기 가이드층 상부에 스트라입(STRIPE) 모양의 마스크를 형성하는 단계와, 습식식각으로 가이드층에서 기판의 일정두께 까지 식각하여 메사구조를 형성하는 단계와, 상기 메사 구조의 측면에 P형 블로킹층을 성장하는 단계와, 상기 마스크의 일정두께를 식각하여 얇은 에칭마스크를 형성하는 단계와. N형 블로킹층을 성장하는 단계와, 얇은 에칭마스크를 제거하고, 그 상부에 P형 클래드층과 P형 콘택층을 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.A method of manufacturing a laser diode, the method comprising: laminating a buffer layer, an active layer, and a guide layer on a substrate, forming a stripe-shaped mask on the guide layer, and wetting the substrate in a guide layer. Forming a mesa structure by etching to a thickness, growing a P-type blocking layer on the side of the mesa structure, and etching a predetermined thickness of the mask to form a thin etching mask. Growing an N-type blocking layer, removing a thin etching mask, and growing a P-type cladding layer and a P-type contact layer thereon. 제1항에 있어서, 상기 에칭 마스크의 폭이 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etching mask has a width of 3 µm or less. 제1항에 있어서, 상기 에칭 마스크의 두께가 0.2㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 1, wherein the etching mask has a thickness of 0.2 µm or more. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 일정두께를 식각하여 얇은 에칭마스크를 형성한다음, 얇은 P형 블로킹층을 성장시킨다음, N형 블로킹층을 성장하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, further comprising etching a predetermined thickness of the mask to form a thin etching mask, growing a thin P-type blocking layer, and growing an N-type blocking layer. . 제1항에 있어서, 상기 기판은 n⁺-InP인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the substrate is n ⁺ -InP. 제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 n⁺-InP 버퍼층인 것을 특징으로 하는 헤이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the buffer layer is a n ⁺ -InP buffer layer. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 u-1.55㎛ 단일파장의 InGaAsP 활성층인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the active layer is a u-1.55 μm single wavelength InGaAsP active layer. 제1항에 있어서, 상기 가이드층은 P-InP 가이드층인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the guide layer is a P-InP guide layer. 제1항에 있어서, 상기 레이저 다이오드의 발진 파장이 0.98㎛, 1.3㎛, 1.55㎛, 또는 1,48㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the oscillation wavelength of the laser diode is 0.98 μm, 1.3 μm, 1.55 μm, or 1,48 μm. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.