KR930020746A - 화합물반도체 집적회로 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 양호한 고주파특성을 얻기 위해 소오스 인덕턴스를 절감할 수 있고, 칩면적을 절감하기 위해 보다 적은 패드수나 배선수로 구성되며, 칩면적을 확대시키지 않음과 더불어 제조의 수율을 저하시키지 않고도 대용량 캐패시터를 조립 할 수 있도록 된 화합물반도체 집적회로 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화합물반도체 집적회로는, 화합반도체 기판과, 이 기판상에 형성된 고저항의 버퍼층, 이 버퍼층상에 형성된 동작층, 상기 버퍼층 및 동작층을 관통하여 구멍을 뚫음으로써 설치된 상기 기판표면의 노출부에 형성된 오믹전극, 상기 동작층상에 형성된 소자전극 및, 상기 오믹전극을 소자전극에 접속하는 배선금속층을 구비하여 구성된 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 제조방법은, 화합물반도체 집적기판상에 고정항 버퍼층을 형성하고, 이 버퍼층상에 동작층을 형성하며, 상기 버퍼층과 동작층에 대해 메사에칭을 실행하여 상기 기판표면의 일부를 노출시킴과 더불어 상기 버퍼층과 동작층으로 이루어진 적어도 1개의 메사부분을 남기고, 산화막을 마스크로 이용하여 상기 노출부 및 메사부상에 오믹금속을 부착하여 전극을 형성하여, 배선금속층에 의해 상기 노출부상의 전극을 상기 메사부상의 적어도 1개의 전극에 접속하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 화합물반도체 집적회로의 단면도이다.
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화합물반도체 집적회로의 단면도이다.
제3도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화합물바도체 집적회로의 단면도이다.
제4도는 제2도에 나타낸 회로의 등가회로도이다.
Claims (14)
- 화합물반도체 기판(1,21~23)과, 이 기판(1,21~23)상에 형성된 고저항의 버퍼층(2,24), 이 버퍼층(2,24)상에 형성된 동작층(3~5,25), 상기 버퍼층(2,24) 및 동작층(3~5,25)을 관통하여 구멍을 뚫음으로써 설치된 상기 기판(1,21~23)표면의 노출부에 형성된 오믹전극(10,28), 상기 동작층(3~5,25)상에 형성된 소자전극(7,29)및, 상기 오믹전극 (10,28)을 상기 소자전극(7,29)에 접속하는 배선금속층(11,31)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 기판(1,21~23)이 n+형 GaAs로 이루어지고, 상기 버퍼층(2,24)이 비도프 GaAs로 이루어지며, 상기 동작층(3~5,25)이 n형 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 구멍을 뚫은 결과 상기 기판(1,21~23)상에 형성된 메사부분에 적어도 1개의 FET가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제3항에 있어서, 상기 동작층(3~5)상에 소자전극으로서 소오스(7)와 드레인 (8) 및 게이트(9)가 형성되고, 상기 소오스전극(7)이 상기 배선금속층(11)을 매개로 상기 오믹전극(10)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제4항에 있어서, 상기 오믹전극(10)이 접지전극인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 동작층(3~5)이 비도프 GaAs층(3)과 n형 AlGaAs층(4) n+형 GaAs층(5)을 포함하는 다층구조를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 집적회로.
- 제6항에 있어서, 상기 n형 AlGaAs층(4)이 Al0.3Ga0.7As구조를 갖춘 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 기판(21∼23)이 대용량 캐패시터를 형성하기 위해 n+형 GaAs층(21)과 비도프 GaAs층(22) 및 n+형 GaAs층(23)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제8항에 있어서, 적어도 2개의 FET를 형성하기 위해 상기 기판(21~23)상에 적어도 2개의 메사부분을 형성하면서 상기 기판(21~23)이 상기 2개의 FET에 공용되는 바이패스 콘덴서를 구성하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 제8항에 있어서, 상기 동작층이 비도프 GaAs층(25a)과 n형 AlGaAs(15b) 및 n+형 GaAs층 (15c)을 포함하는 다층구조를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로.
- 화합물반도체 집적기판(1,21~23)상에 고저항 버퍼층(2,24)을 형성하고, 이 버퍼층(2,24)상에 동작층(3~5,25)을 형성하며, 상기 버퍼층(2,24)과 동작층 (3~5,25)에 대해 메사에칭을 실행하여 상기 기판(1,21~23)표면의 일부를 노출시킴과 더불어 상기 버퍼층(2,24)과 동작층(3~5,25)으로 이루어진 적어도 1개의 메사부분을 남기고, 산화막을 마스크로 이용하여 상기 노출부 및 메사부상에 오믹금속을 부착하여 전극(7,29)을 형성하며, 배선금속층(11,31)에 의해 상기 노출부상의 전극(7,29)을 상기 메사부상의 적어도 1개의 전극에 접속하는 것을특징으로 하는 화합물반도체 집적회로를 형성하기 위한 방법.
- 11항에 있어서, 상기 메사부를 더욱 리세스 에칭하여 게이트전극을 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로를 형성하기 위한 방법.
- 11항에 있어서, 상기 오믹금속이 상기 메사부에 FET를 형성하도록 상기 메사부상에 부착되는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로를 형성하기 위한 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 메사부상에 형성된 1개의 전극이 상기 배선금속층(11 ,31)및 상기 노출부에 형성된 전극을 매개로 접지되는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 집적회로를 형성하기 위한 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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