KR940015706A - 반도체 소자의 마스크패턴시 측정마크 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 마스크패턴시 측정마크 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법에 관한 것으로, 중첩 정확도를 측정하는 측정장비를 이용하여 측정할 수 있도록 마스크 제작시 박스인박스 형태로 측정마크를 형성하여 정확한 중첩정확도를 측정하여 공정오차를 최대한으로 감소시키는 측정마크 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의하여 형성된 측정마크의 중첩정확도 측정원리를 나타낸 평면도, 제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 의하여 형성된 여러가지 형태의 측정마크를 도시한 단면도, 제2E도는 본 발명에 의하여 형성된 측정마크중 가장 일반적인 구조를 도시한 평면도 및 단면도, 제3A도 내지 제3C도는 반도체 칩(chip)의 형태에 따른 측정마크의 배치를 나타낸 평면도.
Claims (7)
- 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법에 있어서, 패턴 형성공정시 패턴과 패턴간의 중첩 정확도를 향상시키기 위하여 스크라이브 라인에 측정마크를 형성하되, 4각형 안쪽박스와 4각형 바깥박스 형태의 패턴구조를 마스크 패턴 공정에서 중첩되도록 형성하여, 그로인하여 측정장비를 이용하여 중첩 정확도를 측정하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바깥박스는 사각형 요부형태로 형성하고, 상기 안쪽박스는 사각형 철부형태로 형성하되, 바깥박스의 중앙부에 바깥박스보다 작은 면적으로 안쪽박스를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바깥박스는 사각형 철부형태로 형성하고, 상기 안쪽박스는 상기 바깥박스의 중앙부에 바깥박스보다 작은 면적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 안쪽박스는 사각형 요부형태로 형성하고, 상기 바깥박스는 상기 안쪽박스보다 큰 면적으로 안쪽박스 가장자리 상부에 사각형 요부형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정 마크 제조방법.
- 제1항, 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 바깥박스의 물질과 안쪽박스의 물질은 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 바깥박스의 물질이 폴리실리콘 또는 절연층일때 안쪽박스의 물질은 감광막으로 형성하거나, 상기 바깥박스의 물질이 감광막일때 안쪽박스의 물질이 폴리실리콘 또는 절연층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측정마크는 칩 가장자리의 사각모서리 또 일부모서리에 다수개 배열하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴시 측정마크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024542A KR960007621B1 (ko) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 반도체 소자의 중첩 오차 보정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024542A KR960007621B1 (ko) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 반도체 소자의 중첩 오차 보정방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940015706A true KR940015706A (ko) | 1994-07-21 |
| KR960007621B1 KR960007621B1 (ko) | 1996-06-07 |
Family
ID=19345838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920024542A KR960007621B1 (ko) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 반도체 소자의 중첩 오차 보정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960007621B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353820B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의버니어형성방법 |
| KR100680936B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 중첩도 검사방법 |
-
1992
- 1992-12-17 KR KR1019920024542A patent/KR960007621B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353820B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의버니어형성방법 |
| KR100680936B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 중첩도 검사방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960007621B1 (ko) | 1996-06-07 |
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