KR930020637A - 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

화합물 반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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요시히로 기시타
유지 미나미
도시카즈 후쿠다
겐지 혼묘
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 전력용 GaAsFET나 모놀리딕 마이크로파 집적회로 등과 같은 화합물 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 블레이드 다이싱공정에서의 칩의 파편이나 외관불량의 발생빈도를 억제함과 더불어 칩으로부터의 CVD막의 박리나 패드의 박리를 일으킬 염려가 적은 구조를 갖춘 화합물 반도체장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 화합물 반도체장치는, CVD 막(3) 및/또는 패드 메탈(7)을 갖춘 화합물 반도체칩(11)과, 오리엔테이션 플랫에 대해 수직방향으로 형성된 다이싱선(5)및, 상기 다이싱선(5)의 내측에서 이 선을 따라 형성된 홈(1)으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 화합물 반도체장치의 제조방법은, 각 칩내에서 오리엔테이션 플랫에 대해 수직방향의 다이싱선을 따라 홈(1)을 형성하기 위해 화합물 반도체 웨이퍼를 에칭하고, 각 칩상에 상기 홈(1)으로부터 소정의 거리를 두고 그 내측에 CVD 막(3) 및/또는 패드 메탈(7)을 형성하며, 더욱이 블레이드 다이싱에 의해 각 칩을 웨이퍼로부터 분리하도록 된 것을 특징으로 한다.

Description

화합물 반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)는 본 발명의 1실시예에 따른 화합물 반도체장치의 블레이드 다이싱공정이전의 칩평면도이다.
제1도(b)는 블레이드 다이싱공정을 거친 제1도(a)에 나타낸 칩의 평면도이다.

Claims (10)

  1. CVD막(3) 및/또는 패드 메탈(7)을 갖춘 화합물 반도체칩(11)과, 오리엔테이션 플랫에 대해 수직방향으로 형성된 다이싱선(5) 및, 상기 다이싱선(5)의 내측에서 이 선을 따라 형성된 홈(1)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 CVD막(3) 및/또는 패드 메탈(7)은, 상기 칩(11)상에서 상기 홈(1)으로부터 소정의 거리만큼 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화합물 반도체칩(11)은 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 거리는 5∼10㎛이고, 또 상기 홈(1)은 약 20∼30㎛의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 오리엔테이션 플랫은 상기 GaAs의 (011)면인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  6. 제1항에 잇어서 상기 장치는 GaAs전력용 FET 또는 모놀리딕 마이크로파 집적회로인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치.
  7. 각 칩내에서 오리엔테이션 플랫에 대해 수직방향의 다이싱선을 따라 홈(1)을 형성하기 위해 화합물 반도체 웨이퍼를 에칭하고, 각 칩상에 상기 홈(1)으로 부터 소정의 거리를 두고 그 내측에 CVD막(3) 및/또는 패드 메탈(7)을 형성하며, 더욱이 블레이드 다이싱에 의해 각 칩을 웨이퍼로부터 분리하도록 된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 칩은 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 홈(1)은 약 20∼30㎛의 폭을 갖고, 상기 CVD막(3) 및/또는 패드 메탈(7)은 상기 홈(1)의 약 5∼10㎛내측에 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 칩은 GaAs로 이루어지고, 상기 오리엔테이션 플랫은 이 GaAs의 (011)면인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930003702A 1992-03-12 1993-03-12 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 KR930020637A (ko)

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