KR940020495A - 플라즈마 처리장치(plasma processing apparatus) - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He 등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드 부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공을 구비한 2종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기 때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.

Description

플라즈마 처리장치(PLASMA PROCESSING APPARATUS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 종단면도,
제2도는 제1도의 일부 확대 단면도.

Claims (16)

  1. 진공챔버를 구성하는 수단과, 진공챔버내에 상하에 대향하여 설치된 상부전극 및 하부전극과, 진공챔버에 처리가스를 공급하고, 배출하는 수단과, 하부전극상에 설치된 피처리체 유지용척과, 상부 및 하부전극과의 사이에 고주파 전력을 공급하여 처리가스를 플라즈마화하고, 상기 척에 유지되는 피처리체를 플라즈마 처리하는 고주파 전력공급수단과, 하부전극에 절연수단을 통하여 설치되고, 상기 하부전극과는 다른 전위를 가지는 도전부재와, 상기 도전부재 및 절연수단을 통하여 하부전극상의 상기 척에 유지되고 있는 피처리체의 배면에 열전달용 백사이드 가스를 공급하는 가스 도입구를 가지는 백사이드 가스 공급수단과, 상기 가스 도입관내에 삽입되고, 다수의 소구경의 유통공을 가지는 전기 절연재재 유로부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유로부재가 가스 도입관의 길이방향으로 복수에 엘레멘트로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유로부재가 원주형상을 이루고 그 길이방향에 상기 소구경 유통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유로부재가 가스 도입관의 길이방향으로 복수의 엘레멘트로 분할되고 근접하는 엘레멘트의 소구경 유통공이 그 길이방향에 대하여 위치가 겹치지 않도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 유로부재가 가스 도입관의 길이방향의 복수의 엘레멘트로 분할되고 각 엘레멘트의 근접 엘레멘트에 접하는 면에 각 엘레멘트의 외경보다 약간 지름이 적은 오목부가 형성되며, 오목부의 영역에 소구경 유통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유로부재가 다공질체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유로부재의 백사이드 가스 공급수단의 측에 근접하여 가스도입관내에 도전성 유로부재가 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 도전성 유로부재가 원주체로 이루어지고 그 중앙부에 유로공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전기절연부재 유로부재가 상기 절연수단의 근처에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 백사이드 가스 공급수단은 상기 가스 도입관을 통하여 피처리체 배면에 백사이드 가스를 공급하도록 행하는 공급펌프수단과, 상기 가스도입관을 통하여 피처리체 배면으로부터 백사이드 가스를 배출하도록 행하는 배기펌프 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 진공챔버를 구성하는 수단과, 진공챔버내에 상하로 대향하여 설치된 상부 전극 및 하부 전극과, 진공챔버에 처리가스를 공급하고, 배출하는 수단과, 하부 전극상에 설치된 피처리체 유지용 척과, 상부 및 하부전극 사이에 고주파 전력을 공급하여 처리가스를 플라즈마화하고, 상기 척에 유지되는 피처리체를 플라즈마 처리하는 고주파 전력 공급 수단과, 하부전극에 절연수단을 통하여 설치되고, 상기 하부전극간은 다른 전위를 가지는 도전부재와, 상기 도전부재 및 절연수단을 통하여 하부 전극상에 상기 척에 유지되어 있는 피처리체의 배면에 열전달용 백사이드 가스를 공급하는 가스 도입관을 가지는 백사이드 가스공급수단을 구비하고, 상기 백사이드 가스공급수단은 상기 가스도입관을 통하여, 피처리체 배면에 백사이드 가스를 공급하도록 행하는 공급펌프 수단과, 상기 가스도입관을 통하여 피처리체 배면으로부터 백사이드 가스를 배출하도록 행하는 배기펌프 수단과, 상기 고주파 전력 공급수단을 작동에 관련하여 상기 공급펌프 수단을 동작시키고 상기 고주파 전력 공급수단의 작동종료에 관련하여 상기 배기펌프 수단을 동작시키는 제어수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 진공챔버내에 하부 전극상의 척상에 피처리체를 재치하여, 체킹하는 공정과, 진공척내의 처리가스를 공급하는 공정과, 진공척내의 상부 전극과 상기 하부전극과의 사이에 고주파 전력을 공급하여 피처리 가스를 플라즈마화하고, 피처리체를 플라즈마 처리하는 공정과, 플라즈마 처리중에 상기 하부전극내를 통하여, 그 위에 체킹되어 있는 피처리체의 배면에 열전달용 백사이드 가스를 고급하는 공정과, 플라즈마 처리 종료후에 피처리체배면으로부터 백사이드 가스를 배출하는 공정과, 진공척내로터 처리가스를 배출하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 백사이드 가스배출공정이 상기 진공챔버내로부터 처리가스 배출공정보다 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마 처리공정의 종료시에 고주파 저력의 공급을 단계적으로 저하시키는 공정을 더 포함하는 플라즈마 처리방법.
  15. 제14항에 있어서, 고주파 전력 공급의 단계적 저하의 최초의 저감단계와 동기하여, 백사이드 가스 배출공정의 개시되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  16. 제14항에 있어서, 고주파 전력공급의 단계적 저하의 최후의 저감단계전에 피처리체의 체킹을 해제하는 공정을 더 포함하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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