KR101776235B1 - 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 - Google Patents

공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 Download PDF

Info

Publication number
KR101776235B1
KR101776235B1 KR1020160075418A KR20160075418A KR101776235B1 KR 101776235 B1 KR101776235 B1 KR 101776235B1 KR 1020160075418 A KR1020160075418 A KR 1020160075418A KR 20160075418 A KR20160075418 A KR 20160075418A KR 101776235 B1 KR101776235 B1 KR 101776235B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conduit
exhaust gas
gas
flange
plasma reactor
Prior art date
Application number
KR1020160075418A
Other languages
English (en)
Inventor
고경준
최민식
강경두
Original Assignee
(주)클린팩터스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)클린팩터스 filed Critical (주)클린팩터스
Priority to KR1020160075418A priority Critical patent/KR101776235B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101776235B1 publication Critical patent/KR101776235B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
    • H05H2001/4652—
    • H05H2001/466—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은, 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 배기가스가 유동하는 도관; 상기 도관 상에 설치되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 이격되어 배치되며, 상기 제1 전극부와 플라즈마 방전을 일으켜서 상기 배기가스가 분해하는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며, 상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내는 플라즈마 반응기를 제공한다.

Description

공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 {Plasma reactor for purifying exhaust gas of the process facility}
본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기가스의 흐름을 도관의 내주면을 향한 방향으로 유도하면서, 스월의 형태로 형성되도록 하여 플라즈마 방전에 의한 배기가스의 분해 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이 장치, 태양전지 등의 제조공정에는 CVD 공정 등이 적용된다. 이러한 공정은 일반적으로 진공챔버에서 이루어지고, 금속, 비금속 전구체들과 같은 공정 가스나, 다양한 종류의 에칭 가스가 이용된다.
공정챔버를 배기하기 위한 시스템인 공정챔버, 진공펌프, 스크러버 등으로 이루어지는 각 구성요소들은 서로 배기라인을 통하여 연결된다. 이때, 공정챔버에서 배기되는 가스는 공정에 따라 차이가 있지만, 기체분자 혹은 에어로졸 상태의 미반응 전구체(precursor), 고체성 시드 크리스탈(seed crystal) 등을 포함할 수 있고, 비활성 가스를 캐리어 가스로 더 포함할 수 있다. 이러한 배기가스들은 배기라인을 따라 진공펌프로 유입되는데, 진공펌프의 내부에서는 100℃ 이상의 고온상태에서 배기가스들의 압축이 일어나므로, 배기가스들의 상변이가 쉽게 일어나 진공펌프 내부에 고체성 부산물이 쉽게 형성되고 축적되고, F, Cl 등을 포함하는 부식성 가스의 부산물들에 부식되어 진공펌프의 고장 원인이 된다.
배기가스에 의한 진공펌프 고장을 개선하기 위한 종래의 방법으로는 배기가스를 펌핑 중인 진공펌프 내부로 퍼징 가스(purging gas)를 주입하여 배기가스 중에서 고체성 부산물을 형성할 수 있는 성분의 분압을 낮춰주어 부산물 형성을 최대한 억제하는 것이다. 가장 일반적으로 사용되는 퍼징 가스는 드라이 에어(dry air) 또는 질소이다.
배기가스에 의하여 진공펌프 내부에 고상의 입자 등이 축적되는 문제점을 해결하기 위한 보다 적극적인 방법은 핫 트랩 또는 콜드 트랩을 배기라인에 설치하는 것이다. 그러나 이러한 방법은 높은 에너지 소비와 낮은 처리 효율로 한계를 가지고 있다. 이러한 문제점을 종합적으로 개선하기 위하여 진공펌프의 전단에 저압 플라즈마 장치를 추가하여 메인장비-저압 플라즈마 장치-진공펌프-스크러버 형태로 전체 배기시스템을 재구성하는 새로운 접근이 시도되어 좋은 효과를 얻고 있다. 한국등록특허 제1065013호는 AC 구동 전압을 인가하여 도관 장벽에 방전을 일으키는 방법으로 배기가스를 분해하는 플라즈마 반응기 기술을 개시하고 있다.
최근에는 플라즈마 반응기 내에서 배기가스의 분해 성능이 향상되도록 반응성 가스를 공급한다. 반응성 가스는 일반적으로 산소(O2)가 공급되는데, 배기가스 중 금속성 부산물인 TEMAZ(Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium)은 반응성 가스와 만나면 지르코니아(ZrO2)를 생성한다. 이때 생성되는 지르코니아(ZrO2)는 고운 파운더 형태를 가져서, 플라즈마 반응기의 도관 내부를 떠다니게 된다. 특히, 플라즈마 반응기의 도관과 공정챔버를 연결하는 배기라인에 지르코니아(ZrO2) 파우더가 적층되면서 배기가스의 유동을 방해하는 문제점이 발생되며, 플라즈마 반응기의 성능을 저하시키는 문제점도 발생된다.
본 발명은 배기가스의 흐름을 도관의 내주면을 향한 방향으로 유도하면서, 스월의 형태로 형성되도록 하여 플라즈마 방전에 의한 배기가스의 분해 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 반응기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 배기가스가 유동하는 도관; 상기 도관 상에 설치되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 이격되어 배치되며, 상기 제1 전극부와 플라즈마 방전을 일으켜서 상기 배기가스가 분해하는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며, 상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내는 플라즈마 반응기를 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은, 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 배기가스가 유동하는 도관; 상기 도관을 감싸며, 외부로부터 전류가 인가되어 상기 도관 내에 RF 플라즈마를 발생시켜서 상기 배기가스를 분해하는 코일부; 및 상기 코일부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며, 상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내는 플라즈마 반응기를 제공한다.
본 발명에 따른 플라즈마 반응기는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 도관과 공정챔버를 연결하는 배기라인에 가스 주입관을 설치하여 반응성 가스를 주입함으로써, 반응성 가스가 배기가스와 혼합되면서 스월(swirl) 형태로 변하여 도관의 내부 중에서도 플라즈마 방전이 집중되는 영역(도관의 중심부보다는 도관의 내주면에 인접한 부분)으로 흐름이 유도되어 배기가스의 분해 효율이 더욱 향상되는 효과를 갖는다.
둘째, 가스 주입관을 통해 주입되는 반응성 가스가, 도관의 내주면에서 정체하는 배기가스를 도관을 따라 원활하게 유동하도록 운동량을 제공한다. 따라서, 반응성 가스와 배기가스가 혼합될 때 발생되는 지르코니아(ZrO2) 파우더 등이 정체되거나 역류하는 것을 방지한다. 이로부터, 지르코니아(ZrO2) 파우더 등이 플라즈마 반응기와 공정챔버를 연결하는 배기라인에 적층되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 공정챔버, 진공펌프, 스크러버 및 플라즈마 반응기의 연결관계를 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구조가 도시된 종단면도이다.
도 3은 도 2에 따른 플라즈마 반응기의 구조가 도시된 종단면을 포함하는 사시도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 주입관이 도시된 것이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구조가 도시된 종단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구조가 도시된 종단면도이다.
도 1 내지 도 8에는 본 발명에 따른 플라즈마 반응기에 대해 도시되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성에 대한 구체적인 설명에 앞서, 상기 플라즈마 반응기(200)는 공정챔버(110)에서 배출되는 금속 전구체, 비금속 전구체 및 공정가스, 클리닝(cleaning) 가스의 부산물들을 포함하는 배기가스를 분해하도록 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(110)와 진공펌프(130) 사이에 배치된다. 상기 공정챔버(110)로는 CVD 챔버와 같은 다양한 챔버가 적용 가능하다. 상기 공정챔버(110)내 배기가스가 상기 진공펌프(130)에 의해 배출되면 상기 플라즈마 반응기(200)에 의해 분해되고, 정화된 후 상기 진공펌프(130)로 유동된다.
그러나 상기 플라즈마 반응기(200)가 반드시 상기 공정챔버(110)와 상기 진공펌프(130) 사이에 배치되어야 하는 것은 아니다. 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 진공펌프(130)와 상기 스크러버(150) 사이에 배치될 수도 있다. 또한, 상기 플라즈마 반응기(200)를 복수 개 설치하여 상기 배기가스의 분해 및 정화 과정을 여러 번 반복할 수도 있다. 상기 공정챔버(110), 상기 플라즈마 반응기(200), 상기 진공펌프(130) 및 상기 스크러버(150)는 상호가 배기라인에 의해 연결된다.
상기 공정챔버(110)는 내부가 진공환경으로 조성되어 애싱(ashing), 증착, 식각, 사진, 세정 및 질화 등의 공정들을 수행한다.
상기 공정챔버(110)로부터 배출되는 미반응 금속성 전구체 분자들이, 분해된 후 금속성 부산물을 형성하거나, 미반응 비금속성 전구체 분자들이 분해된 후 비금속성 부산물을 형성할 경우, 상기 진공펌프(150)의 내면 또는 상기 스크러버(미도시)에 축적되어 많은 문제점을 야기한다. 반응성 가스는, 상기 미반응 금속성 전구체 분자들 또는 상기 미반응 비금속 전구체 분자들이 분해 된 후, 금속성 부산물 또는 비금속성 부산물을 형성하지 않고 미세입자의 금속 산화물 또는 비금속 산화물을 형성하도록 유도한다. 또한, F 원자 또는 Cl 원자를 포함하는 미반응 공정가스 및 미반응 클리닝가스 분자들의 분해 시 생성되어, 상기 진공펌프(150)에 유입 시 상기 진공펌프(150) 내면에 형성된 금속 표면과 반응하여 부식/식각을 야기하는 활성화된 F- 혹은 Cl- 들을, HF, HCl, 금속원자 ??F-0, 금속원자 ??Cl-0 또는 금속원자 ??F-Cl-0를 포함하는 비결정 합금 형태로 바꿔줄 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 플라즈마 반응기(200)는 상기 공정챔버(110)에서 상기 배기가스와 함께 배출된 금속 전구체, 비금속 전구체 및 공정가스, 클리닝(cleaning) 가스의 부산물들을 분해하여 상기 진공펌프(130) 및 상기 스크러버(150)로 유입되거나 금속막이 형성되는 것을 방지하여 보호한다.
그런데 금속성 부산물 중 TEMAZ(Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium)은 반응성 가스로 공급되는 산소(O2)와 만나면, 지르코니아(ZrO2)로 치환된다. 지르코니아(ZrO2)는 고운 파우더 형태로 플라즈마 반응기(200) 내부를 떠다닌다. 특히, 공정챔버(110)와 플라즈마 반응기(200)를 연결하는 제1 배기라인(10)으로 유동하여 제1 배기라인(10)의 내벽에 적층되면서 시간이 지날수록 배기가스의 유동을 방해하는 문제점을 발생시킨다. 따라서 후술되는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200)는 이러한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200)는 도관(210), 제1 전극부(220), 제2 전극부(230)들, 완충부(미도시), 하우징(240) 및 가스 주입관(280)을 포함한다. 먼저, 상기 플라즈마 반응기(200)의 상기 도관(210)은 상기 배기가스가 유동하는 유동 경로로서, 내부가 길이 방향을 따라 관통된 원통형으로 형성된다. 상기 도관(210)은 알루미나, 지르코니아(ZrO2), 이트리아(Y2O3), 사파이어, 석영관, 유리관 등의 고유전체로 형성된다.
상기 제1 전극부(220)는 상기 도관(210)외 외주면을 둘러싸도록 외삽되게 설치된다. 따라서 상기 제1 전극부(220)는 상기 도관(210)의 외주면을 둘러싸며 설치될 수 있도록 튜브 형태로 형성된다. 후술되는 상기 제2 전극부(230)와 상호 이격되어 있어 상기 제2 전극부(230)와의 사이에 플라즈마 방전을 일으킨다. 상기 제1 전극부(220)는 구동전극의 기능을 한다. 이에 따라 상기 제1 전극부(220)는 AC 전압이 인가된다. 도 2를 참조하면, 상기 제1 전극부(220)는 상기 도관(210)의 길이 방향을 따라 길이가 길게 연장되어 형성된다. 상기 도관(210)과 상기 제1 전극부(220) 사이에는 튜브 구조의 완충부(미도시)가 삽입되어 있다. 상기 완충부는 전기 전도성을 갖는 물질로 형성되고, 상기 도관(210)과 상기 제1 전극부(220)가 밀착될 수 있도록 탄성을 갖는다.
상기 제2 전극부(230)는 상기 제1 전극부(220)와 마찬가지로, 상기 도관(210)의 외주면을 둘러싸며 형성되며, 전술한 바와 같이 상기 제1 전극부(220)와 이격되어 형성된다. 본 실시예에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극부(220)의 하측 방향에 상기 제1 전극부(220)와 상호 이격되어 형성되는 것이다. 상기 제2 전극부(230)들은 전술한 상기 제1 전극부(220)와 플라즈마 방전을 일으킬 수 있는 접지전극 기능을 한다. 따라서 상기 제2 전극부(230)들은 금속체로 형성된다. 또는 상기 제1 전극부(220)에는 상대적인 (+)전압이 인가되고, 상기 제2 전극부(230)에는 상대적인 (-)전압이 인가될 수도 있다.
본 실시예에서와 같이, 상기 제1 전극부(220) 및 상기 제2 전극부(230)가 상기 도관(210) 상에 설치되는 경우, 상기 공정챔버(110)와 상기 플라즈마 반응기(200)를 연결하는 제1 배기라인(10)과 상기 도관(210) 사이에는 제1 플랜지관(260)이 구비된다. 또한, 상기 진공펌프(130)와 상기 플라즈마 반응기(200)를 연결하는 제2 배기라인(30)과 상기 도관(210) 사이에 제2 플랜지관(270)이 구비된다.
상기 제1 플랜지관(260)은 상기 도관(210)의 길이방향과 동일한 방향으로 중공이 형성된 제1 플랜지 몸체(261)와, 상기 제1 플랜지 몸체(261)의 양 단부에 상기 제1 플랜지 몸체(261)의 길이방향과 교차하는 방향으로 둘레방향을 따라 연장 형성되는 제1 플랜지(262) 및 제2 플랜지(263)를 포함한다. 다만, 상기 제1 플랜지(262) 및 제2 플랜지(263) 중 어느 하나는 상기 도관(210) 및 상기 하우징(240)과도 결합되므로 횡단면이 더 크게 형성된다. 본 실시예에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플랜지(263)의 횡단면의 크기가 상기 제1 플랜지(262)의 횡단면의 크기보다 더 크게 형성된다. 상기 제1 플랜지관(260)의 상기 제1 플랜지 몸체(261)에는 후술되는 상기 가스 주입관(280)이 설치될 수 있도록 삽입홀(261a)이 형성된다. 상기 삽입홀(261a)의 구조는 다양하게 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 제1 플랜지 몸체(261)에 튜브 형태로 외부로 돌출되는 돌출부(261b)가 형성되고, 상기 돌출부(261b)에 의하여 상기 삽입홀(261a)이 한정된다. 이러한 돌출부(261b)는 상기 삽입홀(261a)의 기능을 수행함과 동시에, 상기 가스 주입관(280)과 상기 삽입홀(261a) 사이의 기밀성을 향상시키 위한 것이다. 이에 대해서는 후술되는 상기 가스 주입관(280)과 함께 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
한편, 상기 제1 플랜지 몸체(261)의 횡단면의 크기는 길이방향을 따라 균일하게 형성된다. 상기 제2 플랜지관(270)도 상기 제1 플랜지관(260)과 마찬가지로, 제2 플랜지 몸체(271)와, 제3 플랜지(272) 및 제4 플랜지(273)를 포함한다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플랜지관(270)은 상기 제1 플랜지관(260)과 동일한 형태로 형성되므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 배기가스는 상기 도관(210)의 어느 한 측 방향으로 유입되어 유동된 후, 다른 한 측 방향으로 배출된다. 따라서 상기 도관(210)의 양 측 중 어느 한 측은 배기가스 유입구로 형성되고, 다른 한 측은 배기가스 배출구로 형성된다. 본 실시예에서는 상기 제1 플랜지관(260)이 상기 배기가스 유입구로 형성되고, 상기 제2 플랜지관(270)은 상기 배기가스 배출구로 형성된다.
그리고 상기 제1 전극부(220)가 상기 배기가스 유입구인 상기 제1 플랜지관(260)과 가까이에 구비되고, 상기 제2 전극부(230)가 상기 배기가스 배출구인 상기 제2 플랜지관(270)과 가까이에 구비된다.
상기 배기가스는 상기 배기가스 유입구를 통해 유입되어 상기 도관(210)으로 유동되고, 상기 도관(210) 내부에 일정 압력의 상기 배기가스가 존재하게 된다. 이때, 구동전극인 상기 제1 전극부(220)에 AC 전압이 인가되면, 접지전극인 상기 제2 전극부(230)들과의 사이에서 전자의 이동이 시작되며 배기가스를 분해하도록 플라즈마 방전이 발생된다.
상기 하우징(240)은 상기 도관(210)의 외주면과, 상기 도관(210)의 외주면에 형성된 상기 제1 전극부(220)를 보호하도록 상기 도관(210)을 감싼다. 상기 하우징(240)은 상기 도관(210)의 외주면과의 사이에 이격 공간을 형성한다.
상기 가스 주입관(280)은 상기 배기가스가 스월(swirl: 회오리) 형태로 변화하여 상기 도관(210)을 유동할 수 있도록 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하게 위해 설치되는 것이다. 상기 가스 주입관(280)은 전술한 바와 같이, 상기 제1 플랜지관(260)의 상기 제1 플랜지 몸체(261)에 형성된 삽입홀(261a)에 끼워져 설치된다. 상기 가스 주입관(280)은 유전체로 형성되는데, 예를 들어 세라믹으로 형성된다.
상기 반응성 가스는 상기 가스 주입관(280)을 통하여 주입된다. 상기 반응성 가스는 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관(210)의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관(210)을 따라 흐르도록 밀어내는 기능을 수행한다. 즉, 상기 반응성 가스가 가지는 운동 량에 의하여 상기 배기가스의 속도 성분을 조절하는 기능을 수행한다. 도 3을 참조하면, 상기 배기가스가 스월 형태를 가지게 되려면, 상기 반응성 가스가 상기 배기가스의 유동방향과 수직으로 교차하는 면을 기준으로 R방향의 속도 성분을 가져야 한다. 상기 배기가스의 유동방향을 가상의 회전축으로 할 경우, 상기 R성분은 접선 방향을 나타낸다. 또한, 상기 반응성 가스가 상기 배기가스를 밀어내기 위해서는, 상기 배기가스의 유동방향과 동일한 방향의 속도 성분을 가져야 한다. 상기 반응성 가스가 주로 상기 제1 플랜지관(260)(즉, 상기 도관(210))의 내주면 근처로 유입된다. 따라서, 상기 배기가스가 상기 제1 플랜지관(260) 또는 상기 도관(210)의 내주면 근처에서 정체되거나 역류되는 것을 방지한다.
본 실시예에서, 상기 반응성 가스는 상기 배기가스가 유동하는 방향과 교차하는 가상의 면(도 3 참조)과 나란한 방향의 속도 성분(R 방향) 및 상기 가상의 면(도 3 참조)에 대해 하향 경사지는 방향(Q 방향)의 속도 성분을 갖도록 상기 가스 주입관(280)을 통해 주입된다.
도 4 내지 도 6을 참조하여 상기 가스 주입관(280)을 보다 구체적으로 살펴보면, 상기 가스 주입관(280)은 길이방향과 교차하는 종단면이 원형 또는 다각형인 기둥 형태로 형성되는 몸체(281)를 포함한다. 본 실시예에서는 도 4에 도시된 바와 같이, 종단면이 원형인 기둥 형태의 몸체(281)를 포함한다.
상기 가스 주입관(280)은 도면에 도시된 바와 같이, 외부에서 상기 반응성 가스를 공급받을 수 있도록 상기 몸체(281)의 일 측은 상기 플라즈마 반응기(200)의 외부로 연통 가능하게 되어, 외부에서 공급된 상기 반응성 가스가 주입될 수 있다. 또한, 상기 몸체(280)의 타 측은 상기 플라즈마 반응기(200)의 내부, 보다 구체적으로는 상기 제1 플랜지관(260)의 내부에 위치한다.
상기 몸체(281)는 외부에서 공급되는 상기 반응성 가스가 유동되도록 상기 몸체(281)의 일 측 단부로부터 타측을 향해 길이방향을 따라 설정 길이만큼 유동홈(282)이 형성된다. 상기 몸체(281)의 타 측에는 상기 유동홈(282)과 연통되면서 상기 몸체(281)의 길이방향과 교차하는 횡단면과 나란한 방향으로 제1 배출홀(283)이 형성된다. 따라서 상기 유동홈(282)을 따라 유동된 상기 반응성 가스는 상기 제1 배출홀(283)을 통해 배출되어 상기 플라즈마 반응기(200)의 내부로 주입된다.
상기 몸체(281)의 타 측에는 상기 제1 배출홀(283)과 함께 제2 배출홀(284)이 형성된다. 상기 제2 배출홀(284)은 상기 몸체(281)의 둘레방향을 따라 상기 제1 배출홀(283)과 설정 각도 이격 형성된다.
상기 몸체(281)에서 상기 제1배출홀(283) 및 상기 제2 배출홀(284)가 형성되어 있는 부분은 다른 부분에 비하여 횡단면이 크게 형성되며, 상기 제1 플랜지관(260)의 내주면에 밀착되어 배치된다. 이러한 구조에 의하여, 상기 가스 주입관(280)에 의한 기밀 문제가 1차적으로 해결될 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 플랜지관(260)에는 상기 가스 주입관(280)이 설치될 수 있도록 상기 돌출부(261b)가 형성되어 있다. 상기 몸체(281)가 상기 삽입홀(261a)을 통하여 상기 돌출부(261b)에 끼워져 있다. 상기 가스 주입관(280)이 상기 삽입홀(261a)에 끼워져 결합할 때에는 상기 제1 배출홀(283)의 중심축이 상기 제1 플랜지관(260)으로 유입되는 상기 배기가스가 유동하는 방향과 교차하는 가상의 면(도 3 참조)과 나란한 방향(R 방향)이 되도록 한다. 이와 동시에, 상기 제2 배출홀(284)의 중심축은 상기 배기가스가 유동하는 방향과 교차하는 가상의 면(도 3 참조)에 대해 하향 경사지는 방향(Q 방향)이 되도록 한다.
이에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1 배출홀(283)을 통해 주입되는 상기 반응성 가스는 R 방향의 속도 성분을 가지며, 상기 제2 배출홀(284)을 통해 주입되는 상기 반응성 가스는 Q 방향 속도 성분을 가진다.
이와 같은 속도 성분들을 갖는 상기 반응성 가스가 상기 배기가스와 혼합되면, 상기 배기가스는 상기 반응성 가스의 속도 성분에 의해 스월(swirl) 형태로 변화하면서 상기 도관(210)의 내부로 흐름이 유도되어 유동된다. 특히, 상기 도관(210)의 내부 중에서도 상기 제1 전극부(220)와 상기 제2 전극부(230) 사이의 플라즈마 방전이 집중되는 영역(즉, 상기 도관(210)의 중심부보다는 상기 도관(210)의 내주면에 근접한 영역)으로 유도되면서 유동되어 상기 반응성 가스에 혼합된 상기 배기가스가 상기 플라즈마 방전에 의해 더욱 많이 분해되어 상기 플라즈마 반응기(200)의 분해 효율이 향상되는 효과를 갖게 된다.
한편, 상기 몸체(281)의 외측면에는 상기 실링부재(285)들이 외삽되어 있다. 상기 가스 주입관(280)이 상기 제1 플랜지관(260)에 설치될 때, 상기 실링부재(285)들은 상기 가스 주입관(280)이 상기 제1 플랜지관(260)으로부터 이탈되는 것을 방지하며, 외부와 상기 제1 플랜지관(260) 사이의 유체 연통을 방지한다. 즉, 외기가 상기 돌출부(261b)의 내주면과 상기 가스 주입관(280)의 외주면 사이를 통하여 상기 제1 플랜지관(260) 내부로 유입되거나, 상기 배기가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다. 상기 몸체(281)의 외주면에는 상기 실링부재(285)들이 설치될 수 있도록 제1 실링 홈(281a) 및 제2 실링 홈(281b)이 형성된다.
상기 제1 실링 홈(281a)은 상기 몸체(281)의 일 측 단부로부터 타 측을 향해 상기 몸체(281)의 길이방향을 따라 설정 간격 이격되며, 상기 몸체(281)의 둘레 방향을 따라 형성된다. 상기 제2 실링 홈(281b)은 상기 제1 실링 홈(281a)으로부터 상기 몸체(281)의 길이방향을 따라 설정 간격 이격되어 상기 몸체(281)의 둘레 방향을 따라 형성된다. 상기 실링부재(285)들은 상기 돌출부(261b)의 내에 위치하게 된다. 따라서, 상기 실링부재(285)들에 의한 기밀성이 크게 향상된다.
도 7에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기가 도시되어 있다. 도 7을 참조하여 보면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200a)는, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200)의 구성과 대부분 동일하나 플라즈마 방전을 일으키는 구성요소에서 차이점을 갖는다. 따라서 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 플라즈마 반응기(200a)는, 제2 전극부(230a, 230a`)들이 상기 도관(210)과 연통되도록 상기 도관(210)의 양 단에 연결되는 것이다. 이는 본 실시예에 해당하는 것으로, 상기 제2 전극부는 상기 도관(210)의 일 측 단부에만 상기 도관(210)과 연통되게 연결될 수도 있다.
한편 본 실시예에서는, 상기 제2 전극부(230a, 230a`)들 중 어느 하나의 상기 제2 전극부(230a)는 배기가스 유입구가 될 수 있다. 상기 제2 전극부(230a)의 횡단면은 상기 제1 플랜지관(260)과 마찬가지로 길이방향을 따라 균일하게 형성된다. 그리고 상기 제2 전극부(230a)에는 상기 가스 주입관(210)이 설치되므로, 상기 가스 주입관(280)이 설치될 수 있는 돌출부(231b) 및 삽입홀(231a)이 형성된다. 상기 돌출부(231b) 및 상기 삽입홀(231a)의 구성 및 효과는, 전술한 실시예의 상기 돌출부(261b) 및 상기 삽입홀(261a)에 유사한 바, 상세한 설명은 생략한다.
이와 같은 본 실시예서는 상기 제1 전극부(220)와 상기 제2 전극부(230a) 사이의 플라즈마 방전이 집중되는 영역의 위치가 전술한 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기와 달라진다. 상기 가스 주입관(280)은 전술한 바와 같이, 상기 배기가스가 유입되는 측의 상기 돌출부(231b)에 형성된 상기 삽입홀(231a)에 끼워져 설치된다.
상기 가스 주입관(280)이 상기 제2 전극부(230a)에 설치될 때, 상기 가스 주입관(280)의 상기 제1 배출홀(283)은 상기 배기가스가 유동하는 방향과 교차하는 방향의 가상의 면(미도시)과 나란한 방향이 되며, 상기 제2 배출홀(284)은 상기 배기가스가 유동하는 방향과 교차하는 방향의 가상의 면(미도시)에 대해 하향 경사지는 방향이 되도록 설치된다. 따라서 전술한 일 실시예에서와 같이, 상기 가스 주입관(280)을 통해 주입된 상기 반응성 가스와 혼합된 상기 배기가스는 스월 형태로 변화하면서 플라즈마 방전이 집중되는 영역에 가까워지도록 흐름이 유도되어 유동된다. 또한, 상기 배기가스가 상기 제2전극부(230a)나 상기 도관(210)의 내주면의 정체되거나 역류되는 것을 방지한다.
도 8에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기가 도시되어 있다. 도 8을 참조하여 보면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200b)는, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기(200b)의 구성과 대부분 동일하나 플라즈마 방전을 일으키는 구성요소에서 차이점을 갖는다. 따라서 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 본 실시예에 따른 상기 플라즈마 반응기(200b)는, 전술한 실시예들과 같은 제1 전극부 및 제2 전극부를 대신하여 상기 도관(210)의 외주면을 나선형으로 감싸는 코일부(230`)를 포함한다. 외부로부터 상기 코일부(230`)에 전류가 인가되면 상기 코일부(230`)에서 RF 플라즈마 방전이 발생되어 상기 도관(210)으로 유동된 상기 배기가스를 분해할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 코일부(230`)에 의해 플라즈마 방전이 집중되는 영역은 상기 도관(210)의 길이 방향 중앙 부분에 해당된다. 본 실시예에서도 전술한 일 실시예에서와 마찬가지로, 상기 가스 주입관(280)은 상기 제1 플랜지관(260)에 설치된다. 상기 플라즈마 반응기(200b)로 유입되는 상기 배기가스는 상기 가스 주입관(280)을 통해 주입되는 상기 반응성 가스와 혼합되어 스월 형태로 변화하여 플라즈마 방전이 집중되는 영역으로 흐름이 유도되면서 유동된다. 또한, 상기 배기가스가 상기 제1 플랜지관(260)나 상기 도관(210)의 내주면의 정체되거나 역류되는 것을 방지한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110: 공정챔버 130: 진공펌프
150: 스크러버 200, 200`, 200a, 200b: 플라즈마 반응기
210: 도관
220: 제1 전극부
230, 230a, 230a`: 제2 전극부들 240: 하우징
260: 제1 플랜지관 270: 제2 플랜지관
280: 가스 주입관 281: 몸체
282: 유동홈 283: 제1 배출홀
284: 제2 배출홀 281a: 제1 실링 홈
281b: 제2 실링 홈 285: 실링부재
10: 제1 배기라인 30: 제2 배기라인

Claims (14)

  1. 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 배기가스가 유동하는 도관;
    상기 도관 상에 설치되는 제1 전극부;
    상기 제1 전극부와 이격되어 배치되며, 상기 제1 전극부와 플라즈마 방전을 일으켜서 상기 배기가스가 분해하는 제2 전극부; 및
    상기 제1 전극부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며,
    상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내며,
    상기 제2 전극부는 상기 도관의 일 단 또는 양 단에 상기 도관과 연통되게 연결되며, 내부로 상기 배기가스가 유동하고,
    상기 제2 전극부에는 상기 가스 주입관이 상기 제2 전극부를 관통 삽입할 수 있는 삽입홀이 형성되고,
    상기 가스 주입관은,
    길이방향으로 상기 삽입홀에 삽입되는 몸체를 포함하며,
    상기 몸체는,
    외부에서 공급되는 상기 반응성 가스가 유동되도록 일 측 단부로부터 타 측을 향해 설정 길이만큼 형성되는 유동홈;
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 길이방향과 교차하는 횡단면과 나란한 방향으로 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제1 배출홀; 및
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 둘레방향을 따라 상기 제1 배출홀과 설정 각도 이격 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제2 배출홀을 포함하는 플라즈마 반응기.
  2. 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 배기가스가 유동하는 도관;
    상기 도관을 감싸며, 외부로부터 전류가 인가되어 상기 도관 내에 RF 플라즈마를 발생시켜서 상기 배기가스를 분해하는 코일부; 및
    상기 코일부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며,
    상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내며,
    상기 공정챔버와 상기 플라즈마 반응기 사이에는 상기 공정챔버와 상기 플라즈마 반응기를 연결하는 제1 배기라인이 설치되고, 상기 제1 배기라인과 상기 도관 사이에 배치되어 상기 제1 배기라인과 상기 도관을 연결하는 제1 플랜지관이 구비되고,
    상기 제1 플랜지관에는 상기 가스 주입관의 일 측은 상기 제1 플랜지의 외측에 위치하되, 타 측은 상기 제1 플랜지의 내부에 위치하도록 상기 가스 주입관이 상기 제1 플랜지관을 관통 삽입할 수 있는 삽입홀이 형성되며,
    상기 가스 주입관은,
    길이방향으로 상기 삽입홀에 삽입되는 몸체를 포함하며,
    상기 몸체는,
    외부에서 공급되는 상기 반응성 가스가 유동되도록 일 측 단부로부터 타 측을 향해 설정 길이만큼 형성되는 유동홈;
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 길이방향과 교차하는 횡단면과 나란한 방향으로 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제1 배출홀; 및
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 둘레방향을 따라 상기 제1 배출홀과 설정 각도 이격 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제2 배출홀을 포함하는 플라즈마 반응기.
  3. 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 분해하도록 공정챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 배기가스가 유동하는 도관;
    상기 도관 상에 설치되는 제1 전극부;
    상기 제1 전극부와 이격되어 배치되며, 상기 제1 전극부와 플라즈마 방전을 일으켜서 상기 배기가스가 분해하는 제2 전극부; 및
    상기 제1 전극부의 상류에 위치하며, 상기 배기가스와 혼합되는 반응성 가스를 주입하는 가스 주입관을 포함하며,
    상기 가스 주입관에서 주입되는 상기 반응성 가스는, 상기 배기가스를 스월(swirl) 형태로 변화하여 유동하게 함과 동시에, 상기 도관의 내주면에 근접한 부분에 위치하는 상기 배기가스를 상기 도관을 따라 흐르도록 밀어내며,
    상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부는 상기 도관의 외주면에 서로 이격되어 외삽되도록 튜브 형태로 형성되고,
    상기 공정챔버와 상기 플라즈마 반응기 사이에는 상기 공정챔버와 상기 플라즈마 반응기를 연결하는 제1 배기라인이 설치되고, 상기 제1 배기라인과 상기 도관 사이에 배치되어 상기 제1 배기라인과 상기 도관을 연결하는 제1 플랜지관이 구비되고,
    상기 제1 플랜지관에는 상기 가스 주입관의 일 측은 상기 제1 플랜지의 외측에 위치하되, 타 측은 상기 제1 플랜지의 내부에 위치하도록 상기 가스 주입관이 상기 제1 플랜지관을 관통 삽입할 수 있는 삽입홀이 형성되며,
    상기 가스 주입관은,
    길이방향으로 상기 삽입홀에 삽입되는 몸체를 포함하며,
    상기 몸체는,
    외부에서 공급되는 상기 반응성 가스가 유동되도록 일 측 단부로부터 타 측을 향해 설정 길이만큼 형성되는 유동홈;
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 길이방향과 교차하는 횡단면과 나란한 방향으로 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제1 배출홀; 및
    상기 몸체의 타 측에 상기 유동홈과 연통되면서, 상기 몸체의 둘레방향을 따라 상기 제1 배출홀과 설정 각도 이격 형성되어 상기 유동홈을 따라 유동된 상기 반응성 가스가 배출되는 제2 배출홀을 포함하는 플라즈마 반응기.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극부는 상기 도관의 외주면에 외삽되도록 튜브 형태로 형성되는 플라즈마 반응기.
  5. 삭제
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 배출홀의 중심축은, 상기 배기가스의 유동방향과 교차하는 가상의 면과 나란한 방향이 되도록 설치되고, 상기 제2 배출홀의 중심축은 상기 가상의 면과 하향 경사지는 방향이 되도록 설치되는 플라즈마 반응기.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전극부에는, 상기 삽입홀을 한정하며, 외부로 설정 길이만큼 튜브 형태로 돌출되는 돌출부가 형성되며,
    상기 몸체의 일 측은 상기 돌출부에 삽입 고정되며,
    상기 돌출부의 내주면과 상기 몸체의 외주면 사이에는 실링부재들이 배치되어 있는 플라즈마 반응기.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전극부는 상기 도관의 외주면에 외삽되도록 튜브 형태로 형성되며, 상기 제1 전극부와 상호 이격되는 플라즈마 반응기.
  9. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 플라즈마 반응기와 상기 진공펌프 사이에는 상기 플라즈마 반응기와 상기 진공펌프를 연결하는 제2 배기라인이 설치되며,
    상기 플라즈마 반응기는,
    상기 제2 배기라인과 상기 도관 사이에 배치되어 상기 제2 배기라인과 상기 도관을 연결하는 제2 플랜지관을 더 포함하는 플라즈마 반응기.
  10. 삭제
  11. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 주입관은 유전체로 형성되는 플라즈마 반응기.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 플랜지관에는, 상기 삽입홀을 한정하며, 외부로 설정 길이만큼 튜브 형태로 돌출되는 돌출부가 형성되며,
    상기 몸체의 일 측은 상기 돌출부에 삽입 고정되며,
    상기 돌출부의 내주면과 상기 몸체의 외주면 사이에는 실링부재들이 배치되어 있는 플라즈마 반응기.
KR1020160075418A 2016-06-17 2016-06-17 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 KR101776235B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160075418A KR101776235B1 (ko) 2016-06-17 2016-06-17 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160075418A KR101776235B1 (ko) 2016-06-17 2016-06-17 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101776235B1 true KR101776235B1 (ko) 2017-09-11

Family

ID=59926166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160075418A KR101776235B1 (ko) 2016-06-17 2016-06-17 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101776235B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107999469A (zh) * 2017-11-20 2018-05-08 安徽晓星能源科技有限公司 一种中频交流辉光清洗电源
KR101959165B1 (ko) 2018-04-27 2019-03-15 (주)엔노피아 플라즈마 폐가스 처리 장치 및 그를 포함하는 폐가스 처리 시스템
KR20210013389A (ko) * 2019-07-24 2021-02-04 김미영 진공펌프 전단 설치형 저온 플라즈마-촉매 스크러버
WO2022035300A1 (ko) * 2020-08-14 2022-02-17 (주) 엔피홀딩스 플라즈마 발생 장치, 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치
KR20220021881A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 엔피홀딩스 플라즈마 발생 장치, 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치
KR20220144977A (ko) * 2021-04-21 2022-10-28 주식회사 피에스에스 반도체 공정 배기가스 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247532B1 (ko) 1993-02-16 2000-05-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
KR100945038B1 (ko) 2008-01-22 2010-03-05 주식회사 아론 플라즈마 반응기와 이를 이용한 플라즈마 스크러버
KR101557147B1 (ko) 2014-01-23 2015-10-06 (주)지니아텍 플라즈마 전극

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247532B1 (ko) 1993-02-16 2000-05-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
KR100945038B1 (ko) 2008-01-22 2010-03-05 주식회사 아론 플라즈마 반응기와 이를 이용한 플라즈마 스크러버
KR101557147B1 (ko) 2014-01-23 2015-10-06 (주)지니아텍 플라즈마 전극

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107999469A (zh) * 2017-11-20 2018-05-08 安徽晓星能源科技有限公司 一种中频交流辉光清洗电源
CN107999469B (zh) * 2017-11-20 2021-04-27 安徽晓星能源科技有限公司 一种中频交流辉光清洗电源
KR101959165B1 (ko) 2018-04-27 2019-03-15 (주)엔노피아 플라즈마 폐가스 처리 장치 및 그를 포함하는 폐가스 처리 시스템
CN110404382A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 (株)因努彼亚 废气等离子体处理设备和包括其的废气等离子体处理***
KR20210013389A (ko) * 2019-07-24 2021-02-04 김미영 진공펌프 전단 설치형 저온 플라즈마-촉매 스크러버
KR102292828B1 (ko) * 2019-07-24 2021-08-25 주식회사 소로나 진공펌프 전단 설치형 저온 플라즈마-촉매 스크러버
WO2022035300A1 (ko) * 2020-08-14 2022-02-17 (주) 엔피홀딩스 플라즈마 발생 장치, 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치
KR20220021881A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 엔피홀딩스 플라즈마 발생 장치, 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치
KR102661030B1 (ko) * 2020-08-14 2024-04-25 (주) 엔피홀딩스 플라즈마 발생 장치, 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치
KR20220144977A (ko) * 2021-04-21 2022-10-28 주식회사 피에스에스 반도체 공정 배기가스 처리 장치
KR102534763B1 (ko) * 2021-04-21 2023-05-26 주식회사 피에스에스 반도체 공정 배기가스 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101776235B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
KR101611955B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
JP7091394B2 (ja) ホール効果が促進された容量結合プラズマ源、軽減システム、および真空処理システム
JP6018665B2 (ja) 汚染物質除去用プラズマ反応器
KR101541817B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
JP5582657B2 (ja) 汚染物質除去用プラズマ反応器
KR101278682B1 (ko) 비균일 직경을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
KR101589624B1 (ko) 친환경 공정을 위한 플라즈마 반응기
EP2659946B1 (en) Apparatus for processing exhaust fluid
KR101565116B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리설비
CN110863989B (zh) 具有远程等离子体装置的真空泵***
KR101703993B1 (ko) 아크 플라즈마 반응기를 구비한 저압 공정 설비
TWI618570B (zh) 用於廢氣處理的低壓電漿反應器
KR20170006007A (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
KR101277768B1 (ko) 진공 펌프 수명 연장을 위한 원거리 플라즈마 반응기
KR101642129B1 (ko) 친환경 공정을 위한 플라즈마 반응기
KR102113294B1 (ko) 절연구간이 개선된 플라즈마 발생기
KR101541854B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
KR101299710B1 (ko) 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
KR101567562B1 (ko) 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기
JP2021123775A (ja) 排気配管装置
KR102281236B1 (ko) 플라즈마 세정장치 및 이를 구비한 반도체 공정설비
JP2021031747A (ja) 排気配管装置
KR102438551B1 (ko) 배기가스 플라즈마 처리 장비용 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 배기가스 플라즈마 처리 장비
KR101607637B1 (ko) 친환경 공정을 위한 플라즈마 반응기

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant