KR940019065A - 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로 및 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로 - Google Patents

모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로 및 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 모놀리식(monolithic) 마이크로웨이브 반도체집적회로에 관한 것으로, 인핸스먼트모드의 화합물반도체 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 바이어스제어용 트랜지스터 및 인핸스먼트모드의 화합물반도체 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 피바이어스트랜지스터로 구성된 커렌트미러(current mirror)방식의 바이어스 안정화회로를 구비하고 있다.

Description

모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로 및 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명의 FET 바이어스회로의 실시예 1을 나타낸 개략도, 제9도는 제8도의 FET 바이어스회로를 사용한 앰프회로의 실시예 2를 나타낸 개략도, 제10A도, 제10B도는 제9도의 앰프회로의 왜곡 및 이득의 실측결과를 나타낸 그래프, 제11도는 본 발명의 FET 바이어스회로의 실시예 3을 나타낸 개략도, 제12도는 본 발명의 제11도에 나타낸 FET 바이어스회로를 사용한 앰프회로의 실시예 4를 나타낸 개략도.

Claims (16)

  1. 인핸스먼트모드의 화합물반도체 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 바이어스제어용 트랜지스터 및 인핸스먼트모드의 화합물반도체 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 피바이어스트랜지스터로 구성된 커렌트미러방식의 바이어스안정화회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피바이어스트랜지스터의 소스부가 직접 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 피바이어스트랜지스터의 게이트부에 접속된 신호입력단자와 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부와의 사이에 로패스필터가 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  4. 인핸스먼트모드의 접합형 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 바이어스제어용 트랜지스터 및 인핸스먼트모드의 접합형 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 피바이어스트랜지스터로 구성된 커렌트미러방식의 바이어스안정화회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 피바이어스트랜지스터의 게이트부는 제1의 저항을 통해 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부에 접속되고, 상기 피바이어스트랜지스터의 드레인부는 전원에 접속되고, 상기 피바이어스트랜지스터의 소스부는 직접 접지되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부는 바이어스제어용 트랜지스터의 드레인부에 접속되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 드레인부는 제2의 저항에 접속되고, 상기 제2의 저항은 피바이어스트랜지스터의 드레인부가 접속된 전원에 접속되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 소스부는 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  6. 제4항에 있어서, 인핸스먼트모드의 접합형 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 제2의 바이어스제어용 트랜지스터를 또한 구비하고, 상기 피바이어스트랜지스터의 게이트부는 제1의 트랜지스터를 통해 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부에 접속되고, 상기 피바이어스트랜지스터의 드레인부의 전원에 접속되고, 상기 피바이어스트랜지스터의 소스부는 직접 접지되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부는 바이어스제어용 트랜지스터의 드레인부와 단락되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 드레인부는 제2의 바이어스제어용 트랜지스터의 소스부에 접속되고, 상기 바이어스제어용 트랜지스터의 소스부는 접지되고, 상기 제2의 바이어스제어용 트랜지스터의 게이트부는 제2의 저항을 통해 피바이어스트랜지스터의 드레인부에 접속되고, 상기 제2의 바이어스제어용 트랜지스터의 드레인부는 피바이어스트랜지스터의 드레인부가 접속된 전원에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  7. 제4항에 있어서, 상기 피바이어스트랜지스터 및 상기 바이어스제어용 트랜지스터는 화합물반도체 전계효과형 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 화합물반도체는 Ⅲ/Ⅴ족 화합물반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  9. 능동회로소자에 인가하는 바이어스전압을 발생하는 마이크로웨이브 반도체집적회로로서, 소스가 접지되고 또한 게이트 및 드레인이 공통접속된 전계효과형 트랜지스터와, 상기 전계효과형 트랜지스터의 게이트·드레인 공통접속점에 전원전압을 인가하는 부하소자와, 상기 전계효과형 트랜지스터의 게이트·드레인 공통접속점의 전위를 상기 능동회로소자에 그 바이어스전압으로서 공급하는 고임피던스소자를 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 능동회로소자는 고주파신호와 국부발진신호를 혼합하여 중간주파수신호를 출력하기 위한 믹서회로를 구성하는 전계효과형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 믹서회로는 고주파신호를 소스(또는 드레인)입력으로 하고 또한 국부발진신호를 게이트입력으로 하는 전계효과형 트랜지스터에 의해 구성되고, 상기 전계효과형 트랜지스터의 소스(또는 드레인)로부터 중간주파신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  12. 제10항에 있어서, 상기 믹서회로는 고주파신호 및 국부발진신호를 함께 게이트입력으로 하는 전계효과형 트랜지스터에 의해 구성되고, 상기 전계효과형 트랜지스터의 드레인으로부터 중간주파신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  13. 제9항에 있어서, 상기 전계효과형 트랜지스터는 인핸스먼트모드 GaAs 전계효과형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 반도체집적회로.
  14. 베이스에 바이어스전압이 인가된 바이폴라트랜지스터의 한쪽의 출력전극이 제1의 저항기를 통해 전원에 접속되는 동시에, 다른 쪽의 출력전극이 제2의 저항기를 통해 접지된 바이어스회로와, 상기 바이어스회로에 의해 바이어스되는 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터를 가지고, 상기 바이폴라트랜지스터의 한쪽의 출력전극이 상기 전계효과형 트랜지스터의 한쪽의 출력 전극에 접속되는 동시에, 상기 바이폴라트랜지스터의 다른쪽의 출력전극이 상기 전계효과형 트랜지스터의 게이트에 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전계효과형 트랜지스터는 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로.
  16. 제15항에 있어서, 상기 전계효과형 트랜지스터는 접합형 전계효과형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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