JPS62244160A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62244160A JPS62244160A JP8872086A JP8872086A JPS62244160A JP S62244160 A JPS62244160 A JP S62244160A JP 8872086 A JP8872086 A JP 8872086A JP 8872086 A JP8872086 A JP 8872086A JP S62244160 A JPS62244160 A JP S62244160A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0046—Printed inductances with a conductive path having a bridge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路に関するものである。
従来、半導体基板上にトランジスタと、仁のトランジス
タに接続されるようく形成したインダクタ配線および抵
抗とから成る半導体集積回路において、このインダクタ
配線およびこれに接続されるように形成した抵抗の構造
を第８回国ないしく胸に示す。第３回国ないし１ＢＩＦ
ｉ、従来例による構造の平面図および、同回国の要部断
面図である。
タに接続されるようく形成したインダクタ配線および抵
抗とから成る半導体集積回路において、このインダクタ
配線およびこれに接続されるように形成した抵抗の構造
を第８回国ないしく胸に示す。第３回国ないし１ＢＩＦ
ｉ、従来例による構造の平面図および、同回国の要部断
面図である。
この従来例においては、例えばＧａＡａなどの半導体基
板１１３の表面部に、同回国に示すような、インダクタ
として動作するパターンを有し、金属薄膜で形成され九
インダクタ配線（２Ｉと、所定の電子濃旋を有する抵抗
層（３）とを有し、前記インダクタ配線８と前記抵抗層
８を、例えば空気などの絶縁層（６）で前記インダクタ
配線（！１との交叉部分を絶縁して、図示しなめトラン
ジスタに接続される配線金属（６１により接続した構造
をもつものである。
板１１３の表面部に、同回国に示すような、インダクタ
として動作するパターンを有し、金属薄膜で形成され九
インダクタ配線（２Ｉと、所定の電子濃旋を有する抵抗
層（３）とを有し、前記インダクタ配線８と前記抵抗層
８を、例えば空気などの絶縁層（６）で前記インダクタ
配線（！１との交叉部分を絶縁して、図示しなめトラン
ジスタに接続される配線金属（６１により接続した構造
をもつものである。
〔発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記従来例による半導体装置にお−ては
、第８回国に示したように、インダクタ配線（２）と抵
抗層１３＋の占有面積が大きく、集積化の点で不利であ
る。
、第８回国に示したように、インダクタ配線（２）と抵
抗層１３＋の占有面積が大きく、集積化の点で不利であ
る。
また、絶縁層１６）の絶縁破壊の可能性もあり、信頼性
向上を図る上で問題が生じ易いと共に、製造工程も複雑
であるという欠点を有している。
向上を図る上で問題が生じ易いと共に、製造工程も複雑
であるという欠点を有している。
この発明は、上記従来例の半導体装置のもつ欠点を改善
しようとするもので、パターンの必要上する面積が少な
く、信頓性が高く、かつ工作も容易である構造の半導体
装置’に提供することを目的とする。
しようとするもので、パターンの必要上する面積が少な
く、信頓性が高く、かつ工作も容易である構造の半導体
装置’に提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、この発明による半導体装置
は、半導体基板の表面上に形成するインダクタ配線と、
このインダクタ配線と接続され、かつ重畳されるように
、前記半導体基板内に形成される抵抗層とを備えたもの
である。
は、半導体基板の表面上に形成するインダクタ配線と、
このインダクタ配線と接続され、かつ重畳されるように
、前記半導体基板内に形成される抵抗層とを備えたもの
である。
この発明における半導体装置は、半導体基板表面に形成
したインダクタ配線と、半導体基板内に形成した抵抗層
を重畳させているから集積化の点で有利であり、また、
インダクタ配線と配線金属との交叉がな−ので、信頓性
が向上し、同時に、製造工程の数も減らすことができる
。
したインダクタ配線と、半導体基板内に形成した抵抗層
を重畳させているから集積化の点で有利であり、また、
インダクタ配線と配線金属との交叉がな−ので、信頓性
が向上し、同時に、製造工程の数も減らすことができる
。
以下、この発明に係る半導体装置の一実施例につき第１
回置ないしｉＢｌを参照して詳細に説明する。
回置ないしｉＢｌを参照して詳細に説明する。
第１回置ないしｉＢｌは、この実施例による、インダク
タ線路とこのインダクタ線路に接続された抵抗層とから
なる半導体装置を示す平面図および同回国の要部断面図
である。この実施例の半導体装置は、例えばＧａＡｓな
どの半導体基板１．１’ｌの表面部にあって、インダク
タとして作用するパターンを有し、金属薄膜で形成した
インダクタ配線（！１と、前記インダクタ配線＋２１と
その一端子で接続され、かつ重畳されるように形成され
、前記半導体基板１１）内にあプ、例えばｎ形の導電性
で所定の電子濃度を有する抵抗層（３）と、前記抵抗層
（３１と前記インダクタ配線（意）および図示しなめト
ランジスタに接続される配線金Ｘ （６１との所定の接
続部に前記抵抗層＋３１よシミ子濃度が高（同じ導電形
を有するｎ十形層（４）とから成るものである。
タ線路とこのインダクタ線路に接続された抵抗層とから
なる半導体装置を示す平面図および同回国の要部断面図
である。この実施例の半導体装置は、例えばＧａＡｓな
どの半導体基板１．１’ｌの表面部にあって、インダク
タとして作用するパターンを有し、金属薄膜で形成した
インダクタ配線（！１と、前記インダクタ配線＋２１と
その一端子で接続され、かつ重畳されるように形成され
、前記半導体基板１１）内にあプ、例えばｎ形の導電性
で所定の電子濃度を有する抵抗層（３）と、前記抵抗層
（３１と前記インダクタ配線（意）および図示しなめト
ランジスタに接続される配線金Ｘ （６１との所定の接
続部に前記抵抗層＋３１よシミ子濃度が高（同じ導電形
を有するｎ十形層（４）とから成るものである。
かかる構造の半導体装置におｈては、インダクタとして
動作するインダクタ配線（！１と、抵抗層１１１を重畳
させて構成し、ｎ十形層ｉ４＋によ）、インダクタ線路
（引及び配線金属ｔｓ＞と抵抗層（３）′とのオーミッ
ク性接合を行なって−るので、パターン占有面積の少な
いインダクタと抵□抗との接続回路ｔ−英現している・ なお、前記実施例にお−ては、ｎ形の抵抗層ｔｓｔと、
オーミック性接合をもたせるためのｎ十層（４）を用−
る場合について述べたが、ｐ形の抵抗層とｐ十層ａ瞼も
同様である。また、前記実施例においては、Ｇａム−基
板を用−る場合にクーで述べたが、必ずしもこれに限定
されるものではなく、ｘｎＰなどその他の半導体基板を
用いる場合にも適用でき仁とは言うまでもな−。
動作するインダクタ配線（！１と、抵抗層１１１を重畳
させて構成し、ｎ十形層ｉ４＋によ）、インダクタ線路
（引及び配線金属ｔｓ＞と抵抗層（３）′とのオーミッ
ク性接合を行なって−るので、パターン占有面積の少な
いインダクタと抵□抗との接続回路ｔ−英現している・ なお、前記実施例にお−ては、ｎ形の抵抗層ｔｓｔと、
オーミック性接合をもたせるためのｎ十層（４）を用−
る場合について述べたが、ｐ形の抵抗層とｐ十層ａ瞼も
同様である。また、前記実施例においては、Ｇａム−基
板を用−る場合にクーで述べたが、必ずしもこれに限定
されるものではなく、ｘｎＰなどその他の半導体基板を
用いる場合にも適用でき仁とは言うまでもな−。
以上のようｋこの発明の半導体装置によれば、インダク
タ配線とこれに接続され、かり、重畳されるように抵抗
層を半導体基板内に設けたので、パターン面積を少なく
シ、信頓性が高く、製造工程も少なくすることができる
という効果がある。
タ配線とこれに接続され、かり、重畳されるように抵抗
層を半導体基板内に設けたので、パターン面積を少なく
シ、信頓性が高く、製造工程も少なくすることができる
という効果がある。
第１回置ないしく瞬はこの発１ｊｌｌＫ係る半導体装置
の構造の一実施例を示すそれぞれ平面図および断面図、
第８回国ないし四は従来例の半導体装置を示すそれぞれ
平面図および断面図である。 ＋１１はＧａＡ−基板（半導体基板） ％ ｌ！＋はイ
ンダクタ配線、ＩＩＩはｎ形紙抗層、１４） ｌｌ１ｎ
＋形層、（Ｉ）は配線金員、（６）は絶縁層である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
の構造の一実施例を示すそれぞれ平面図および断面図、
第８回国ないし四は従来例の半導体装置を示すそれぞれ
平面図および断面図である。 ＋１１はＧａＡ−基板（半導体基板） ％ ｌ！＋はイ
ンダクタ配線、ＩＩＩはｎ形紙抗層、１４） ｌｌ１ｎ
＋形層、（Ｉ）は配線金員、（６）は絶縁層である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 半導体基板に形成されたトランジスタと、このトランジ
スタと接続されると共に、前記半導体基板の表面上に形
成されるインダクタ配線ととこのインダクタ配線と接続
され、かつ、重畳されるように、前記半導体基板内に形
成される抵抗層とを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8872086A JPS62244160A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8872086A JPS62244160A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62244160A true JPS62244160A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13950738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8872086A Pending JPS62244160A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62244160A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095357A (en) * | 1989-08-18 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inductive structures for semiconductor integrated circuits |
| US5557138A (en) * | 1993-11-01 | 1996-09-17 | Ikeda; Takeshi | LC element and semiconductor device |
| US5629553A (en) * | 1993-11-17 | 1997-05-13 | Takeshi Ikeda | Variable inductance element using an inductor conductor |
| US6285069B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Semiconductor device having improved parasitic capacitance and mechanical strength |
| US8766390B2 (en) | 2011-06-10 | 2014-07-01 | Fujitsu Limited | Light-receiving device, light receiver using same, and method of fabricating light-receiving device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501692A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
| JPS5198990A (ja) * | 1975-02-18 | 1976-08-31 | ||
| JPS5327376A (en) * | 1976-08-26 | 1978-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of high resistanc e layer |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8872086A patent/JPS62244160A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501692A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6285069B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Semiconductor device having improved parasitic capacitance and mechanical strength |
| US6383889B2 (en) | 1998-04-10 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Semiconductor device having improved parasitic capacitance and mechanical strength |
| US8766390B2 (en) | 2011-06-10 | 2014-07-01 | Fujitsu Limited | Light-receiving device, light receiver using same, and method of fabricating light-receiving device |
| US9243952B2 (en) | 2011-06-10 | 2016-01-26 | Fujitsu Limited | Light-receiving device, light receiver using same, and method of fabricating light-receiving device |
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