KR930700888A - 레지스트 물질 및 그의 사용 방법 - Google Patents

레지스트 물질 및 그의 사용 방법

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KR930700888A
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돗세비 야오 소가
개리 뉴톤 테일러
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원본미기재
이. 아이, 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
에이티 앤드 티 벨 래보라토리즈
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    • G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract

내용 없음.

Description

레지스트 물질 및 그의 사용 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (44)

  1. (1 중합체 골격 및 상기 골격에 직접 또는 간접적으로 결합되는 하기 일반식의 측 기를 갖는 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 중합체, 및 (2) 조사 시 산을 형성하는 물질로 이루어지는 물질.
  3. 식 중, n은 0 내지 4이고, R1은 수소 또는 저급 알킬이며, R2는 저급 알킬이고, R3및 R4는 독립적으로 수소 또는 저급 알킬이며, 이 때 저급 알킬의 정의는 R1및 R2또는 R1및 R3또는 R4가 결합하여 5-,6-또는 7-원 고리를 형성하는 것을 포함한다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 공중합체 삼원공중합체 또는 블록 중합체로 이루어지는 물질.
  5. 제2항에 있어서, 상기 물질이 벤질 메타크릴레이트 및 테트라히드로피라닐 메타크릴레이트의 공중합체로 이루어지는 물질.
  6. 제2항에 있어서, 상기 공중합체, 삼원공중합체 또는 블록 중합체를 형성하는데 사용되는 단량체가 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트로 이루어지는 물질.
  7. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트의 단일 중합체로 이루어지는 물질.
  8. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 폴리메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트 및 플리스티렌으로 이루어진 군에서 선택되는 물질.
  9. 제2항에 있어서, 중합체가 산에 불안정한 측 기를 갖지 않는 공단량체를 함유하는 물질.
  10. 제7항에 있어서, 산에 불안정한 측 기를 갖지 않는 공단량체가 메탈 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 벤질 아크릴레이트 및 스티렌에서 선택되는 물질.
  11. 제8항에 있어서, 글리시딜 메타크릴레이트가 접착성 증진에 적당한 양으로 첨가되는 물질.
  12. 제9항에 있어서, 첨가된 글리시딜 메타크릴레이트의 양이 약 5몰% 이하인 물질.
  13. 제8항에 있어서, 단량체 중 하나가 벤질 메타크릴레이트인 물질.
  14. 제6항에 있어서, 상기 중합체가 아크릴 또는 메타크릴 중합체로 이루어지는 물질.
  15. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 기 전이 중합화에 의해 제조되는 물질.
  16. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 자유 라디칼 중합화에 의해 제조되는 물질.
  17. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 1.75 미만의 다분산도를 갖는 물질.
  18. 제1항에 있어서, 상기 산 형성제가 디페닐요오도늄 토실레이트로 이루어지는 물질.
  19. 제1항에 있어서, 상기 산 형성제가 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트로 이루어지는 물질.
  20. 제1항에 있어서, 용매를 추가로 함유하는 물질.
  21. 제18항에 있어서, 상기 용매가 시클로펜타논인 물질.
  22. 제19항에 있어서, 상기 물질이 기판에 도포되는 물질.
  23. (1) 중합체 골격 및 상기 골격에 직접 또는 간접적으로 결합된 하기 일반식의 산에 불안정한 측 기를 갖는 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 중합체, 및 (2)조사 시 산을 형성하는 물질로 이루어지는 것이 특징인 물질을 기판 상에 형성시키는 단계, 이 물질을 조사 및 한정시키는 단계 및 장치 및 마스크의 연속적 가공을 위해 상기 조사 및 한정된 물질을 사용하는 단계로 이루어지는 장치 또는 마스크의 제조방법.
  25. 식 중, n은 0 내지 4이고, R1은 수소 또는 저급 알킬이며, R2는 저급 알킬이고, R3및 R4는 독립적으로 수소 또는 저급 알킬이며, 이 때 저급 알킬의 정의는 R1및 R2또는 R1및 R3또는 R4가 결합하여 5-,6-또는 7-원 고리를 형성하는 것을 포함한다.
  26. 제21항에 있어서,상기 중합체가 공중합체 삼원공중합체 또는 블록 중합체로 이루어지는 방법.
  27. 제22항에 있어서, 상기 물질이 벤질 메타크릴레이트 및 테트라히드로피라닐 메타크릴레이트의 공중합체로 이루어지는 물질.
  28. 제22항에 있어서, 상기 공중합체, 삼원공중합체 또는 블록 중합체를 형성하는데 사용되는 단량체가 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트로 이루어지는 물질.
  29. 제21항에 있어서, 상기 중합체가 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트의 단일 중합체로 이루어지는 물질.
  30. 제21항에 있어서, 상기 중합체가 아크릴 또는 메타크릴 중합체로 이루어지는 방법.
  31. 제21항에 있어서, 상기 중합체가 폴리메타크릴레이트 및 폴리아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 방법.
  32. 제21항에 있어서, 상기 중합체가 자유 라디칼 중합화에 의해 제조되는 방법.
  33. 제21항에 있어서, 상기 중합체가 기 전이 중합화에 의해 제조되는 방법.
  34. 제21항에 있어서, 상기 산 형성제가 디페닐요오드늄 토실레이트로 이루어지는 방법.
  35. 제21항에 있어서, 상기 산 형성제가 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트로 이루어지는 방법.
  36. 제21항에 있어서, 상기물질에 조사시킨 후 상기 물질을 한정시키기 전에 물질을 기판 상에 후소부하는 추가 단계를 포함하는 방법.
  37. 제21항에 있어서, 조사 후 한정 전의 조사된 영역에서의 부피 손실의 25% 미만인 방법.
  38. 제21항에 있어서, 상기 조사가 전자선을 사용하는 수행하는 방법.
  39. 제21항에 있어서, 상기 조사가 원자외선 영역에서 수행되는 방법.
  40. 구조 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트의 단량체.
  41. 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 메타크릴레이트의 단일중합체.
  42. 4-테트라히드로피라닐옥시벤질 베타크릴레이트를 함유하는 공중합체.
  43. 제1항에 있어서, 가교체가 첨가된 물질.
  44. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920702506A 1990-04-10 1991-03-28 레지스트 물질 및 그의 사용방법 KR100198408B1 (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225316A (en) * 1990-11-26 1993-07-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company An imagable article comprising a photosensitive composition comprising a polymer having acid labile pendant groups
US5759625A (en) * 1994-06-03 1998-06-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluoropolymer protectant layer for high temperature superconductor film and photo-definition thereof
US6090526A (en) * 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6884562B1 (en) 1998-10-27 2005-04-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists and processes for microlithography
JP4130030B2 (ja) 1999-03-09 2008-08-06 富士フイルム株式会社 感光性組成物および１，３−ジヒドロ−１−オキソ−２ｈ−インデン誘導体化合物
JP4396849B2 (ja) * 2005-01-21 2010-01-13 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP1701213A3 (en) 2005-03-08 2006-11-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive composition
WO2010117102A1 (ko) 2009-04-09 2010-10-14 서강대학교 산학협력단 콜로이드 입자들을 단결정들로 정렬하는 방법
JP5703819B2 (ja) * 2010-05-14 2015-04-22 Jsr株式会社 液晶表示素子、ポジ型感放射線性組成物、液晶表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA672947A (en) * 1963-10-22 John R. Armstrong Coating compositions
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
JPS58118641A (ja) * 1982-01-08 1983-07-14 Toshiba Corp 微細パタ−ン形成用放射線ポジ型レジスト
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
EP0264908B1 (en) * 1986-10-23 1996-03-20 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160 C
DE3902115A1 (de) * 1989-01-25 1990-08-02 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere
US5071731A (en) * 1990-04-10 1991-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous processable photosensitive element with an elastomeric layer
US5077174A (en) * 1990-04-10 1991-12-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working dry film element having a layer of resist composition
US4985332A (en) * 1990-04-10 1991-01-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use
US5072029A (en) * 1990-04-10 1991-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Catalyzed process for reacting carboxylic acids with vinyl ethers

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DE69119413D1 (de) 1996-06-13
JPH09507304A (ja) 1997-07-22

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