KR930020564A - 반도체 제조 장치의 평가 장치 및 그 평가 방법 - Google Patents
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Abstract
노광 장치에 장착한 포토마스크를 통해 포토레지스트를 노광함으로써 반도체 기판에 도전막을 형성하고, 그 저항값을 측정해서 노광 장치의 특성을 평가하는 반도체 제조 장치의 제조 장치 및 그 평가 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 포토마스크는 스테퍼 등의 노광장치에 이용된다. 제1도는 노광 영역(32)내에 투영된 레티클의 마스크 패턴을 도시한다. 마스크 패턴은 패턴 형상이 같은 복수의 블럭(서브칩;31)로 이루어지고, 각 블럭(31)은 복수의 저항 측정 패턴 및 필요에 따라 시트 저항 측정 패턴을 구비한다. 이 블럭(31)을 레티클 내에 배치하고, 각 블럭(31)의 저항 변화를 비교해서 노광 장치의 렌즈를 평가한다..
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 레티클의 마스크 패턴에 투영된 노광장치의 노광 영역의 평면도.
제2도는 리소그래피용 노광 장치(스테퍼)의 구조 개념도.
제3도는 제1실시예에 관한 레티클의 마스크 패턴의 서브칩의 평면도.
Claims (10)
- 노광장치 및 상기 노광장치(13,15,16, 및 17)에 장전되어 복수의 저항 측정 패턴(21,211 내지 215)를 포함하고 서로 동일한 형상의 패턴을 구비하고 있는 저항 측정패턴 블럭(31,311 내지 316)을 복수 개 갖는 마스크 패턴을 지지하는 레티클(11)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 저항 측정 패턴블럭이 상기 레티클 내에서 모두 같은 방향으로 향하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 평가 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 저항 측정 패턴 블럭의 일부가 그 밖의 저항 측정 패턴 블럭과는 다른 방향으로 향하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 복수개의 저항 측정 패턴 블럭의 일부가 향하고 있는 방향이 상기 그 밖의 저항 측정 패턴 블럭이 향하고 있는 방향과는 45도 또는 90도 다른 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저항 측정 패턴이 피저항 측정 부분(41)을 가지고, 그 피저항 측정 부분의 폭이 피저항 측정 부분이 포함되는 상기 저항 측정 패턴 블럭내에 있어서, 적어도 일부는 남은 피저항 측정 부분의 폭과는 다른 것을 특징으로 하는 반도체 제도 장치의 평가 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저항 측정 패턴 블럭 내에는 더미 패턴(6)이 형성되어있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 평가 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저항 측정 패턴 블럭 내에는 시트 저항 측정 패턴(22)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가장치.
- 복수의 저항 측정 패턴을 가지고, 돌일 패턴을 갖는 저항 측정 패턴 블럭 복수개를 마스크 패턴으로 하는 레티클을 장전한 노광 장치를 이용해서 기판 상에 도포된 포토레지스트를 노광해서 포토레지스트 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 마스크 패턴을 마스크로 해서 기판 상에 형성되어 있는 도전막을 에칭해서 복수의 저항 측정 패턴을 갖는 목수의 저항 측정 패턴 블럭으로 구성된 패턴을 구비한 도전막을 형성하는 단계. 상기 도전막의 복수의 저항 측정 패턴의 저항을 측정하여 상기 각 저항 측정패턴 블럭내의 저항값을 구하는 단계 및 상기 각 저항 측정 패턴 블럭 사이에서 정된 저항값을 비교함으로써 상기 노광 장치의 특성을 평가하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가방법.
- 제8항에 있어서, 상기 도전막이 실리콘막, 폴리사이드막, 알루미늄막, 또는 금속 박막에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 평가 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 저항 측정 패턴이 4단자 켈빈법에 따름과 동시에 상기 도전막이 다결정 실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 평가방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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