KR940008039A - 반도체테스트장치, 반도체테스트회로칩 및 프로브카드 - Google Patents

반도체테스트장치, 반도체테스트회로칩 및 프로브카드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저가격화와 피측정반도체집적회로의 동시측정수의 현저한 증대를 실현할 수 있는 반도체테스트장치를 제공하고 이것에 의해 피측정반도체집적회로의 테스트 코스트를 현저하게 감소시키는 반도체테스트장치이다.
본 발명은 일품종의 복수의 피측정반도체집적회로칩(1)...만을 테스트하도록 설치된 전용기능의 반도체테스트회로칩(2)...과, 상기 테스트회로칩(2)...을 제어하고 테스트결과를 수집하는 컴퓨터(3)와, 상기 복수의 피측정칩(1)...과 상기 복수의 테스트회로칩(2)...를 탑재하고 또한 접속하는 마더보드(4)로 구성된다. 테스트기능의 대부분은 테스트회로칩(2)...에 에워싸여지므로 테스트 결과를 수집하는 컴퓨터(3)는 저가격인 것이어도 되므로 반도체 테스트장치의 가격을 대폭 내리는 것이 가능하다. 또한 테스트회로칩(2)...의 수를 늘리면 동시측정수를 현저하게 증가시킬 수 있다.

Description

반도체테스트장치, 반도체테스트회로칩 및 프로브카드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1의 실시예에 있어서 개략구성도.
제3도는 마더보드(mother board)의 단면도.
제4도는 반도체테스트회로칩의 내부구성을 표시하는 개략블럭도.
제5도는 반도체테스트회로칩에 배치하는 전류측정회로의 개략구성도.
제6도는 반도체웨이퍼상의 프로세스모니터영역의 설명도.
제7도는 반도체테스트회로칩의 구성도.
제8도는 정보판정수단의 구성도.

Claims (25)

  1. 피측정반도체집적회로칩을 테스트하는 반도체테스트장치에 있어서, 일품종의 복수의 반도체집적회로칩만을 테스트하도록 설계된 전용기능을 가지는 복수의 반도체 테스트회로칩과, 상기 복수의 반도체테스트회로칩을 제어하고 상기 복수의 피측정반도체집적회로칩의 테스트 결과를 수집하는 컴퓨터와, 상기 복수의 피측정반도체집적회로칩과 상기 복수의 반도체테스트회로칩을 접속하는 접속수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  2. 제1항에 있어서, 접속수단은 평판상으로 형성된 마더보드인 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  3. 제1항에 있어서, 복수의 피측정반도체집적회로칩과 반도체테스트회로칩의 수를 동수로 한 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  4. 제2항에 있어서, 마더보드의 일면에 복수의 피측정반도체테스트회로칩이 배치되고 마더보드의 다른면에 반도체테스트회로칩이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  5. 일품종의 피측정반도체집적회로만을 테스트하도록 설계된 전용기능을 가지는 반도체테스트회로칩에 있어서, 상기 피측정반도체집적회로만을 인가하여야 할 테스트패턴을 발생하는 테스트패턴발생회로와, 상기 테스트패턴발생회로에서 발생시킨 테스트패턴에 대한 피측정반도체집적회로칩에서의 응답파형의 타이밍을 측정하는 타이밍측정회로와, 상기 피측정반도체집적회로칩의 소비전류의 측정을 행하는 전류측정회로와, 상기 피측정반도체집적회로칩의 불량을 해석하는 불량해석회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  6. 제5항에 있어서, 전류측정회로는 피측정반도체집적회로칩에 정전압을 인가하는 정전압발생회로와, 설정전류레벨에 대응하는 설정전압을 발생하는 전류레벨설정회로와, 상기 정전압발생회로에 있어 상기 피측정반도체집적회로칩의 소비전류에 응동하는 부분의 전압을 상기 전류레벨설정회로의 설정전압과 비교하는 비교회로를 구비하고 있다는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  7. 제5항에 있어서, 피측정반도체집적회로칩과 대략 같은 설계원칙 및 프로세스에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  8. 제5항 또는 제7항에 있어서, 피측정반도체집적회로칩의 제조프로세스시에, 웨이퍼의 프로세스모니터영역에 만들어 넣어지는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  9. 피측정반도체집적회로에 인가하는 테스트패턴을 발생하는 테스트패턴발생수단과, 상기 테스트패턴발생수단에서 발생된 테스트패턴에 대한 피측정반도체집적회로의 출력정보를 기억하는 정보기억수단과, 상기 정보기억수단에 기억된 피측정반도체 집적회로의 츨력정보의 불량판정을 행하는 판정수단이 동일 칩내에 집적되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  10. 제6항에 있어서, 피측정반도체집적회로에 인가하는 테스트패턴을 발생하는 테스트패턴발생수단과, 상기 테스트패턴발생수단에서 발생된 테스트패턴에 대한 피측정반도체집적회로의 출력정보를 기억하는 정보기억수단과, 상기 정보기억수단에 기억된 피측정반도체집적회로의 출력정보의 불량판정을 행하는 판정수단이 동일 칩내에 집적되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  11. 제9항에 있어서, 정보기억수단의 어드레스를 발생하는 기억어드레스발생수단이 동일 칩내에 더 집적되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  12. 제9항에 있어서, 정보기억수단과 판정수단이 동수의 복수개 설치되어, 상기 복수의 정보기억수단중에서 한개의 정보기억수단을 선택하는 선택수단을 상기 복수개의 정보기억수단 및 판정수단과 동일칩내에 집적한 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  13. 제12항에 있어서, 정보기억수단에 기억된 피측정반도체집적회로의 출력정보를 판정수단에 의해 불량판정을 행하고 있을 때, 상기 판정수단에 출력정보를 제공하고 있는 정보기억수단 이외의 정보기억수단은 피측정반도체집적회로의 출력정보의 기억을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체테스트회로칩.
  14. 반도체웨이퍼상의 복수의 피측정반도체집적회로를 테스트하는 기능을 구비하는 복수의 테스트기능구비수단과, 상기 복수의 피측정반도체집적회로 각각의 복수의 위치에 접촉하는 복수의 프로브침과, 상기 복수의 테스트기능구비수단 및 복수의 프로브침을 지지하는 프로브카드본체를 구비한 것을 특징으로 하는 프로브카드.
  15. 반도체웨이퍼상의 복수의 피측정반도체집적회로를 테스트하는 기능을 구비하는 복수의 테스트기능구비수단, 상기 복수의 피측정반도체집적회로 각각의 복수의 위치에 접촉하는 복수의 프로브침 및 상기 복수의 테스트기능구비수단 및 복수의 프로브침을 지지하는 프로브카드본체로 가지는 프로브카드와, 상기 반도체웨이퍼를 교환하는 척수단과, 상기 프로브카드에 의해 테스트된 피측정반도체집적회로의 테스트결과를 수집하는 컴퓨터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 테스트기능구비수단은, 피측정반도체집적회로에 인가하는 테스트패턴을 발생하는 테스트패턴발생수단과, 상기 테스트패턴발생수단에서 발생된 테스트패턴에 대한 피측정반도체집적회로의 출력정보를 기억하는 정보기억수단과, 상기 정보기억수단에 기억된 피측정반도체집적회로의 출력정보의 불량판정을 행하는 판정수단을 동일 칩내에 집적된 반도체테스트회로칩인 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  17. 제14항 또는 제15항에 이어서, 복수의 테스트기능구비수단은 프로브카드본체의 주연에 배치되는 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  18. 제14항 또는 제15항에 이어서, 복수의 테스트기능구비수단의 각각은 프로브카드본체 복수의 프로브침이 에워싸는 복수의 평면 각각과 오버랩하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  19. 제14항 또는 제15항에 이어서, 프로크카드의 복수의 설정위치와 반도체웨이퍼의 복수의 설정위치와의 위치맞춤을 검출하는 웨이퍼위치맞춤검출수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  20. 제19항에 있어서, 반도체웨이퍼위치맞춤검출수단은 얼라인먼트용 프로브침과, 상기 얼라인먼트용 프로브침에 흐르는 전류를 검출하는 전류검출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  21. 제19항에 있어서, 반도체웨이퍼위치맞춤검출수단은 얼라인먼트용프로브침과 상기 얼라인먼트용프로브침과 각 반도체웨이퍼상에 형성된 얼라인먼트용패턴간의 정전용량을 검출하는 정전용량검출수단을 가지는 것을 특징으로 하는 프로브카드 또는 반도체테스트장치.
  22. 컴퓨터에 탑재된 피측정반도체집적회로칩을 테스트하는 반도체테스트회로칩과, 상기 피측정반도체집적회로칩의 테스트시퀀스를 기억하는 테스트시퀀스기억수단과, 상기 반도체테스트회로칩을 제어하여 상기 피측정반도체집적호로칩의 테스트결과를 수집하는 테스트결과수집수단을 구비하고, 상기 반도체테스트회로칩, 테스트시퀀스기억수단 및 테스트결과수집수단은 상기 컴퓨터에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  23. 제22항에 있어서, 반도체테스트회로칩은 컴퓨터에 내장하는 프로세서의 빈 시간에 피측정반도체집적회로칩의 테스트를 행하고, 컴퓨터는 상기 반도체테스트회로칩의 테스트에 의해 불량이 발견된 피측정반도체집적회로칩의 어드레스를 상기 프로세서에 사용되게 하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  24. 제24항에 있어서, 피측정반도체집적회로칩의 불량어드레스는 컴퓨터의 디스크상에 기억되는 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치.
  25. 제1항, 제15항, 제22항 또는 제7항, 제9항, 제10항 또는 제14항중 어느 한 항에 있어서, 측정반도체집적회로 또는 피측정반도체집적회로칩은 메모리인 것을 특징으로 하는 반도체테스트장치, 반도체테스트회로칩 또는 프로브카드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020014031A (ko) * 2000-08-14 2002-02-25 이국상 반도체 메모리 테스트 장치
KR100488582B1 (ko) * 1997-10-14 2005-08-31 삼성전자주식회사 어드벤테스트를위한테스트프로그램을자동으로발생하는방법
KR100712561B1 (ko) * 2006-08-23 2007-05-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 형태의 프로브 카드 및 그 제조방법과 웨이퍼형태의 프로브 카드를 구비한 반도체 검사장치

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US6525555B1 (en) 1993-11-16 2003-02-25 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5781021A (en) * 1994-01-11 1998-07-14 Key Solutions Ltd. Universal fixtureless test equipment
US6577148B1 (en) 1994-08-31 2003-06-10 Motorola, Inc. Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer
US5600257A (en) * 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
US5907247A (en) * 1995-10-06 1999-05-25 Texas Instruments Incorporated Test system and process with microcomputers and serial interface
US6114870A (en) * 1996-10-04 2000-09-05 Texas Instruments Incorporated Test system and process with a microcomputer at each test location
US6617872B2 (en) * 1996-10-04 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement
US6429029B1 (en) 1997-01-15 2002-08-06 Formfactor, Inc. Concurrent design and subsequent partitioning of product and test die
US6551844B1 (en) * 1997-01-15 2003-04-22 Formfactor, Inc. Test assembly including a test die for testing a semiconductor product die
US6076179A (en) * 1997-01-29 2000-06-13 Altera Corporation Method and apparatus of increasing the vector rate of a digital test system
JPH10312700A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Toshiba Corp 半導体試験装置
US6020750A (en) * 1997-06-26 2000-02-01 International Business Machines Corporation Wafer test and burn-in platform using ceramic tile supports
US6496027B1 (en) * 1997-08-21 2002-12-17 Micron Technology, Inc. System for testing integrated circuit devices
JP3188876B2 (ja) * 1997-12-29 2001-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション プロダクト・チップをテストする方法、テスト・ヘッド及びテスト装置
US6415397B1 (en) 1998-04-08 2002-07-02 Kingston Technology Company Automated multi-PC-motherboard memory-module test system with robotic handler and in-transit visual inspection
US6357023B1 (en) 1998-04-08 2002-03-12 Kingston Technology Co. Connector assembly for testing memory modules from the solder-side of a PC motherboard with forced hot air
JP2000011691A (ja) * 1998-06-16 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
US6192495B1 (en) * 1998-07-10 2001-02-20 Micron Technology, Inc. On-board testing circuit and method for improving testing of integrated circuits
DE19843435C2 (de) * 1998-09-22 2000-08-10 Siemens Ag Burn-In-Testvorrichtung
US6456099B1 (en) 1998-12-31 2002-09-24 Formfactor, Inc. Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
WO2000039848A2 (en) * 1998-12-31 2000-07-06 Formfactor, Inc. Test method and assembly including a test die for testing a semiconductor product die
US6480978B1 (en) 1999-03-01 2002-11-12 Formfactor, Inc. Parallel testing of integrated circuit devices using cross-DUT and within-DUT comparisons
US6499121B1 (en) 1999-03-01 2002-12-24 Formfactor, Inc. Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel
US6452411B1 (en) 1999-03-01 2002-09-17 Formfactor, Inc. Efficient parallel testing of integrated circuit devices using a known good device to generate expected responses
KR100328809B1 (ko) * 1999-07-22 2002-03-14 윤종용 웨이퍼 레벨 테스트 기능을 갖는 반도체 메모리 장치
US6363504B1 (en) * 1999-08-31 2002-03-26 Unisys Corporation Electronic system for testing a set of multiple chips concurrently or sequentially in selectable subsets under program control to limit chip power dissipation
US6363510B1 (en) * 1999-08-31 2002-03-26 Unisys Corporation Electronic system for testing chips having a selectable number of pattern generators that concurrently broadcast different bit streams to selectable sets of chip driver circuits
US6392428B1 (en) * 1999-11-16 2002-05-21 Eaglestone Partners I, Llc Wafer level interposer
WO2001056038A1 (fr) * 2000-01-28 2001-08-02 Hitachi, Ltd. Systeme a semi-conducteur
US6522156B2 (en) * 2000-02-23 2003-02-18 Unisys Corporation Planar subassembly for testing IC chips having faces with pressed electrical contacts that carry all power and signals for the chips
US20020006624A1 (en) * 2000-06-30 2002-01-17 Town Terence C. Method and assay for diagnosing substance dependency
US6603323B1 (en) * 2000-07-10 2003-08-05 Formfactor, Inc. Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure
US6380730B1 (en) * 2000-07-12 2002-04-30 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester having a program status memory
US6822469B1 (en) * 2000-07-31 2004-11-23 Eaglestone Partners I, Llc Method for testing multiple semiconductor wafers
US6537831B1 (en) * 2000-07-31 2003-03-25 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set using a multi wafer interposer
US6812048B1 (en) * 2000-07-31 2004-11-02 Eaglestone Partners I, Llc Method for manufacturing a wafer-interposer assembly
EP1187065A3 (de) * 2000-09-05 2002-07-31 ACG Aktiengesellschaft für Chipkarten und Informationssysteme Verfahren zur Serienherstellung von Chips, insbesondere für SIM-Karten
CA2321346A1 (en) * 2000-09-28 2002-03-28 Stephen K. Sunter Method, system and program product for testing and/or diagnosing circuits using embedded test controller access data
US6815712B1 (en) 2000-10-02 2004-11-09 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set from a wafer-interposer assembly
US6828810B2 (en) * 2000-10-03 2004-12-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same
US6686657B1 (en) 2000-11-07 2004-02-03 Eaglestone Partners I, Llc Interposer for improved handling of semiconductor wafers and method of use of same
DE10060438B4 (de) * 2000-12-05 2004-09-09 Infineon Technologies Ag Testanordnung zum parallelen Test einer Mehrzahl von integrierten Schaltkreisen und Testverfahren
US20020078401A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Fry Michael Andrew Test coverage analysis system
US6524885B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-25 Eaglestone Partners I, Llc Method, apparatus and system for building an interposer onto a semiconductor wafer using laser techniques
US6529022B2 (en) * 2000-12-15 2003-03-04 Eaglestone Pareners I, Llc Wafer testing interposer for a conventional package
US20020076854A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Pierce John L. System, method and apparatus for constructing a semiconductor wafer-interposer using B-Stage laminates
US6673653B2 (en) * 2001-02-23 2004-01-06 Eaglestone Partners I, Llc Wafer-interposer using a ceramic substrate
US7396236B2 (en) * 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
US8286046B2 (en) 2001-09-28 2012-10-09 Rambus Inc. Integrated circuit testing module including signal shaping interface
US8001439B2 (en) 2001-09-28 2011-08-16 Rambus Inc. Integrated circuit testing module including signal shaping interface
US7365557B1 (en) 2001-09-28 2008-04-29 Inapac Technology, Inc. Integrated circuit testing module including data generator
US8166361B2 (en) 2001-09-28 2012-04-24 Rambus Inc. Integrated circuit testing module configured for set-up and hold time testing
US7370256B2 (en) * 2001-09-28 2008-05-06 Inapac Technology, Inc. Integrated circuit testing module including data compression
US7446551B1 (en) 2001-09-28 2008-11-04 Inapac Technology, Inc. Integrated circuit testing module including address generator
US7265570B2 (en) * 2001-09-28 2007-09-04 Inapac Technology, Inc. Integrated circuit testing module
JP2003107131A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置及び半導体検査方法
US7385385B2 (en) * 2001-10-03 2008-06-10 Nextest Systems Corporation System for testing DUT and tester for use therewith
DE50115035D1 (de) * 2001-10-31 2009-09-24 Infineon Technologies Ag Bus-Interface
US6624031B2 (en) * 2001-11-20 2003-09-23 International Business Machines Corporation Test structure and methodology for semiconductor stress-induced defects and antifuse based on same test structure
US7527987B2 (en) * 2002-12-11 2009-05-05 Pdf Solutions, Inc. Fast localization of electrical failures on an integrated circuit system and method
US6941232B2 (en) * 2003-01-28 2005-09-06 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for performing multi-site integrated circuit device testing
US7282931B2 (en) * 2003-02-19 2007-10-16 Octavian Scientific, Inc. Full wafer contacter and applications thereof
US6984996B2 (en) * 2003-05-01 2006-01-10 Celerity Research, Inc. Wafer probing that conditions devices for flip-chip bonding
US6910162B2 (en) * 2003-05-12 2005-06-21 Kingston Technology Corp. Memory-module burn-in system with removable pattern-generator boards separated from heat chamber by backplane
US6961674B2 (en) * 2003-08-11 2005-11-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for analysis of cache array test data
US6946860B2 (en) * 2003-10-08 2005-09-20 Chipmos Technologies (Bermuda) Ltd. Modularized probe head
AT500263B1 (de) * 2004-03-15 2007-04-15 T I P S Messtechnik Gmbh Verfahren und schaltung zum schutz von prüfkontakten bei der hochstrom-messung von halbleiter-bauelementen
US7307433B2 (en) * 2004-04-21 2007-12-11 Formfactor, Inc. Intelligent probe card architecture
US8581610B2 (en) * 2004-04-21 2013-11-12 Charles A Miller Method of designing an application specific probe card test system
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
US7259581B2 (en) * 2005-02-14 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Method for testing semiconductor components
US7779311B2 (en) * 2005-10-24 2010-08-17 Rambus Inc. Testing and recovery in a multilayer device
JP5451958B2 (ja) * 2006-04-14 2014-03-26 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル プローブカード及び半導体ウエハ測定方法
US7557592B2 (en) * 2006-06-06 2009-07-07 Formfactor, Inc. Method of expanding tester drive and measurement capability
US7561027B2 (en) * 2006-10-26 2009-07-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing device
US8977912B2 (en) * 2007-05-07 2015-03-10 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for repairing memory
US7888955B2 (en) * 2007-09-25 2011-02-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources
US7977959B2 (en) * 2007-09-27 2011-07-12 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches
US20090164931A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Formfactor, Inc. Method and Apparatus for Managing Test Result Data Generated by a Semiconductor Test System
US20090224793A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-10 Formfactor, Inc. Method And Apparatus For Designing A Custom Test System
US8122309B2 (en) * 2008-03-11 2012-02-21 Formfactor, Inc. Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing
US8095841B2 (en) * 2008-08-19 2012-01-10 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing semiconductor devices with autonomous expected value generation
US7944225B2 (en) 2008-09-26 2011-05-17 Formfactor, Inc. Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test
US8400176B2 (en) * 2009-08-18 2013-03-19 Formfactor, Inc. Wafer level contactor
JP5750829B2 (ja) * 2010-03-19 2015-07-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の試験方法
US8890084B1 (en) * 2013-09-03 2014-11-18 United Microelectronics Corp. Method for analyzing circuit pattern
US9711452B2 (en) 2014-12-05 2017-07-18 International Business Machines Corporation Optimized wires for resistance or electromigration
US10591531B2 (en) * 2015-06-10 2020-03-17 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for integrated circuit monitoring and prevention of electromigration failure
KR102623549B1 (ko) 2016-12-07 2024-01-10 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
US11335428B2 (en) * 2018-10-09 2022-05-17 Intel Corporation Methods, systems and apparatus for in-field testing for generic diagnostic components

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4585991A (en) * 1982-06-03 1986-04-29 Texas Instruments Incorporated Solid state multiprobe testing apparatus
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process
US5132613A (en) * 1990-11-30 1992-07-21 International Business Machines Corporation Low inductance side mount decoupling test structure
US5177439A (en) * 1991-08-30 1993-01-05 U.S. Philips Corporation Probe card for testing unencapsulated semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100488582B1 (ko) * 1997-10-14 2005-08-31 삼성전자주식회사 어드벤테스트를위한테스트프로그램을자동으로발생하는방법
KR20020014031A (ko) * 2000-08-14 2002-02-25 이국상 반도체 메모리 테스트 장치
KR100712561B1 (ko) * 2006-08-23 2007-05-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 형태의 프로브 카드 및 그 제조방법과 웨이퍼형태의 프로브 카드를 구비한 반도체 검사장치

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