KR940016499A - 반도체소자의 배리어금속층 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 배리어금속층 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016499A KR940016499A KR1019920027046A KR920027046A KR940016499A KR 940016499 A KR940016499 A KR 940016499A KR 1019920027046 A KR1019920027046 A KR 1019920027046A KR 920027046 A KR920027046 A KR 920027046A KR 940016499 A KR940016499 A KR 940016499A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- barrier metal
- metal layer
- layer
- depositing
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 제조공정중 서브 마이크를 콘택홀을 하층 실리콘기판 또는 도전층에 콘택하는 금속배선에 관한 것으로 기존의 스퍼터링 장비 안 혹은 밖에서 후처리되는 대신 배리어 금속증착시 산소가 포함되지 않은 배리어금속층과 포함된 층으로 2단계 증착함으로 해서 공정단순화를 통한 공정시간단축, 배리어금속내에 들어가는 산소량 및 산소가 포함된 배리어금속의 두께조절을 통해 충분한 배리어 효과를 얻을 수 있는 기술에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따라 제1A도의 공정후 스터퍼링장치안에서 다른증착 챔버로 이동하여 산소가 포함된 배리어 금속층을 증착한 상태의 단면도, 제2B도 및 제2C도는 제2A도의 공정후 각각 알루미늄 합금층, 반사방지층을 그리고 티타늄층, 알루미늄 합금층, 반사방지층을 연속적으로 증착한 상태의 단면도.
Claims (3)
- 실리콘기판 혹은 도전층 상부에 콘택홀이 형성된 절연층을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 기판에 접속하는 금속배선을 형성한후 그 상부에 배리어금속층을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘기판(1) 상부에 절연층(2)을 형성한후 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 티타늄층을 일정두께 증착하는 단계와, 예정된 일정두께의 배리어금속층을 산소포함없이 증착하는 단계와, 예정된 일정두께의 배리어금속층을 증착한 후 연속으로 산소가 포함된 배리어금속층을 증착하는 단계와, 예정된 일정두께의 티타늄층, 알루미늄합금층, 반사방지층을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배리어금속층 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 산소가 포함안된 일정두께의 배리어금속층은 TiN 또는 TiW인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배리어금속층 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 산소가 포함된 배리어금속층은 TiN 또는 TiWO인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배리어금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027046A KR940016499A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체소자의 배리어금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027046A KR940016499A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체소자의 배리어금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016499A true KR940016499A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67223882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027046A KR940016499A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체소자의 배리어금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016499A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401498B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 배리어층 형성방법 |
| KR100476702B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027046A patent/KR940016499A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476702B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100401498B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 배리어층 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2097133B1 (ko) | ||
| KR950034482A (ko) | 반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법 | |
| WO2000075964A3 (en) | Method of fabricating semiconductor device employing copper interconnect structure | |
| KR950034609A (ko) | 반도체 가공물의 화학적인 증기증착 과정동안에 합금 입자의 오염을 감소시키기 위한 방법 | |
| KR950010858B1 (ko) | 반도체 소자의 금속콘택 형성방법 | |
| KR950004499A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR940016499A (ko) | 반도체소자의 배리어금속층 형성방법 | |
| JPS57170550A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2829143B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6345835A (ja) | 半導体装置 | |
| KR970030333A (ko) | 반도체소자의 도전 배선 콘택 제조방법 | |
| KR970052243A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR900005557A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950021425A (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
| KR930024106A (ko) | 반도체 소자의 콘택형성방법 | |
| KR950021108A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970053527A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950009930A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH03136244A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970052242A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR19990006183A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| KR900007079A (ko) | 경사진 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR970077219A (ko) | 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법 | |
| KR970052244A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980006132A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |