KR940010318A - 내부강압회로 - Google Patents

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KR940010318A
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아키노리 시바야마
토시로 야마다
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체집적회로에 사용하는 내부강압회로에 관한 것이며, 기준전압발생회로 및 트리머부를 2가지 사용하는 것을 피하고, 트리머부에 있어서 외부전원과 접지전원사이에 정상전류가 흐르지 않는 구성을 취함으로써 쓸데없는 소비전류의 증가를 방지하는 것이 가능하고, 또한 레이아우트면적의 증가를 억제한 내부강압회로를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 그 구성에 있어서, 기준전압발생회로에서 발생된 기준전압에 의거해서,반도체집적회로에 사용하는 내부강압전압을 발생시키는 내부강압회로로서, 상기 기준전압발생회로(1A)에 의해 서로 상관관계를 가지고 발생되는 복수의 상기 기준전압은 적어도 1개가 접지전원전압(100)에 의거해서 기준전압발생회로(1A)에 있어서 발생된 상기 기준전압이며 적어도 1개는 외부전원전압(101)에 의거해서 기준전압발생회로(1A)에 있어서 발생된 상기 기준전압이며, 이들의 기준전압에 의거해서 내부강압전압이 발생되는 것을 특징으르 한것이다.

Description

내부강압회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 내부강압회로의 회로도,
제2도는 본 발명의 실시예1∼3에 있어서의 DRAM블록레이아우트도,
제3도는 본 반명의 실시예1에 있어서의 동작설명을 위한 퓨즈 ROM부의 회로도.

Claims (11)

  1. 기준전압발생회로에 있어서 발생된 기준전압에 의거해서, 반도체집적회로에 사용하는 내부강압전압은 발생시키는 내부강압회로로서, 상기 기준전압반생희로에 의해 서로 상관관계를 가지고 발생되는 착수의 상기 기준전압은, 적어도 1개가 접지전원전압에 의거해서 상기 기준전압발생회로에 있어서 발생된 기준전압이며, 적어도 1개는 외부전원전압에 의거해서 상기 기준전압발생회로에 있어서 발생된 기준전압이며, 이들 기준전압에 의거해서 상기 내부강압전압은 발생하는 것을 특징으 로하는 내부강압회로.
  2. 제1항에 있어서, 기준전압발생회로는 복수의 기준전압은 조정하는 것이 가능한 구성을 이루는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  3. 제2항에 있어서, 기준전압발생회로는 퓨즈 ROM절단에 의해 상기 기준전압발생회로를 구성하는 MOS트랜지스터에 직렬 또는 병렬로 접속되는 MOS트랜지스터의 수를 변경함으로써, 동시에 복수의 기준전압을 조정하는 것이 가능한 구성을 이루는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기준전압발생회로는 CMOS트랜지스터의 조합에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 복수의 상기 기준전압 각각에 의거해서 동작하는 복수의 차동증폭회로와, 이들의 차동증폭회로 각각에 의해 제어되고, 내부강압전압은 출력하는 복수의 트렌지스터를 가지고, 복수의 상기 기준전압중 가장 높은 전압에 의거해서 상기 내부강압전압으로서 발생시키는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  6. 기준전압발생회로에 있어서 발생된 기준전압에 의거해서 반도체집적회로에 사용하는 내부강압전압은 발생시키는 내부강압회로로서 상기 기준전압발생회로에 의해 접지전원전압에 의거한 적어도 1개의 기준전압과 외부전원전압에 의거한 적어도 1개의 기준전압을 발생하고, 이들 기준전압에 의거해서 상기 내부강압전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  7. 제6항에 있어서, 복수의 상기 기준전압 각각에 의거해서 동작하는 복수의 차동증폭회로와, 이들의 차동증폭회로 각각에 의해 제어되고, 내부강압전압은 출력하는 복수의 트랜지스터를 가지고 복수의 상기 기준전압중 가장 높은 전압에 의거해서 상기 내부강압전압으로서 발생시키는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  8. 제1항 또는 제6항에 있어서, 기준전압발생회로는, 외부전원으로부터 게이트, 드레인간을 단락한 적어도 1개의 MOS트랜지스터의 다이오드와 MOS트랜지스터를 접지전원의 사이에 접속한 직렬체와, 접지전원으로부터 게이드, 드레인간을 단락한 적어도 1개의 MO트랜지스터의 다이오드와 MOS트랜지스터를 외부전원의 사이에 접속한 직렬체로 구성되어 있으며, 각 직렬체의 MOS트랜지스터의 접점의 어느 하나를 다른 한쪽의 직렬체의 MOS트랜지스터의 게이트전위로서 서로 접속하는 구성을 취하는 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  9. 제6항에 있어서, 절환회로에 의해 복수의 상기 내부강압전압중 1개를 반도체집적회로상의 내부소자에 인가하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  10. 제1항 또는 제6항에 있어서, 복수의 내부강압전압은 적어도 1개는 DRAM의 메모리셀의 기록전압으로서의 내부전원인 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
  11. 제1항 또는 제6항에 있어서, 복수의 내부강압전압은 적어도 1개는 EEPROM의 판독전원으로서의 내부전원인 것을 특징으로 하는 내부강압회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930020582A 1992-10-07 1993-10-06 내부 강압회로 KR0141466B1 (ko)

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