KR930022368A - 제조공정의 추가없이 온도 보상된 기준전압 발생회로 및 이를 사용하는 반도체 장치 - Google Patents

제조공정의 추가없이 온도 보상된 기준전압 발생회로 및 이를 사용하는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

온도 보상 기능을 가진 개선된 기준전압 발생회로(202)가 개시되어 있다.
정전압 회로를 구성하는 PMOS트랜지스터(3)는 부귀환회로(2b)를 구성하는 PMOS트랜지스터(4)와 동일한 특성을 갖는다.
주위 온도에 따라서 각 트랜지스터(3)(4)의 게이트·드레인 전압 및 드레인 전류 특성이 변동되나 각 트랜지스터의 드레인 전류를 적당히 설정함으로써 온도 보상이 달라지게 된다.
온도 보상을 위한 트랜지스터(3)(4)가 같은 제조공정에서 형성될 수 있으므로 제조공정의 추가없이 온도 보상효과를 얻게 된다.

Description

제조공정의 추가없이 온도 보상된 기준전압 발생회로 및 이를 사용하는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명의 한 실시예에 의한 기준전압 발생회로의 회로도이다.
제6도는 제3도에 표시한 기준전압 발생회로의 상세회로도이다.
제13도는 이 발명의 한 실시예에 의한 기준전압 발생회로가 적용되는 DRAM의 블럭도이다.

Claims (12)

  1. 정전류원(7)과, 이 정전류원으로부터의 출력전류를 드레인 전류로서 받으며 게이트와 드레인이 일체로 접속된 제1전계효과 트랜지스터(3), 상기 정전류원과 상기 제1전계효과 트랜지스터의 공통접속 노드에 접속된 증폭기수단(1)과, 이 증폭기 수단에 부귀환신호를 부여하는 부귀환 회로수단(2b)으로 구성되고, 상기 부귀환 회로수단은 상기 증폭기 수단의 출력노드와 전원전위간에 직렬접속된 저항수단(5)(6) 및 제2전제효과 트랜지스터(4)를 포함하고, 상기 제2전계효과 트랜지스터는 일체로 접속된 게이트와 드레인이 있으며, 상기 저항수단 및 상기 제2전계효과 트랜지스터의 공통 접속노드를 통하여 부귀환 신호가 상기 증폭기 수단에 부여하고, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터는 주위온도의 상승에 따라 변동되는 게이트-드레인 전압 및 드레인 전류 특성이 있으며, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터의 드레인 전류는 상기 증폭기 수단의 출력전압의 온도 의존성이 최소가 되도록 결정하는 기준전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 증폭기 수단은 반전 입력노드와 비반전 입력노드를 가진 차동증폭기 수단(1)을 포함하며, 상기 차동증폭기 수단은 상기 비번전 입력노드를 통하여 상기 정전류원과 상기 제1전계효과 트랜지스터의 공통 접속노드에 접속되고, 상기 반전 입력노드를 통하여 상기 부귀환 회로수단으로부터의 부귀환 신호가 입력되는 기준전압 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저항기 수단은 상기 차동증폭기 수단의 출력노드와 상기 전원전위간에 직렬 접속된 제1 및 제2의 저항소자 (5)(6)을 포함하고, 상기 차동증폭기 수단의 반전 입력노드는 상기 제1 및 제2의 저항소자의 공통 접속노드에 접속되는 기준전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터의 드레인 전류는 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터의 게이트-드레인 전압의 온도 계수가 소정의 관계를 충족하도록 결정되는 기준전압 발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 정전류원은 상기 제1 및 제2의 저항소자(55)(56)의 온도 계수보다도 낮은 온도 계수를 가진 제3저항소자(54)를 포함하는 기준전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 저항소자는 반도체 기판에 형성된 불순물 확산영역으로 구성되고, 상기 제3저항소자는 폴리실리콘으로 구성되는 기준전압 발생회로.
  7. 제3항에 있어서, 상기 차동증폭기 수단과 상기 정전류원을 형성하는 모든 활성소자는 전계효과 트랜지스터이며, 이에 따라 상기 기준전압 발생회로는 전계효과 트랜지스터를 제조하기 위한 공정만에 의하여 형성할 수 있는 기준전압 발생회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터는 동일 도전형인 동시에 동일 게이트-드레인 전압 및 드레인 전류 특성을 가진 기준전압 발생회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터는 다른 도전형인 동시에 다른 게이트-드레인 전압 및 드레인 전류 특성을 가진 기준전압 발생회로.
  10. 반도체기판(100)과, 이 반도체기판상에 형성된 외부로부터 부여된 외부 전원전압을 내부 전원전압으로 변환하기 위한 내부전압 변환회로(200)와, 상기 변환된 내부 전원전압을 받도록 상기 기판상에 형성된 내부회로(102)를 구비하고, 상기 내부전압 변환회로는 상기 외부 전원전압을 받는 정전류원(7)과, 상기 정전류원으로부터 출력전류가 드레인 전류로서 공급되며 게이트와 드레인이 일체로 접속된 제1전계효과 트랜지스터(3)와, 상기 정전류원과 상기 제1전계효과 트랜지스터의 공통 접속노드에 접속되고 상기 외부전압을 받는 증폭기 수단과, 상기 증폭기 수단에 부귀환 신호를 부여하는 부귀환 회로수단(2b)을 포함하며, 상기 부귀환 회로수단(2b)은 상기 증폭기 수단의 출력노드와 접지전위간에 직렬 접속된 저항수단 (5)(6) 및 제2전계효과 트랜지스터(4)를 포함하며, 상기 제2전계효과 트랜지스터는 게이트와 드레인이 일체로 접속되고, 상기 저항수단과 상기 제2전계효과 트랜지스터의 공통 접속노드를 통하여 상기 부귀환 신호를 상기 증폭기 수단에 부여하며, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터는 주위온도의 상승에 따라 변동되는 게이트-드레인 전압 및 드레인 전류 특성이 있고, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터의 드레인 전류를 상기 증폭기 수단의 출력전압의 온도 의존성이 최소가 되도록 결정하는 반도체장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반도체장치는 반도체 기억장치(100)이며, 상기 내부회로는 메모리셀 어레이(160)와, 상기 메모리셀 어레이에 외부로부터 부여된 주소신호에 응답하여 어드레스하는 해독기(161)(162)와, 상기 메모리셀 어레이로부터 공급된 데이터 신호를 증폭하는 상기 증폭기(164)를 포함하는 반도체장치.
  12. 외부 전원전압을 받아 내부동작 회로용 내부 전원전압으로서 온도 보상된 기준전압을 출력하는 기준전압 발생회로에 있어서, 정전류원(7)과, 이 정전류원의 출력전류를 드레인 전류로서 받으며, 게이트와 드레인을 함께 접속한 제1전계효과 트랜지스터(3)와, 상기 정전류원과 상기 제1전계효과 트랜지스터의 공통 접속노드에 접속된 증폭기 수단(1)과, 상기 증폭기 수단에 부귀환 신호를 부여하는 부귀환 회로수단(2b)으로 구성되고, 상기 부귀환 회로수단은 상기 증폭기 수단의 출력노드와 전원전위 간에 직렬접속된 저항수단(5)(6)과 제2전계효과 트랜지스터(4)를 포함하며, 상기 제2전계효과 트랜지스터는 게이트와 드레인이 함께 접속되고, 상기 저항수단과 상기 제2전계효과 트랜지스터의 공통접속노드를 통하여 상기 부귀환 신호가 상기 증폭기 수단에 부여되며, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터에는 주위온도의 상승에 따라 변동되는 게이트-드레인 전압 및 드레인 전류 특성이 있고, 상기 제1 및 제2의 전계효과 트랜지스터의 드레인 전류는 주위온도의 변화에 의하여 발생되는 상기 내부동작회로의 동작속도변화가 보상되도록 결정되는 기준전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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