KR930020565A - 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치 - Google Patents

음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치 Download PDF

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KR930020565A
KR930020565A KR1019930004113A KR930004113A KR930020565A KR 930020565 A KR930020565 A KR 930020565A KR 1019930004113 A KR1019930004113 A KR 1019930004113A KR 930004113 A KR930004113 A KR 930004113A KR 930020565 A KR930020565 A KR 930020565A
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루돌프 라츠
조헨 리터
미카엘 세러
라이너 게겐바르트
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페터 좀머캄프, 에릭 투테
라이볼트 악티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명은 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다. 이 장치에서는 마그네트론의 직류 및 교류 전압이 음극에 연결되고 음극과 기판 사이의 영역으로 마이크로파가 조사된다. 마이크로파 조사는 마그네트론의 자기장 영역 안에서 일어나며 자기장과 마이크로파는 전자 사이클로트론 공명이 일어나 마이크로파가 플라즈마 안에 흡수되도록 배치된다.

Description

음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 마그네트론 음극과 마이크로파 조사를 포함하는 플라즈마 챔버를 나타낸 도면.
제2도는 플라즈마 챔버에 있어, 마이크로파가 조사되는 영역의 부분 투시도.
제3도는 제2도에 따른 장치의 부분도로서 도파관이 단면으로 도시되어 있지 않았다.
제4도는 제1도에 따른 장치에 있어, 스퍼터 전류와 음극 전압의 관계를 보여주는 그래프이다.

Claims (15)

  1. 비활성 기체 및 활성 기체가 투입될 수 있는 진공 챔버,전류원과 연결되는 전극에 연결되는 상기 진공 챔버내의 타게트, 타게트로부터 나와서 다시 타게트로 들어가는 자기장을 갖는 자기 시스템, 도파관 및 마이크로파에 대해 투과하는 가스 장벽을 경유해 타게트의 전방 영역으로 마이크로파를 전송함으로써 사실상 타게트의 표면에 평행하게 마이크로파가 조사되게 하는 마이크로파 전송부, 로 구성되는 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생 장치에 있어서, 전극은 구형 표면을 갖는 구형 전극이고, 도파관은 타게트 표면에 수직으로 이어지는 부분 뿐만아니라 타게트 표면에 평행하게 이어지는 부분으로 이루어지는 두개의 소깅 빈 도파관으로 구성되고, 타게트 표면에 평행하게 이어지는 도파관 부분 다음에 상기 부분이 직경보다 더 큰 직경을 갖는 도파관으로서의 역할을 수행하게 되는 음극 차폐상자가 마련됨을 특징으로 하는 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생 장치.
  2. 제1항에 있어서, 석영 유리가 압력에 의해 진공 챔버에 연결된 도파관 부분과 대기와 연결된 도파관 부분을 분리시키는 역할을 함을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.
  3. 제1항에 있어서, 도파관 및 음극 차폐상자가 음극 전장(全長)에 걸체 펼쳐짐을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.
  4. 제1항에 있어서, 도파관의 절단면은 전극의 일부분에만 걸치고 음극차폐상자 다음에 오는 도파관은 음극의 전장에 걸쳐 펼쳐짐을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  5. 제1항에 있어서, 각각의 음극 차폐상자는 마이크로파가 도파관으로부터 타게트 전방의 공간으로 빠져 나갈 수 있는 개구를 갖음을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.
  6. 제1항에 있어서, 진공 챔버의 상단부에 개구가 마련되어 그를 통해 도파관이 진공 챔버로 도입되고 그후에 90도로 굴곡되게끔 함을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  7. 제1항에 있어서, 기판이 타게트의 반대편에 배치됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  8. 제1항에 있어서, 마이크로파 주파수는 2.45GHz가 바람직하고 타게트의 표면에 유도된 자기장의 세기는 최소한 875 가우스임을 특징으로 하는 플라스마 발생장치.
  9. 제1항에 있어서, 마그테트론은 옆으로는 전극의 폭만큼 걸치고 길이로는 전극의 전장에 걸쳐 뻗어 있는 세개의 자극을 갖고 이들 중 둘(예를 들면, 13,14)은 같은 극성을 갖음을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  10. 제1항에 있어서, 기판의 영역 안에 챔버 벽에 평행한 부가적인 자기장이 마련됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  11. 제1항에 있어서, 타게트는 산소 결손이 최소한 5%인 인듐 산화물로 구성되고 상기 인듐 산화물은 주석 또는 주석 산화물로 도핑됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  12. 제1항에 있어서, 하나의마이크로파 전송부가 마련되어 도파관들을 경유해 도파관 부분과 연결됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  13. 제1항에 있어서, 두개의 마이크로파 전송부가 마련되어 그중 하나는 제1도파관을 통해 제1부분으로 연결되고 다른 하나는 제2도파관을 통해 제2부분으로 연결됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  14. 제12항 및 제13항에 있어서, 마이크로파 전송부로부터 도파관 부분까지의 각 도파관 안에 마이크로파를 사실상 손실 없이 진공 챔버의 플라즈마 안으로 이끌어 들이는 튜닝 장치가 마련됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  15. 제3항에 있어서, 상당히 긴 음극에 대해서는 동일한 도파관 및 음극 차폐상자가 다수 마련되어 하나의 결합된 단위로서 전극의 전장에 걸쳐 펼쳐짐을 특징으로하는 플라즈마 발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004113A 1992-03-28 1993-03-17 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치 KR930020565A (ko)

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